公开(公告)号：CN1833310A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200480022689.2

申请日：2004-08-04

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 一种能够提供具有高产品质量的GaN外延层的半导体层。这种半导体层包含由β－Ga2O3单晶组成的β－Ga2O3衬底(1)、通过氮化β－Ga2O3衬底(1)表面形成的GaN层(2)和根据MOCVD技术在GaN层(2)上外延生长形成的GaN生长层(3)。GaN层(2)的晶格常数与GaN生长层(3)的晶格常数一致，并且GaN生长层(3)继承GaN层(2)的高结晶度而生长，从而获得具有高结晶度的GaN生长层(3)。