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公开(公告)号：CN119673877A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410174090.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 庄司骏辅
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部，具备第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；表面构造部，设置于所述第一主面，包含第一电极；第二电极，设置于所述第二主面；第一保护树脂膜，覆盖所述表面构造部的上表面；以及第二保护树脂膜，与所述第一保护树脂膜连接，覆盖所述表面构造部的侧面。
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公开(公告)号：CN119673787A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411812016.2
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京芯力技术创新中心有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件，该方法包括：步骤S1，将晶圆以具有电路图形结构的一面朝下设置在贴合装置中；步骤S2，利用晶片吸取装置从上往下地吸附着晶片的上表面，将所述晶片以具有电路图形结构的一面朝上地放置到所述贴合装置中；步骤S3，以由下到上的方向作为晶片到晶圆键合方向而进行键合，完成晶圆上芯粒的堆叠。利用本发明，避免了加工工程中的中间工艺(例如芯片的切割、拾取、翻转等工艺)引入的颗粒污染，从而大量避免了引发键合的强度降低以及键合电性失效的技术问题。
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公开(公告)号：CN119673784A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411660820.3
申请日：2024-11-20
Applicant: 济南科盛电子有限公司
Inventor： 吕明
Abstract: 本发明涉及GPP生产技术领域，尤其是涉及一种高效的GPP芯片玻璃钝化层制备工艺。包括制作双沟槽基底，提供PN结的硅片作为基底，所述硅片包括双沟槽以及位于双沟槽四周的金属膜台面；制备玻璃浆料和印刷膜，所述印刷膜包括印刷图案的通透部分，所述通透部分包括与金属膜台面四周对应的区域；对版并涂覆玻璃浆料，将印刷膜与硅片进行对版，在印刷膜上倒入玻璃浆料，用刮刀沿台面的对角线方向将玻璃浆料均匀刮入硅片的沟槽内，得到涂覆有玻璃浆料的硅片；烘干固化与烧结，将涂覆有玻璃浆料的硅片放入高温链式炉内进行烘干，烘干后进行升温烧结。本发明利用低成本的刮涂法，解决了PN结尖角保护以及切割不损坏钝化玻璃的问题。
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公开(公告)号：CN119170592B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411676909.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 瑞能微恩半导体(上海)有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，公开了一种集成半导体器件及封装方法，集成半导体器件包括半桥模块，包括相互连接且沿第一方向间隔的两个桥臂结构，桥臂结构均包括基板、冷却结构及多个半导体芯片，多个半导体芯片设于基板的第一表面，冷却结构覆盖于基板的第二表面；封装结构，连接于两个桥臂结构之间并覆盖于第一表面；连接端子，两个桥臂结构之间通过连接端子导电连接，且连接端子由封装结构一侧延伸而出与外部电路导电连接；第一表面和第二表面分别位于基板在第一方向的两侧，两个基板的第一表面相靠近地设置，两个基板的第二表面相远离地设置。本申请的集成半导体器件及封装方法，能够提升集成半导体器件的整体散热面积，并提高整体功率密度。
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公开(公告)号：CN114429938B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202111583695.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种三维集成嵌入式微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。对基板进行刻蚀填孔形成TSV铜柱并减薄制成硅基衬底；在硅基衬底上刻蚀出微流道槽和进出口通道盲孔；将微流道盖板与硅基衬底进行硅硅键合；把TSV转接芯片倒装焊接至硅基衬底上，将异构芯片与微流道盖板键合；用底填胶将TSV转接芯片的倒装焊处凸点间的缝隙填实；将倒装的TSV转接芯片和异构芯片进行灌封固化重构形成树脂晶圆片；减薄漏出TSV转接芯片的铜柱和异构芯片的凸点；在树脂晶圆片上形成多层互联再布线；对硅基衬底进行减薄；将异构芯片固定在芯片槽内，依次实现的RDL和UBM多层互联金属再布线；在UBM处植上焊球，再对三维集成硅基圆片进行划片形成最终的封装体。
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公开(公告)号：CN119654223A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380058240.4
申请日：2023-07-27
Applicant: 东和株式会社
Abstract: 本发明通过简单的结构来消除因纵向的树脂料片通过而产生的堵塞等不良情况。本发明包括：树脂送出部81，通过振动将树脂料片T送出；树脂通路部821，供由送出部81送出的树脂料片T通过；以及树脂搬出部822，将在树脂通路部821移动的树脂料片T搬出，树脂通路部821具有：引导槽111，与横向的树脂料片T的外侧周面接触，且将横向的树脂料片T以使其朝树脂搬出部822侧通过的方式引导；以及倾斜接触面121，相对于朝树脂搬出部822侧通过的通过方向X而倾斜地形成，且能够与纵向的树脂料片T的外侧周面接触。
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公开(公告)号：CN119650547A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411812000.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 成都奕成集成电路有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 本申请提供一种芯片封装结构及芯片封装结构的制备方法。芯片封装结构包括玻璃芯板单元，位于玻璃芯板单元相对两侧的第一互联单元和第二互联单元，其中，第一互联单元中的导线和第二互联单元中的导线通过玻璃芯板单元连接。位于第一互联单元远离玻璃芯板单元一侧的芯片单元，芯片单元包括至少一种芯片，芯片包括相对的引脚侧和背部侧，芯片的引脚侧朝向第一互联单元设置并与第一互联单元电连接。封装单元至少位于芯片的四周、玻璃芯板单元的侧壁、第一互联单元的侧壁和第二互联单元的侧壁。如此，通过上述结构，实现对玻璃芯板单元的封装，提高了芯片封装结构的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119650524A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411747682.2
申请日：2024-12-02
Applicant: 南通尚阳通集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及功半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及塑封方法。该功率半导体器件包括芯片、导电片以及塑封体。芯片的正面具有源极和栅极；导电片通过焊接层固定在芯片正面，导电片包括与源极连接的源极导电片以及与栅极连接的栅极导电片，源极导电片包括位于芯片之上的源极导电片芯片端以及延伸至芯片之外的源极导电片引脚端，源极导电片芯片端的厚度、焊接层的厚度、芯片的厚度三者之和等于源极导电片引脚端的厚度，栅极导电片包括栅极导电片芯片端以及远离芯片的栅极导电片引脚端。本申请提供的功率半导体器件及塑封方法，能够简化塑封流程，提升塑封效率，减少塑封条件限制，提高产品竞争优势。
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公开(公告)号：CN113711369B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202080027772.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 周星工程股份有限公司
Abstract: 本发明关于一种太阳能电池制造方法，其包含安装工艺、涂布工艺及划线工艺。安装工艺用于将供多个薄膜层形成的电池安装到制造太阳能电池的处理空间中。涂布工艺将导体材料涂布在电池上。划线工艺将激光朝电池发射以形成电池分割部，用于将电池分割成多个单元电池。
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