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公开(公告)号：CN109279873B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201811390845.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 郑州大学
IPC: C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开的氧化铟锡靶材的超低温制备方法，将氧化铟粉体、氧化锡粉体球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到粉料；粉料在模具中成形得到氧化铟锡靶材素坯，在模具中同时加压、升温；空气气氛中，在升高的温度、升高的压力下保持设定时间，降温至室温，得到了烧结密度高、晶粒度均匀的氧化铟锡靶材，制备温度低至450℃，晶粒尺寸在1.0μm以下，相对密度可达99.2％，制备时间短，不采用高浓度氧气气氛，制备过程安全，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN112723875A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110146360.2
申请日：2021-02-03
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法，其原料按照质量百分比，由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成，其组分比例为氧化镓2~10%，氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵，聚乙烯醇及纯水，混合浆料经球磨后造粒干燥，得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型，之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能，显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度，同时通过制备工艺的有效控制，获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
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公开(公告)号：CN109468604B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910026546.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种高透射率IGZO薄膜的制备方法，该方法包括：基片处理步骤、预溅射步骤和镀膜步骤。本方法有效地提高了IGZO薄膜的透射率，无需对衬底进行加热或对IGZO透明导电薄膜进行后期热处理，避免了高温热处理过程对沉积IGZO透明导电薄膜的不耐高温的衬底的不利影响，制得的薄膜颗粒尺寸适宜、薄膜连续且均匀，薄膜表面平整、光滑，无孔洞等表面缺陷。降低了生产成本，简化了生产工艺，扩大了IGZO透明导电薄膜的推广领域和范围，具有巨大的工业价值。
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公开(公告)号：CN108046767A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711292917.3
申请日：2017-12-08
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/622 , B28B1/26 , B28B7/18
Abstract: 本发明公开了一种制备氧化物陶瓷靶材坯体的方法，利用真空球磨过程得到氧化物浆料，然后注浆成型，并进行烧结过程，在烧结过程之前还可以进行氧化物靶材坯体的干燥过程；真空球磨过程的真空度在10Pa以下，球磨时间在48‑72小时之间，利用该方法制备的氧化物陶瓷靶材坯体尺寸大，工艺简单，可以制得圆筒形、平板形等不同形状的高密度氧化物靶材坯体。
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公开(公告)号：CN119320271A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411454631.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622 , C23C14/34 , H01B12/00
Abstract: 本发明提供了一种ErBCO超导靶材的制备方法，属于氧化物靶材料技术领域，本发明采用先将硝酸铒、硝酸钡、硝酸铜、高纯水、分散剂和粘结剂依次混合后，经分段球磨、喷雾造粒，得到混合粉体，随后将混合粉体依次经煅烧、冷烧结、烘干处理的方法制备ErBCO超导靶材，利用冷烧结工艺实现了在提高靶材致密度等性能的同时，降低成本的效果，具有显著降低陶瓷烧结温度和缩短烧结时间的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119220849A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411328328.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超薄透明膜的导电银合金及其导电银合金溅射靶材。所述导电银合金中含有摩尔百分比为2～15％的促进银薄膜形核元素，余量为Ag和不可避免的杂质；所述促进银薄膜形核元素为Mg、Al、Cu、Zn、Sn和Mn中的任一种。本发明导电银合金溅射靶材是将所述导电银合金经熔炼、浇注、轧制、机加工和磁控溅射沉积制备而成。本发明技术方案通过促进银薄膜形核元素Mg、Al、Cu、Zn、Sn或Mn对银进行合金化，在小于10nm厚度的条件下显著提升银薄膜的导电性能和可见光透过率。
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公开(公告)号：CN118955093A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411038508.0
申请日：2024-07-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种低电阻率铟镓锡氧化物(IGTO)溅射靶材的制备方法，属于光电器件材料技术领域。本发明是将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锡粉末按一定的铟镓锡原子比(70:15:15，70:10:20，70:20:10)加入到球磨罐中，并加入去离子水、分散剂和粘结剂，采用高能球磨技术制得高固含量低粘度的IGTO浆料；采用压力注浆成形技术或者造粒‑模压‑冷等静压成型技术制得高密度微观组织均匀的IGTO靶材素坯；采用无压脱脂烧结一体化技术制得高密度低电阻率晶粒细小的IGTO靶材烧结体。实施例得实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的铟镓锡氧化物溅射靶材的相对密度为98.2～99.8％。
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公开(公告)号：CN118771879A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411036295.8
申请日：2024-07-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/457 , C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明实施例公开了具有高迁移率的氧化铟锡锌靶材及其制备方法；方法包括对利用In2O3粉体、ZnO粉体、SnO2粉体以及掺杂金属氧化物粉体制备的球形造粒进行两步振荡压力烧结处理的步骤，具体包括：球形造粒粉在模具中在第一压力下预压；将预压的球形造粒粉加热至第一温度；在温度到达第一温度之前将施加到模具上的第一压力线性增加至第二压力；在第一温度、第二压力下执行第一次保温；在第一次保温阶段叠加频率为1～2Hz、振幅为5～10MPa的振荡压力；维持第二压力降温至第二温度；在第二温度、第二压力下执行第二次保温，施加与第一次保温阶段同样大小和频率的振荡压力；第二次保温阶段结束后，停止加热，去除外加振荡压力，降温至1000℃；然后随炉冷却至室温。
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公开(公告)号：CN116573663B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310624773.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 郑州大学
IPC: C01F17/294 , C01F17/10
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂硫氧化钆粉体的制备方法。将氨基磺酸加入去离子水中，搅拌至澄清，得到NH2SO3H溶液；然后将氧化钆、氧化镨和氧化铈加入所得NH2SO3H溶液中搅拌均匀，得到混合溶液；混合溶液转移至水浴锅中，持续搅拌升温，并调节pH值进行沉淀反应，反应后得到沉淀混合物；将沉淀混合物依次进行离心分离、洗涤和烘干，得到前驱体粉末；所得前驱体粉末进行煅烧，煅烧后得到Gd2O2S:Pr,Ce粉体。利用本发明制备稀土掺杂Gd2O2S粉体，能够解决现有沉淀法存在的原料成本高、分体易团聚、存在安全隐患的技术问题。
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公开(公告)号：CN117926194A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410090130.2
申请日：2024-01-22
Applicant: 郑州大学
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/453 , C04B35/63
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法，涉及氧化物靶材技术领域；其成分包括：稀土氧化物、氧化铟和氧化锌；其中，该靶材的R、In和Zn的原子比例满足以下关系：RxIn24‑xZn36O72(R＝Pr、Nd、Tb，x＝1、2、3、4、5、6)。本发明选择IZO(In2ZnkOk+3)中本征导电率最好的In2Zn3O6为靶材主体材料，通过掺杂微量稀土元素后不会明显降低主体材料原来导电率，同时提高了作为TFT使用的稳定性。由于使用了大量氧化锌代替了氧化铟的使用量，本发明提供的稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法具有高性能和原料成本低的特点。
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