-
公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
-
公开(公告)号：CN108807140B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810366118.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116661242A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310160844.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用平坦化剂、有机膜形成用组成物、有机膜形成方法、及图案形成方法。本发明关于提供具有高程度平坦化特性的有机膜形成用组成物的有机膜形成用平坦化剂、含有此平坦化剂的有机膜形成用组成物、使用此组成物的有机膜形成方法、及图案形成方法。一种有机膜形成用平坦化剂，由以分子式表示的分子量为200～500的含芳香族的化合物构成，其特征为通过将该有机膜形成用平坦化剂掺合在复数粘度(complex viscosity)于175℃以上的温度范围为1.0Pa·s以上的含有有机膜形成用树脂及溶剂的组成物，以具有该组成物的复数粘度于175℃以上的温度范围成为未达1.0Pa·s的温度范围。
-
公开(公告)号：CN115586699A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。
-
公开(公告)号：CN109283789B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201810796676.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种成为具有高度的嵌入/平坦化特性、蚀刻耐性的有机膜形成用组合物的材料的树脂、该组合物、及使用该组合物的图案形成方法。所述有机膜形成用组合物含有：(I)树脂，其在重复单元的至少一部分包含下述通式(1)所示的、包含芳香环的环结构AR与同四个所述AR键合的螺结构SP交替重复的结构；以及(II)有机溶剂。[化学式1]
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113359390A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110240480.9
申请日：2021-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
-
公开(公告)号：CN111913352A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010379131.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其含有碳含量高而有热硬化性的聚合物，会展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性，并提供使用此有机膜形成用组成物的图案形成方法，及适合此有机膜形成用组成物的聚合物。有机膜形成用组成物包含具下列通式(1A)表示的部分结构的聚合物及有机溶剂。该聚合物，利用伴随位于芴环上的三苯甲基位的氢彼此的脱氢的偶联反应而交联。[化1]
-
公开(公告)号：CN111856882A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
-
公开(公告)号：CN111458980A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P-0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
-
公开(公告)号：CN111423587A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx-1)、(Sx-2)、及(Sx-3)表示的结构单元中的任一种以上。 ，式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.06 seconds)
