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公开(公告)号：CN118422163A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583633.3
申请日：2024-05-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备单原子层氮化物的方法，包括：提供金属单晶为衬底；选择金属有机物作为蒸发源，使其吸附于所述金属单晶的表面；将所述衬底升温至350℃‑450℃，所述衬底表面的金属有机物分解并发生表面在位化学反应，生成单原子层氮化物。本发明的制备单原子层氮化物的方法，其能够实现单原子层氮化物的可控生长，生长出的单层子层氮化物晶体结晶性好且高度平整，为高集成化的氮化物器件制备奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN116555724A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310535984.2
申请日：2023-05-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备单原子层氮化物的方法，包括：提供金属单晶为衬底；选择金属有机物作为蒸发源，使其吸附于所述金属单晶的表面；将所述衬底升温至350℃‑450℃，所述衬底表面的金属有机物分解并发生表面在位化学反应，生成单原子层氮化物。本发明的制备单原子层氮化物的方法，其能够实现单原子层氮化物的可控生长，生长出的单层子层氮化物晶体结晶性好且高度平整，为高集成化的氮化镓器件制备奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN116288276B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310285066.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。
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公开(公告)号：CN116445890A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310414724.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种STM诱导单原子层氮化物生长的方法，包括：选择至少两种含有Ⅲ族金属的有机分子前体，通过STM的针尖向其注入电子束，使所述有机分子前体发生断键以获取有机分子前体内的所需基团；通过STM的针尖施加电压，引导所述有机分子前体内所需的基团进行聚合，生成单原子层氮化物。本发明的STM诱导单原子层氮化物生长的方法，其能够利用探针尖端精确操纵原子或者分子，诱导含有Ⅲ族金属的分子进行耦合重组，实现单层氮化物生长。
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公开(公告)号：CN114232083A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111584076.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供金属片，并清洗；S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率，使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得，从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料，有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114381806B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111594856.2
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化铝晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供衬底，并清洗；S2、于真空环境下，在衬底表面形成铝层；S3、将形成有铝层的衬底置于反应腔室中；S4、加热反应腔室至恒定温度，以使衬底上的金属处于熔融态；S5、向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到熔融态的金属表面，沿着熔融态的金属表面进行二维氮化铝晶体的生长。本发明可以实现二维氮化铝晶体在金属表面的生长，便于后续转移到不同衬底上组成不同的二维异质结，二维氮化铝晶体结晶性较好，为二维氮化物器件的制备奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN114232083B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111584076.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供金属片，并清洗；S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率，使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得，从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料，有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。
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公开(公告)号：CN116288276A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310285066.9
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。
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公开(公告)号：CN113897677B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111164390.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供了一种氮化铟晶体的生长方法，其包括：将铟粒置于基片上，以形成待处理样品；将所述待处理样品置于等离子体真空设备中，并向所述等离子体真空设备中通入预定流量的氮气；在预定温度和预定时间内使由所述氮气被裂解电离形成的氮原子与液态的铟发生氮化反应，从而形成氮化铟晶体，其中，所述预定温度小于600℃。本发明还提供了一种由所述生长方法生长形成的氮化铟晶体。本发明能够实现在低温(不超过600℃，低于氮化铟的分解温度)下生长氮化铟晶体。此外，所生长出的氮化铟晶体具有高结晶性、高平整度、且具有明显原子台阶的特性。
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公开(公告)号：CN115652436A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211351439.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备二维硒化镓或二维硫化镓晶体；S2、将二维硒化镓或二维硫化镓晶体置于等离子体发生装置的真空腔室中，并通入氮源使二维硒化镓或二维硫化镓晶体发生氮化反应，用氮原子替换硒原子或硫原子，得到二维氮化镓晶体。本发明通过对二维硒化镓或二维硫化镓晶体进行氮化，用氮原子替换硒化镓中的硒原子或硫化镓中的硫原子，可以实现二维氮化镓的低温生长，且可以控制氮化镓的生长厚度，生长出来的氮化镓结晶性好且高度平整，为高性能器件的制备奠定了良好的基础。
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