公开(公告)号：CN117374168B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311669456.2

申请日：2023-12-07

Applicant: 无锡华晟光伏科技有限公司 ,  安徽华晟新能源科技有限公司

Inventor： 孙鹏 ,  张良 ,  张景 ,  杜文朝

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供异质结太阳能电池及其制备方法，包括：对半导体衬底进行制绒得到绒面结构，绒面结构具有待抛光区和位于待抛光区侧部的绒面区；对半导体衬底进行吸杂，形成位于绒面结构表面的磷硅玻璃层；对磷硅玻璃层进行图案化处理，形成贯穿磷硅玻璃层的孔型区域，待抛光区暴露在孔型区域中；对待抛光区进行抛光得到抛光区，绒面结构形成抛光绒面复合结构；去除位于绒面区的磷硅玻璃层；在抛光绒面复合结构的表面依次沉积去复合载流子传输层、透明导电层和栅线，栅线在半导体衬底表面的正投影与抛光区重合，提高了栅线与透明导电层的接触效果，降低了异质结太阳能电池的接触电阻，从而提高了异质结太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN117476451A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210843271.8

申请日：2022-07-18

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 于业笑 ,  刘忠明

IPC: H01L21/308 ,  H10B12/00

Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，该半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成堆栈层，堆栈层中设置有间隔排布的多个有源线，在堆栈层中形成多个转移柱体；在转移柱体的外部形成间隔结构，并形成刻蚀孔；沿刻蚀孔刻蚀第二复合掩膜层和初始半导体层的有源线，以形成多个分立的有源区掩膜；沿有源区掩膜刻蚀衬底，以形成多个分立的有源区。本申请能够有效降低有源区的制备难度，提高有源区的LCDU，提升半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN117461111A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280033028.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安东·德维利耶

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/36 ,  G03F7/30 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法，包括在衬底上形成多层光刻胶堆叠体。多层光刻胶堆叠体包括通过气相沉积而沉积的干式光刻胶层，该干式光刻胶层位于通过旋涂沉积而沉积的湿式光刻胶层之上。通过曝光于第一波长的第一光化辐射图案并使用第一显影工艺对湿式光刻胶层的可显影部分进行显影，在该湿式光刻胶层中形成第一起伏图案。第一起伏图案使干式光刻胶层的部分露出。通过曝光于第二波长的第二光化辐射图案并使用第二显影工艺对干式光刻胶层的可显影部分进行显影，在该干式光刻胶层中形成第二起伏图案。干式光刻胶层的可显影部分由第二光化辐射图案和第一起伏图案限定。

公开(公告)号：CN117438298A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311406712.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 周燕萍 ,  王鹤鸣 ,  左超 ,  杨秉君 ,  上村隆一郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提供了一种U型沟槽碳化硅及其刻蚀方法与应用，所述刻蚀方法包括如下步骤：干法刻蚀设置有图形化掩膜的碳化硅衬底，完成U型沟槽的刻蚀；所述干法刻蚀所用工艺气体包括氧化气体、氟基刻蚀气体与SiF4。本发明提供的刻蚀方法，通过在干法刻蚀过程中添加SiF4，能够显著提高刻蚀的选择比，使制备的U型凹槽结构更为显著；而且，U型沟槽侧壁的垂直度高，有利于提高SiC器件的性能以及使用寿命。

公开(公告)号：CN117374169A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311675825.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 浙江晶科能源有限公司

Inventor： 冯修 ,  徐孟雷 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，方法包括：提供基底，基底第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域和第二区域；在第一区域形成第一掺杂层，在第二区域形成与第一掺杂层导电类型不同的初始第二掺杂层，在第一掺杂层表面形成掩膜层，初始第二掺杂层包括：沿预设方向排布的第一部与第二部，第一部与第一掺杂层邻接；对第二部进行激光改性处理，以形成第二掺杂层；对第一部和第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除第一部，刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率；去除掩膜层。本申请实施例有利于在简化背接触太阳能电池的制备工艺的同时，保持其较好的光电转换性能。

公开(公告)号：CN117352383A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311658648.3

申请日：2023-12-06

Applicant: 合肥晶合集成电路股份有限公司

Inventor： 张也 ,  林成芝

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺，以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀氧化硅层和氧化铝层，以形成贯穿氧化硅层和氧化铝层的开口，且开口的侧壁具有若干凸起，且在形成开口时同步刻蚀去除图形化的光刻胶层；执行第一修复工艺去除开口的侧壁的凸起以使开口的侧壁平滑；执行第二刻蚀工艺，以氧化硅层和氧化铝层为掩模沿开口向下刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽，且在形成沟槽时同步刻蚀去除氧化硅层；执行第二修复工艺以使沟槽的侧壁垂直；以及，去除氧化铝层。本发明提高了沟槽的侧壁垂直度，利于获取特征尺寸较精准的沟槽。

公开(公告)号：CN117316763A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311175038.8

申请日：2023-09-12

Applicant: 湖北江城实验室

Inventor： 夏凯睿 ,  谢冬 ,  汪松 ,  任小宁

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的侧壁和上表面，第二图案化掩膜层上形成有开口，开口暴露第一沟槽的部分底面；以第二图案化掩膜层为掩膜，从开口刻蚀衬底，以在第一沟槽的下方形成第二沟槽。

公开(公告)号：CN117293018A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311074164.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  Y·杨 ,  陈一宏 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/033

Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。

公开(公告)号：CN117219505A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311299206.4

申请日：2023-10-08

Applicant: 合肥安芯睿创半导体有限公司

Inventor： 李培刚 ,  田然 ,  储童 ,  刘学

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基于SiC衬底的斜槽刻蚀方法，涉及半导体技术领域，本发明通过双侧刻蚀的方法，每侧的角度均能够根据需求调整，从而刻蚀出梯形的沟槽，通过可控角度的刻蚀得到不同角度的斜槽，以适应不同器件对深槽边缘的实际需求，通过这些不同角度的斜槽可以有助于各类SiC器件的开发和制备，同时一定角度的斜槽可以增大器件的反向耐压和正向导通电流，降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN111370309B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201811605461.6

申请日：2018-12-26

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 王楠

IPC: H01L21/308

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个分立的第一掩膜图形；在第一掩膜图形侧壁上形成牺牲侧墙；在牺牲侧墙的侧壁上形成第二掩膜图形；第一掩膜图形、牺牲侧墙以及第二掩膜图形的宽度相等，第一掩膜图形以及位于同一第一掩膜图形侧壁上的牺牲侧墙和第二掩膜图形构成图形单元，位于相邻图形单元中的第二掩膜图形的间距为第一掩膜图形宽度的整数倍；去除牺牲侧墙；以第一掩膜图形和第二掩膜图形为掩膜刻蚀衬底，形成多个分立的鳍部。以第一掩膜图形和第二掩膜图形为掩膜刻蚀衬底，可以通过更改衬底上相对应的相邻图形单元间的间距来调整后续形成的鳍部间的间距，进而进一步改善半导体结构的性能性。