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公开(公告)号：CN114232083B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111584076.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供金属片，并清洗；S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率，使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得，从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料，有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。
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公开(公告)号：CN112626618B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011015571.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
Abstract: 提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
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公开(公告)号：CN116288683A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310097968.X
申请日：2023-02-03
Applicant: 自贡昆通新材料有限公司
Inventor： 罗炜
Abstract: 本申请提出一种高效沉积碳化硅单晶体的装置，包括气氛炉；由外到内设置的隔热装置、加热装置、容器；固定在所述容器内的碳源；设置在所述容器上方的晶种架；固定在所述晶种架底部的晶种；其中，所述隔热装置设置在所述气氛炉内；所述容器上部开口，用于盛装硅融熔液，所述容器的底部设有转轴，用于带动容器转动，所述转轴依次穿过所述隔热装置和所述气氛炉与转动电机连接；所述加热装置设置在所述容器的外侧，用于对容器内的硅融熔液加热；所述晶种架的上端连接第一驱动机构，用于控制晶种架上下移动。本发明的装置沉积碳化硅晶体的速度快，纯度高，且原材料易于获得和处理，可减少成本及提高效率。
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公开(公告)号：CN116230495A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211608890.5
申请日：2022-12-14
Applicant: 浙江大学温州研究院
Abstract: 本申请公开了在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法，包括步骤：首先，在平滑的云母衬底上构建高吸附区；然后，在该云母衬底表面气相外延生长半导体微米线阵列。本发明通过在云母表面构建高吸附区，使气相原子优先在该区域成核，垂直于高吸附区边界外延生长的平面内微米线具有更大的生长竞争优势，而其它方向外延生长的平面内微米线的生长前端易被截止从而停止生长，最终形成有序排列的一维微米线阵列结构。
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公开(公告)号：CN116200820A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310112635.X
申请日：2023-02-14
Applicant: 东北师范大学
Abstract: 本发明提供了非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，它是一种改良的CVD法，包含两种硫族元素的非金属硫族化合物代替硫族单质，作为非金属生长源；可以通过调整非金属生长源与金属生长源添加量的重量比，改变TMDs合金中两种硫族元素比值；WO3添加40mg，分别添加SeS2 55、38、26、15mg，获得了WS0.96Se0.04、WS0.65Se0.35、WS0.5Se0.5、WS0.27Se0.73TMDs四种合金单晶。可以制备化学成分可调的、层数均匀的二维TMDs合金的大尺寸单晶及大面积薄膜。为特定光谱响应的光电子器件、场效应晶体管、柔性电子器件等方面提供更多的选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114657635B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210280039.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/02 , C23G5/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/10 , C22F1/18 , C21D9/46 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜技术领域，涉及一种快速制备单晶石墨烯的方法。本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1)采用含氮气体等离子体处理金属箔；2)将等离子体处理后的金属箔置于反应炉中并通入惰性气体，然后升温至退火温度后进行退火处理；3)向反应炉中导入碳源和还原性气体，在生长温度下开始石墨烯单晶的生长，生长结束后即得所述单晶石墨烯。本发明利用氨气和/或氮气等含氮气体结合等离子体法处理金属箔，再用该处理后的金属箔用于生长单晶石墨烯，发现等离子体诱导活化的金属箔能够有效将单晶石墨烯成核位点数量最低降至0.4mm‑2，与此同时单晶石墨烯生长速率达到38.3μm/min生长速率。
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公开(公告)号：CN116145255A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310169116.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院 , 温州大学
Abstract: 本发明属于二维纳米材料相关技术领域，其公开了一种非层状卤化亚铜晶体材料及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：(1)在加热板的中部温区平铺一层载玻片以形成第一层载玻片，再在所述第一层载玻片上等间距的架设第二层载玻片；(2)将所述加热板的中部温区进行加热到预定温度并保温；(3)在载玻片的间隙处加卤化亚铜粉末，并将卤化亚铜粉末铺展开后立即将衬底倒扣在卤化亚铜粉末上，继续保温后直接取样，完成制备。该制备方法以卤化亚铜粉末为反应源，以加热板为反应场所，通过简单的气相沉积，即可实现二维超薄卤化亚铜单晶纳米片的高效制备。
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公开(公告)号：CN116121859A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310189310.1
申请日：2023-03-02
Applicant: 上海旦元新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及单晶纳米管的制备技术领域，尤其涉及一种单晶纳米管的制备方法与装置。其技术方案包括以下步骤：S1：准备一定量的碲化铋粉末放入陶瓷舟中；S2：打开管式炉，将陶瓷舟放置在管式炉的加热区；S3：在石墨纸上均匀涂上BiCl3乙醇溶液，自然晾干；S4：将步骤S3中涂有BiCl3乙醇溶液的石墨纸放入管式炉加热区下游处；S5：启动管式炉，调节炉内压强至5Pa，将炉内温度加热至800至900℃，通入氩气至管式炉中，至压强控制在200pa时进行气相反应；S6：反应结束，待管式炉内自然降温至室温后，取出石墨纸，收集石墨纸上沉淀物即为单晶纳米管。本发明的气相法制备出的单晶碲纳米管，产物结晶性好，纯度高，品质优越，对环境污染小。
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公开(公告)号：CN114540944B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210077252.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 天津理工大学
Abstract: 本发明一种垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法，将块状金属铌箔或钽箔精与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物；外尔半金属晶粒作为籽晶加入到第一混合物中，获得第二混合物；将第二混合物作为反应原料加入到石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管竖直放置于立式生长炉中，升温到450‑550℃后保温20‑40min；继续升温到1000‑1100℃后保温20‑40天；保温结束后缓慢冷却到450‑550℃后停止反应并冷却至室温。本发明采用了垂直生长工艺，晶体在底部生长时不需要大的传输路程，可以保持晶体生长的连续性；降低了石英管中的轴向和径向温度梯度，使反应过程更加稳定，从而有利于获得大尺寸的单晶。
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公开(公告)号：CN114086253B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111409587.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子级金刚石的制备方法，包括以下步骤：对金刚石籽晶进行微波等离子体刻蚀处理，得到刻蚀预处理籽晶；在所述刻蚀预处理籽晶的(100)面，微波等离子体辅助CVD生长单晶金刚石过渡层；在所述单晶金刚石过渡层表面微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石。本发明提供的方法采用分步生长的方式，首先生长出一定厚度的过渡层单晶金刚石，所述单晶金刚石过渡层能够将由于金刚石籽晶衬底的缺陷修正，然后再采用微波等离子体辅助CVD生长电子级金刚石，最终制备出杂质含量低于2ppm的电子级单晶金刚石材料。
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