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公开(公告)号：CN104245883B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201380020816.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 渡边诚 , 猪股大介 , 青木和夫 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C09K11/7774 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/28 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/12044 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。
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公开(公告)号：CN105283526A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480013345.9
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 提供发出以往没有的颜色的荧光的YAG系单晶荧光体以及具备该单晶荧光体的含荧光体构件和发光装置。作为一实施方式，提供一种单晶荧光体，其具有用组分式(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，激励光的峰值波长为450nm且温度为25℃时的发光光谱的CIE色度坐标x、y满足-0.4377x+0.7384≤y≤-0.4585x+0.7504的关系。
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公开(公告)号：CN1474466A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III－V族、II－VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN108603113A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009385.X
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社田村制作所 , 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Inventor： 猪股大介 , 新井祐辅 , 岛村清史 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
Abstract: 提供外部量子效率优异且高温条件下的发光特性优异的包括YAG系或LuAG系单晶的粒子状的荧光体及其制造方法、包含该荧光体的含荧光体构件以及具有该含荧光体构件的发光装置或投影仪。作为一实施方式，提供包括具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.001≤z≤0.004，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶，粒径(D50)为20μm以上的粒子状的荧光体。
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公开(公告)号：CN101257079B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810089385.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 青木和夫 , 恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉
CPC classification number: C30B25/20 , C30B25/02 , H01L21/02414 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β-Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β-Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1841800A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610067005.1
申请日：2006-03-31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃－550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
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公开(公告)号：CN101320780B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1-zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1-mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1-pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1-pN包覆层上。
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公开(公告)号：CN101320780A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810128878.8
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
CPC classification number: H01L33/42 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/16 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0025 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/06102 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明涉及一种发光元件，所述发光元件包括：Ga2O3基板；n型AlzGa1－zN包覆层，形成在所述Ga2O3基板的第一表面上，其中0≤z＜1；InmGa1－mN发光层，形成在所述n型AlGaN包覆层上，其中0≤m＜1；p型AlpGa1－pN包覆层，形成在所述InGaN发光层上，其中0≤p＜1，且p＞z；n电极，设置在所述Ga2O3基板的第二表面上；和p电极，设置在所述p型AlpGa1－pN包覆层上。
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公开(公告)号：CN100405618C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03138280.0
申请日：2003-05-30
Applicant: 株式会社光波
Inventor： 一之濑升 , 岛村清史 , 金子由基夫 , 恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉 , 青木和夫
Abstract: 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III-V族、II-VI族、或两者的薄膜。
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公开(公告)号：CN108538991A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810385637.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 株式会社光波 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: H01L33/50
Abstract: 一种发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法，上述发光装置包含：光源，其发出发光峰值波长为430～480nm的蓝色系的光；以及荧光体，其将从上述光源发出的上述蓝色系的光的一部分吸收而变换为黄色系的光，上述发光装置发出上述蓝色系的光与上述黄色系的光的合成光，上述发光装置的CIE色度(x，y)的调整方法是调整上述合成光的CIE色度(x，y)的方法，其特征在于，上述荧光体具有用(Y1-a-bLuaCeb)3+cAl5-cO12(0≤a≤0.9994，0.0002≤b≤0.0067，-0.016≤c≤0.315)表示的组分，通过调整上述a的值，得到与上述a的值对应的CIE色度(x，y)。
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