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公开(公告)号：CN101863667A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910246239.6
申请日：2002-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/622
CPC classification number: C04B35/457 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/4521 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3463 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。
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公开(公告)号：CN100511744C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510134075.X
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/0542 , B41J2/14233 , H01L27/20 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H03H9/02574 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/176
Abstract: 一种压电元件(10)，包含：基板(1)；在基板(1)上方形成的第1导电层(4)；在第1导电层(4)上方形成的由具有钙钛矿型化合物结构的压电体构成的压电体层(5)；以及电连接在压电体层(5)上的第2导电层(6)，第1导电层(4)包含1层以上的由在(001)优先取向的镧系层状钙钛矿型化合物构成的缓冲层(41)。由此，本发明能够提供可得到良好压电特性的压电元件。
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公开(公告)号：CN100502038C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、直接形成在所述铁电体层(30)的上表面的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)；所述IV族半导体层与所述氧化物半导体层具有pn结。
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公开(公告)号：CN100385669C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510064948.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L41/083 , B41J2/045 , B41J2/135 , C04B35/491
Abstract: 提供一种晶体缺陷少、具有良好特性的强电介质膜层叠体。本发明的强电介质膜层叠体，其中包括电极(102)、和在该电极上形成的PZT系强电介质膜(101)。强电介质膜(101)，组成之中有2.5摩尔%以上40摩尔%以下置换成Nb，电极(102)几乎不含从强电介质膜扩散的氧。
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公开(公告)号：CN101159181A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163831.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05K3/182 , C23C18/1608 , C23C18/1893 , C23C18/2086 , C23C18/30 , H05K2201/09045 , H05K2201/09981 , H05K2203/0113 , Y10T428/24612 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的镀覆基板以及其制造方法。本发明的镀覆基板(100)的制造方法是通过化学镀法来形成金属层(33)的镀覆基板的制造方法，其包括：在基板(10)上形成一定图形的树脂成形体(22)的工序；在树脂成形体上形成催化剂层(31)的工序；通过将基板浸渍在化学镀液中，在催化剂层上析出金属从而形成金属层(33)的工序。
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公开(公告)号：CN101096270A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710111496.X
申请日：2007-06-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供可通过极其简单的方法获得粉末状复合金属氧化物的制造方法，包括：准备形成复合金属氧化物的原料组合物；在原料组合物中混合含有氧化性物质的氧化性溶液、生成复合金属氧化物的粒子并形成该粒子的分散液；及从分散液分离粒子形成粉末状的复合金属氧化物。复合金属氧化物用通式AB1-xCxO3表示，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中至少一种，C元素包括Nb及Ta中至少一种。原料组合物包括：含有A元素、B元素、或C元素的热分解性有机金属化合物、含有A元素、B元素、或C元素的水解性有机金属化合物、其部分水解物及/或缩聚物中至少一种；聚羧酸和聚羧酸酯中至少一种；及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN1990419A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610145962.1
申请日：2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/495 , C04B35/624
CPC classification number: C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/493 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/634 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , H01L21/31691 , H01L41/1876
Abstract: 本发明提供了在液相法中，组成控制性良好的用于形成复合金属氧化物的原料组合物。复合金属氧化物用原料组合物是用于形成复合金属氧化物的原料组合物，所述复合金属氧化物用通式AB1－xCxO3表示，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf的至少一种，C元素包括Nb以及Ta的至少一种，所述原料组合物包括：热分解性有机金属化合物、水解性有机金属化合物、以及水解性有机金属化合物的部分水解物及/或缩聚物的至少一种；聚羧酸及聚羧酸酯的至少一种；以及有机溶剂，其中，该热分解性有机金属化合物含有所述A元素、所述B元素或所述C元素，该水解性有机金属化合物含有所述A元素、所述B元素或所述C元素。
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公开(公告)号：CN1321442C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410031531.3
申请日：2004-03-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/28273 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。
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公开(公告)号：CN1311541C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200310120416.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02356 , B82Y30/00 , C04B35/491 , C04B35/64 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/781 , H01G4/1209 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L29/40111 , H01L29/516
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，在基体上形成下部电极，通过在加压到2个大气压以上，且在含有体积比10%以下的氧的气氛中及100℃/分以下的升温速度的条件下，热处理含有复合氧化物的原材料体，在下部电极上，形成由构成复合氧化物的第1金属和构成该下部电极的第2金属的化合物构成的下部合金膜，然后，在下部合金膜上形成结晶化原材料体而成的陶瓷膜，在陶瓷膜上形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1929038A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610127756.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01B3/10 , H01B3/12 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/00
CPC classification number: H03H9/02574 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318 , Y10T428/12493
Abstract: 本发明提供一种绝缘性优良的复合氧化物层压体及其制造方法。包括：基板(20)；形成在所述基板(20)的上方、用通式ABO3表示的第一复合氧化物层(24)；以及形成在所述第一复合氧化物层(24)的上方、用通式AB1－xCxO3表示的第二复合氧化物层(26)，其中A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W及Hf中的至少一种，C元素包括Nb及Ta中的至少一种。
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