光刻装置及光刻方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117406554A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202310893998.1

    申请日:2023-07-20

    Abstract: 本发明提供了一种光刻装置,其包括:光源;控制系统,所述控制系统包括控制单元,所述控制单元用于控制所述光源出射光线;原子力显微镜,所述原子力显微镜包括探针组件,所述探针组件包括具有通孔的探针,所述通孔用于将所述光源出射的光线聚集到被光刻样品上。本发明还提供了一种光刻方法。本发明使用镂空探针(即具有通孔的探针)对柔性衬底实现很好的光能量控制和曝光时间,避免掩膜的使用,提高器件设计的自由度。

    半导体材料纳米尺度各向异性吸收系数的测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111366540B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202010238050.9

    申请日:2020-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种半导体材料纳米尺度各向异性吸收系数的测量装置及测量方法,测量方法包括:关闭狭缝,利用扫描开尔文探针显微镜测试无光条件下导电针尖上的接触电势差NLCPD;开启狭缝,利用扫描开尔文探针显微镜测试在当前发光波长下的导电针尖上的接触电势差LCPD;多次改变发光的波长值,分别测量对应的NLCPD和LCPD,得出无光条件下接触电势差随波长变化的关系曲线NLCPD(λ)和加光条件下接触电势差随波长变化的曲线LCPD(λ);根据DCPD(λ)=LCPD(λ)‑NLCPD(λ)得到差值随波长变化的曲线DCPD(λ);计算当前偏振角度激发光的吸收系数α;改变激发光的偏振角度,计算对应偏振角度下的吸收系数,即得各向异性吸收系数。本发明使测量吸收系数的空间分辨率大大提高,实现了纳米尺度光吸收系数各向异性的测量。

    基于声表面波的原子力显微镜探针、制备方法及表征方法

    公开(公告)号:CN108802433B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201810215118.4

    申请日:2018-03-15

    Abstract: 本发明提供一种基于声表面波的原子力显微镜探针、制备方法及表征方法,原子力显微镜探针包括压电基底;信号发生器用于产生激励信号;输入输出换能器设置在压电基底上,输入输出换能器接收激励信号,并将激励信号转换为声表面波信号;反射器设置在压电基底上,并与输入输出换能器相对设置,反射器反射输入输出换能器输出的声表面波信号,输入输出换能器与反射器形成声表面波传播路径,输入输出换能器接收反射器反射的声表面波信号,并转换为电磁信号;针尖设置在压电基底上,并位于声表面波传播路径上,声表面波带动所述针尖震动;信号收集器收集所述电磁信号。优点是,在不引入激光检测针尖振动信号前提下,可实现对材料表面形貌高空间分辨测量。

    原子力显微镜悬臂探针及其制作方法

    公开(公告)号:CN116519979A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310587119.2

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 本发明公开了一种原子力显微镜悬臂探针及其制作方法,原子力显微镜悬臂探针包括:探针悬臂,探针针尖以及温敏结构。所述探针悬臂上形成有压敏结构;所述探针针尖形成于所述探针悬臂的一端;所述温敏结构形成于所述探针针尖上且延伸至所述探针悬臂上。本发明的原子力显微镜悬臂探针,是一种应用于原子力显微镜的、具备热学测量功能的新型自传感悬臂探针,在原子力显微镜技术上,利用压阻悬臂探针或压容悬臂探针结合热敏电阻或热电偶结构来研究纳米尺度温度分布。

    二维氮化镓晶体的制备方法

    公开(公告)号:CN114232083A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111584076.X

    申请日:2021-12-22

    Abstract: 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法,所述制备方法包括:S1、提供金属片,并清洗;S2、加热融化镓金属,将熔融态的金属镓转移至金属片上;S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中,并对反应腔室进行抽真空;S4、加热反应腔室至恒定温度后,向反应腔室中通入氮源,使氮原子传输到金属镓表面,进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率,使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得,从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料,有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。

    用于扫描隧道显微镜中移动样品的装置和方法

    公开(公告)号:CN113252945A

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202110540568.2

    申请日:2021-05-18

    Abstract: 提供了一种用于扫描隧道显微镜中移动样品的装置,其包括拨叉以及方向移动器,所述拨叉的末端部安装在所述方向移动器上,所述拨叉的前端部具有通孔,并且所述前端部具有连通所述通孔的缺口,所述方向移动器用于在三维方向上对所述拨叉进行移动。还提供了一种用于扫描隧道显微镜中移动样品的方法。本发明在扫描隧道显微镜对样品进行扫描的过程中,缺口可以穿过探针而使探针处于通孔范围内,这样拨叉可以在不触碰探针的情况下将样品精确地移动到目标位置,从而实现对样品的定位下针,即能够扫描样品的特定位置,进而能针对表面不均一、性质各异的样品进行扫描。

    表面粗糙化方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116581220A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310328502.6

    申请日:2023-03-30

    Abstract: 本发明公开了一种表面粗糙化方法。表面粗糙化方法包括:制备得到MicroLED器件,其中MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角;将MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中,经过预定时长后在p型氮化镓层的外表面形成粗糙化结构。通过在制备MicroLED器件过程中在p型氮化镓层的外表面形成斜切角度,一方面通过形成斜切角度可以使表面容易形成粗糙化结构,降低了制备工艺的难度和复杂度,另一方面通过调整斜切角度的大小,可控制表面粗糙化的程度。

    半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法

    公开(公告)号:CN114414969A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111387342.X

    申请日:2021-11-22

    Abstract: 提供了一种半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法。该测量装置包括:光源组件,用于产生单色光和脉冲光;样品台,用于承载半导体样品或石墨样品;导电针尖,用于逼近承载于样品台上的半导体样品的表面目标区域或石墨样品,且与半导体样品或石墨样品间隔设置;及扫描开尔文探针显微镜,连接导电针尖,且用于在无光和加单色光时分别获取逼近表面目标区域的导电针尖上的第一接触电势差和第二接触电势差,且用于获取逼近石墨样品的导电针尖上的第三接触电势差;光谱探测器,用于在加脉冲光时获取表面目标区域的少数载流子的寿命;计算装置,用于根据第一接触电势差、第二接触电势差、第三电势差以及少数载流子的寿命计算出所述扩散系数。

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