公开(公告)号：CN102822949B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180017946.3

申请日：2011-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 远江一仁 ,  弗兰克·M·克里欧

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了一种用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包括：提供包含金属表面和介电层表面且其上具有残余物的平坦化的图案化衬底；从所述平坦化的图案化衬底上除去残余物；通过将所述介电层表面和所述金属表面暴露于包含含金属前驱体蒸气的沉积气体而将含金属覆盖层选择性沉积在所述金属表面上。所述除去包括：用含有疏水性官能团的反应剂气体处理含有残余物的所述平坦化的图案化衬底，并将所述经处理的平坦化的图案化衬底暴露于还原气体中。

公开(公告)号：CN102212315B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110041743.X

申请日：2011-02-18

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 平野达彦 ,  玉田修一 ,  梅田刚宏

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24C1/08 ,  C08G73/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/16 ,  C09G1/18 ,  C23F3/06 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。

公开(公告)号：CN102623327B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110211074.6

申请日：2011-07-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 邓武锋

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种化学机械研磨方法，包括如下步骤：提供形成有介质层的半导体衬底；对介质层进行第一次研磨，所述第一次研磨后在介质层表面产生有机物残留；用碱性试剂对介质层进行第二次研磨，去除介质层表面的有机物残留。本发明通过在现有化学机械研磨过程中，在完成对晶圆的主研磨工艺后以及后续工艺对所述晶圆进行清洗之前，通过使用碱性试剂来去除介质层表面上残留的有机物残渣，与现有技术相比，所述去除有机物残渣的效果更显著，从而提高最终产品的质量和性能。

公开(公告)号：CN104508072A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380018815.6

申请日：2013-02-15

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 刘俊 ,  杰弗里·A·巴尼斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  孙来生 ,  伊丽莎白·托马斯 ,  杰森·张

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3409 ,  C11D3/39 ,  C11D3/3942 ,  C11D7/06 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及从在其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的无胺组合物和方法。所述无胺组合物优选包含至少一种氧化剂、至少一种络合剂、至少一种碱性化合物和水，且具有在约2.5～约11.5范围内的pH。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不损害低-k介电材料或铜互连材料。

公开(公告)号：CN103958640A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201180075099.6

申请日：2011-10-21

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 杰弗里·A·巴尼斯 ,  刘俊 ,  张鹏

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/3454 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及从其上具有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子器件上清洁所述残留物和污染物的清洁组合物和方法。所述清洁组合物基本不含胺和含铵化合物如季铵碱。所述组合物实现了从所述微电子器件的表面高度有效地清洁所述CMP后残留物和污染材料，而不会损害低-k介电材料或铜互连材料。

公开(公告)号：CN103918063A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280045932.7

申请日：2012-09-26

Applicant: 恩特格里公司 ,  钦腾·帕特尔

Inventor： 钦腾·帕特尔

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67046 ,  H01L21/02074

Abstract: 一种用于清洁诸如用于基板的化学机械抛光后的基板的刷子，使用非对称结节或具有变化的空间、尺寸、特征以及密度的结节以提供改善的基板清洁。

公开(公告)号：CN103857780A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280050655.9

申请日：2012-08-21

Applicant: EKC技术公司

Inventor： 大竹敦 ,  P·R·贝尔纳特斯 ,  C·X·尚

IPC: C11D1/60 ,  C11D3/36

CPC classification number: C11D3/36 ,  C11D3/361 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 一种用于清洁后化学机械抛光的半导体晶片的半导体加工组合物和方法，其包含磷碱和任选的至少一种表面活性剂。

公开(公告)号：CN101180379B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200680017799.9

申请日：2006-03-24

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： D·H·卡斯蒂洛二世 ,  S·M·阿拉加基 ,  R·E·理查兹 ,  J·A·西迪奎

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光组合物，所述组合物包含：1)水；2)任选的磨料；3)氧化剂，优选过氧化物型氧化剂；4)少量可溶性金属离子氧化剂/抛光促进剂、与颗粒例如磨料颗粒结合的金属离子抛光促进剂或二者；和5)至少一种选自以下的物质：a)少量螯合剂、b)少量二羟基烯醇化合物和c)少量有机促进剂。小于800ppm，优选为约100ppm-500ppm的抗坏血酸为优选的二羟基烯醇化合物。所述抛光组合物及方法用于集成电路中的基本上所有的金属和金属化合物，但特别用于钨。本发明还涉及表面改性的胶态研磨抛光组合物以及使用这些组合物的相关方法，特别是用于化学机械平面化，其中所述浆料包含低含量的螯合自由基猝灭剂、非螯合自由基猝灭剂或二者。

公开(公告)号：CN103107126A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210379942.6

申请日：2009-05-14

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 朴滢淳 ,  郭鲁正 ,  廉胜振 ,  柳春根 ,  郑钟九 ,  金成准

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明公开了一种在半导体器件中形成铜布线和防止铜离子迁移的方法。所述方法包括：对已经进行了所述CMP工艺的所述铜层和所述层间电介质进行后清洗工艺，其中所述后清洗工艺包括使用烷基季铵盐的化学清洗。后清洗工艺完成之后，防止了铜离子随时间的迁移，由此改善了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102150242B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980135121.4

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。