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公开(公告)号：CN104245883B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN105283526A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480013345.9
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体，其具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，激励光的峰值波长为450nm且温度为25℃时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4585x+0.7504的关系。
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公开(公告)号：CN108603113A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009385.X
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 猪股大介 , 新井祐辅 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
Abstract: 提供外部量子效率优异且高温条件下的发光特性优异的包括YAG系或LuAG系单晶的粒子状的荧光体及其制造方法、包含该荧光体的含荧光体构件以及具有该含荧光体构件的发光装置或投影仪。作为一实施方式，提供包括具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.001≤z≤0.004，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶，粒径(D50)为20μm以上的粒子状的荧光体。
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公开(公告)号：CN101257079B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β-Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538991A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810385637.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法，上述发光装置包含：光源，其发出发光峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；以及荧光体，其将从上述光源发出的上述蓝色系的光的一部分吸收而变换为黄色系的光，上述发光装置发出上述蓝色系的光与上述黄色系的光的合成光，上述发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法是调整上述合成光的CIE色度(x，y)的方法，其特征在于，上述荧光体具有用(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，通过调整上述a的值，得到与上述a的值对应的CIE色度(x，y)。
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公开(公告)号：CN107180906A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710400618.0
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体构件以及使用该荧光体构件的发光装置。作为一实施方式，提供一种平板状的荧光体构件，激励光的波长为460nm、温度从25℃上升到100℃时的荧光强度的降低不到3％，包括以YAG晶体为母晶体的多个颗粒状的单晶，所述YAG晶体具有用Y3‑x‑yGdxCeyAl5O12‑w表示的组分，其中，0.03≤x≤0.2，0.003≤y≤0.2，‑0.2≤w≤0.2。
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公开(公告)号：CN107154454A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710546650.X
申请日：2014-10-20
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B29/28 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 作为目的之一，提供即使在高温条件下也发挥优异特性的单晶荧光体以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供具有由组成式(Y1‑x‑y‑zLuxGdyCez)3+aAl5‑aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.0002≤z≤0.0067，‑0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶荧光体。
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公开(公告)号：CN105684170A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480042506.7
申请日：2014-08-08
Applicant: 株式会社光波 , 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供一种利用了远程荧光体的发光装置，该发光装置适于如投影仪这样的需要高亮度且大光量的照明器具，使用时发光强度的下降、发光色的变化小。作为一实施方式，提供发光装置(10)，该发光装置(10)具有：LED元件(12)；侧壁(13)，其包围LED元件(12)；荧光体层(15)，其通过粘合层(14)固定于侧壁(13)，位于LED元件(12)的上方；以及金属衬垫(11)，其作为散热部件。侧壁(13)具有：绝缘性的基体(13b)，其包围LED元件(12)；以及金属层(13a)，其形成于基体(13b)的LED元件(12)侧的侧面并与金属衬垫(11)和粘合层(14)接触。粘合层(14)是由含有粒子的树脂构成且粒子的导热率比树脂的导热率高的树脂层，或者是由焊料构成的层。
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公开(公告)号：CN104245883A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 独立行政法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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