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公开(公告)号：CN114381806B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111594856.2
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化铝晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底，并清洗；S2、于真空环境下，在衬底表面形成铝层；S3、将形成有铝层的衬底置于反应腔室中；S4、加热反应腔室至恒定温度，以使衬底上的金属处于熔融态；S5、向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到熔融态的金属表面，沿着熔融态的金属表面进行二维氮化铝晶体的生长。本发明可以实现二维氮化铝晶体在金属表面的生长，便于后续转移到不同衬底上组成不同的二维异质结，二维氮化铝晶体结晶性较好，为二维氮化物器件的制备奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN114232083B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111584076.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供金属片，并清洗；S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率，使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得，从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料，有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。
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公开(公告)号：CN116288276A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310285066.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。
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公开(公告)号：CN113897677B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111164390.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铟晶体的生长方法，其包括：将铟粒置于基片上，以形成待处理样品；将所述待处理样品置于等离子体真空设备中，并向所述等离子体真空设备中通入预定流量的氮气；在预定温度和预定时间内使由所述氮气被裂解电离形成的氮原子与液态的铟发生氮化反应，从而形成氮化铟晶体，其中，所述预定温度小于600℃。本发明还提供了一种由所述生长方法生长形成的氮化铟晶体。本发明能够实现在低温(不超过600℃，低于氮化铟的分解温度)下生长氮化铟晶体。此外，所生长出的氮化铟晶体具有高结晶性、高平整度、且具有明显原子台阶的特性。
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公开(公告)号：CN115652436A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211351439.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备二维硒化镓或二维硫化镓晶体；S2、将二维硒化镓或二维硫化镓晶体置于等离子体发生装置的真空腔室中，并通入氮源使二维硒化镓或二维硫化镓晶体发生氮化反应，用氮原子替换硒原子或硫原子，得到二维氮化镓晶体。本发明通过对二维硒化镓或二维硫化镓晶体进行氮化，用氮原子替换硒化镓中的硒原子或硫化镓中的硫原子，可以实现二维氮化镓的低温生长，且可以控制氮化镓的生长厚度，生长出来的氮化镓结晶性好且高度平整，为高性能器件的制备奠定了良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113897677A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111164390.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铟晶体的生长方法，其包括：将铟粒置于基片上，以形成待处理样品；将所述待处理样品置于等离子体真空设备中，并向所述等离子体真空设备中通入预定流量的氮气；在预定温度和预定时间内使由所述氮气被裂解电离形成的氮原子与液态的铟发生氮化反应，从而形成氮化铟晶体，其中，所述预定温度小于600℃。本发明还提供了一种由所述生长方法生长形成的氮化铟晶体。本发明能够实现在低温(不超过600℃，低于氮化铟的分解温度)下生长氮化铟晶体。此外，所生长出的氮化铟晶体具有高结晶性、高平整度、且具有明显原子台阶的特性。
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公开(公告)号：CN112626622A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011493956.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。
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公开(公告)号：CN111366540B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010238050.9
申请日：2020-03-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料纳米尺度各向异性吸收系数的测量装置及测量方法，测量方法包括：关闭狭缝，利用扫描开尔文探针显微镜测试无光条件下导电针尖上的接触电势差NLCPD；开启狭缝，利用扫描开尔文探针显微镜测试在当前发光波长下的导电针尖上的接触电势差LCPD；多次改变发光的波长值，分别测量对应的NLCPD和LCPD，得出无光条件下接触电势差随波长变化的关系曲线NLCPD(λ)和加光条件下接触电势差随波长变化的曲线LCPD(λ)；根据DCPD(λ)＝LCPD(λ)‑NLCPD(λ)得到差值随波长变化的曲线DCPD(λ)；计算当前偏振角度激发光的吸收系数α；改变激发光的偏振角度，计算对应偏振角度下的吸收系数，即得各向异性吸收系数。本发明使测量吸收系数的空间分辨率大大提高，实现了纳米尺度光吸收系数各向异性的测量。
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公开(公告)号：CN108802433B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810215118.4
申请日：2018-03-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明提供一种基于声表面波的原子力显微镜探针、制备方法及表征方法，原子力显微镜探针包括压电基底；信号发生器用于产生激励信号；输入输出换能器设置在压电基底上，输入输出换能器接收激励信号，并将激励信号转换为声表面波信号；反射器设置在压电基底上，并与输入输出换能器相对设置，反射器反射输入输出换能器输出的声表面波信号，输入输出换能器与反射器形成声表面波传播路径，输入输出换能器接收反射器反射的声表面波信号，并转换为电磁信号；针尖设置在压电基底上，并位于声表面波传播路径上，声表面波带动所述针尖震动；信号收集器收集所述电磁信号。优点是，在不引入激光检测针尖振动信号前提下，可实现对材料表面形貌高空间分辨测量。
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公开(公告)号：CN119943826A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510102341.8
申请日：2025-01-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种GaN异质结的无损表征方法，所述无损表征方法包括以下步骤：通过离子束刻蚀工艺对GaN异质结进行刻蚀，所述GaN异质结包括基层和层叠于基层上方的GaN层，依次对GaN层和基层进行刻蚀，暴露出GaN异质结中的原子层；对GaN异质结进行退火；对GaN异质结中的原子层进行原位表征。本发明利用离子束刻蚀工艺和退火工艺对GaN异质结进行处理，制备原位表征样品，实现了在不对GaN异质结造成损伤的情况下，对GaN异质结中的原子层进行原位表征。
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