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公开(公告)号：CN103313794B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180057834.0
申请日：2011-11-28
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00119 , B01L3/502707 , B01L2200/12 , B01L2300/0887 , B81B2201/051 , B81C1/00357 , B81C2203/036 , C03B23/245
Abstract: 用于密封玻璃微结构组件的方法的实施方式包括在基板上与玻璃微结构组件相邻提供一个或多个侧保持器构件，该侧保持器构件的高度小于玻璃微结构组件限定的未压缩的高度。该方法还包括在加热玻璃微结构组件和顶板至玻璃密封温度的同时，通过与玻璃顶层紧密接触的负载顶板压缩玻璃微结构组件，玻璃密封温度是足以使玻璃变粘的温度，其中玻璃微结构组件被压缩，直到负载顶板接触侧保持器构件，并且在玻璃密封温度下，负载顶板由侧保持器构件支撑的同时，该顶板的下表面保持粘附在玻璃顶层的上表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104646837A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410848774.X
申请日：2014-11-19
Applicant: 罗芬-新纳技术公司
Inventor： S·A·侯赛尼
IPC: B23K26/53 , B23K26/382 , B23K26/046
CPC classification number: B81C1/00238 , B23K26/0604 , B23K26/0624 , B23K26/0626 , B23K26/0648 , B23K26/356 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B81C1/00634 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/038 , C03B33/0222 , C03B33/04 , H01L25/043 , H01L25/0657 , H01L25/0756 , H01L25/117 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法。一种使用多个透明基板制造电机械芯片的方法，包括步骤：使用光声压缩在多个基板中的至少一个中加工完整或部分空隙。按照特定的顺序层叠和布置多个透明基板。将透明基板固定和密封在一起。可通过激光焊接或粘合剂来密封芯片。
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公开(公告)号：CN102319956B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110235234.0
申请日：2011-08-16
Applicant: 北京博晖创新光电技术股份有限公司
Inventor： 杨奇
CPC classification number: B01L3/502707 , B01L2200/0689 , B01L2300/044 , B01L2300/0816 , B29C65/16 , B29C65/1635 , B29C65/1654 , B29C65/1696 , B29C66/1122 , B29C66/242 , B29C66/244 , B29C66/344 , B29C66/53461 , B29C66/7392 , B29C66/81267 , B29C66/81455 , B29C66/82421 , B29C66/82423 , B29C66/8266 , B29C66/82661 , B29C66/8322 , B29C66/9161 , B29C66/919 , B29C66/9221 , B29C66/9241 , B29C66/934 , B29C66/939 , B29C66/961 , B29L2031/756 , B81B2201/058 , B81B2203/0127 , B81C3/001 , B81C2203/036
Abstract: 本发明公开了一种膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法，涉及膜动聚合物微流控芯片制造技术领域，包括步骤：焊接前，固定基板，将所述隔膜平展地覆盖在所述基板的表面；施加压力将隔膜压在所述基板表面，焊接时利用激光透过所述隔膜照射所述基板上的焊接区域，所述焊接区域受热熔化后将所述基板和隔膜焊接在一起。本发明实现了膜动聚合物微流控芯片隔膜和基板的焊接，且焊接牢固，焊接面平整、均匀。
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公开(公告)号：CN102164848B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200980137984.5
申请日：2009-08-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： A·法伊
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/033 , B81B2207/095 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , Y10T29/49126
Abstract: 按照本发明的用于制造微机械构件(300)的方法包括以下步骤：提供第一衬底(100)，在第一衬底(100)上形成微结构(150)，其中微结构(150)具有可动的功能元件(151)，提供第二衬底(200)，以及在第二衬底(200)中构造电极(251)，用以电容式检测功能元件(151)的偏移。该方法还包括将第一和第二衬底(100；200)相连接，其中，形成封闭的空腔，该空腔包围功能元件(151)，并且电极(251)在功能元件(151)的区域内邻接于该空腔。
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公开(公告)号：CN101681888B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880018412.0
申请日：2008-03-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/02
CPC classification number: B81C3/001 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/036 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/166 , H01L2924/3025 , Y10T428/31678 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种电子零部件装置及其制造方法，力图在使用例如以Sn为主要成分的低熔点金属作为接合材料、来将由例如以Cu为主要成分的高熔点金属构成的导体膜的彼此之间进行接合时，能缩短接合所需要的时间。在配置了由例如以Sn为主要成分的低熔点金属所构成的低熔点金属层(16及18)的状态下，使其沿着厚度方向夹着与构成要接合的第一及第二导体膜(13及14)的高熔点金属是相同种类的、由例如以Cu为主要成分的高熔点金属所构成的高熔点金属层(17)，实施加热接合工序。因为要生成高熔点金属和低熔点金属的金属间化合物，能缩短要使高熔点金属分别扩散到低熔点金属层(16及18)中的距离，因此能缩短扩散所需要的时间，所以，能缩短接合所需要的时间。
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公开(公告)号：CN101180794A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017224.7
申请日：2006-03-09
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0271 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/051 , H03H3/0072 , H03H9/2447 , H03H9/462 , Y10T29/49005 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49826 , Y10T29/49861
Abstract: 使用双晶片过程制造单晶硅微机械谐振器的方法，包括绝缘体上硅(SOI)(104)或绝缘基础晶片和谐振器晶片(108)，其中谐振器锚(122，124)、电容气隙(116)、隔离沟(128，130)和校准标记被微机械加工于基础晶片的活性层(114)中；谐振器晶片(124)的活性层直接结合至基础晶片的活性层；除去谐振器晶片的柄层(144)和电介质层(140)；观察窗开口于谐振器晶片的活性层中；使用光致抗蚀剂材料掩蔽谐振器晶片的单晶硅半导体材料活性层；使用硅干燥蚀刻微机械加工技术在谐振器晶片的活性层中机械加工单晶硅谐振器；且随后干燥剥离光致抗蚀剂材料。
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