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公开(公告)号：CN110380165B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910758672.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种介质滤波器，其包括：本体、设置于本体上的负耦合结构和谐振腔；本体具有顶面和底面，负耦合结构包括：开设于本体底面上的底部盲槽、开设于盲槽中的通孔、形成于本体底面上并沿底部盲槽的槽口边缘设置的凹槽、开设于本体顶面的顶部盲槽，底部盲槽与顶部盲槽的位置对应设置，底部盲槽和底部盲槽的深度h、长度l、宽度w、凹槽的内径R1、外径R2与介质滤波器的滤波带宽呈反比，谐振腔分布于负耦合结构的两侧，任一谐振腔自本体的顶面延伸至本体的中部。本发明的介质滤波器通过在本体的顶面上设置负耦合结构，其可对滤波器的负耦合量的大小进行调节，进而控制滤波器的滤波带宽，有利于获得需求滤波带宽的滤波器。
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公开(公告)号：CN115275596A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211087321.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种小型化斜率功分及基于该斜率功分的基站天线，包括至少两列低频辐射单元阵列、最多四列高频辐射单元阵列、左列阵列、右列阵列与小型化斜率功分，所述低频辐射单元阵列与高频辐射单元阵列均连接有进行馈电的电缆线，所述低频辐射单元阵列上电性设置有第二低频单元与第一低频单元。本发明所述的一种小型化斜率功分及基于该斜率功分的基站天线，小尺寸，结构简单，低成本，性能优良，在普通功分器的基础上创造性的引入了开路支节，良好的功率分布极大收窄了天线整个频带内低频部分的水平波宽，而对高频部分没有影响，极大提高了天线水平波宽的收敛性并改善了增益和前后比。
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公开(公告)号：CN111490319A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910087620.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种微波滤波器，包括微波滤波器本体，微波滤波器本体的上表面上设有至少二个介质谐振孔，介质谐振孔为盲孔，微波滤波器本体上设有防干扰槽，防干扰槽为具有设定长宽高的矩形槽，防干扰槽位于任意相邻二个介质谐振孔的一侧，微波滤波器本体的上表面上且位于任意相邻二个介质谐振孔之间还设有负耦合槽，负耦合槽为盲槽且其由防干扰槽靠近介质谐振孔的一侧侧壁上向介质谐振孔方向延伸设置。本发明在一对介质谐振孔之间开设负耦合槽，通过调节负耦合槽的长度、宽度和槽深可以控制耦合量的大小，从而实现微波滤波器的负耦合，加工简单，具有高Q值、低损耗、高选择性、信号失真小的功能，并且具有线型相位。
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公开(公告)号：CN111195975A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010118126.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷波导滤波器胚体成型模具，包含上模、中模、下模、芯棒、内冲；所述中模内设置有模腔；所述上模和下模分别设置在中模的正上方和正下方；所述芯棒依次穿过上模、模腔伸入下模内；所述内冲穿过上模或下模伸入模腔内；所述上模包括上模座、设置在上模座底部可伸入模腔内的上模冲；所述下模包括下模座、设置在下模座顶部可伸入模腔内的下模冲；所述上模、下模、芯棒、内冲分别连接驱动器，且在驱动器的驱动下能够各自独立的上升或者下降；本发明通过芯棒可以干压成型通孔和通槽，通过内冲还可以干压成型盲孔和盲槽，能够极大的提高成型胚体的良率。
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公开(公告)号：CN106025468A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610540804.X
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Inventor： 陈荣达
IPC: H01P1/212
CPC classification number: H01P1/212
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷腔体滤波器，包括腔体、盖板、谐振器调谐螺钉和耦合调谐螺钉。所述盖板设于所述腔体上方，且与所述腔体结合；所述腔体上间隔设有多个谐振孔，每二相邻谐振孔之间的靠上部分设有耦合孔，所述谐振器调谐螺钉穿过所述盖板伸入所述谐振孔内，所述耦合调谐螺钉穿过所述盖板伸入所述耦合孔内；所述腔体的二相对侧面设有输入输出电极孔，通过在输入输出电极孔内焊接转接头将输入输出电极与谐振腔连接。通过调节谐振器调谐螺钉伸入谐振孔的深度达到调节频率的目的，有效防止了功率损失，改善了隔离和谐波特性；通过调节耦合调谐螺钉伸入耦合孔的深度达到调整耦合量从而调试带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105906344A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610246555.3
申请日：2016-04-20
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: C04B35/50
CPC classification number: C04B35/50 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251
Abstract: 本发明公开了微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件。微波介质陶瓷粉包括粉末，该粉末包括重量比为56Kg︰80Kg︰335Kg︰345Kg︰100Kg的碳酸钙CaCO3、二氧化钛TiO2、三氧化二铌Nb2O3、氧化钐Sm2O3、氧化铝Al2O3。本发明能获得比一般介电常数为45的陶瓷原料更高的Q值及更稳定的温度系数，把QxFo[陶瓷品质因素]从传统的40000提高到46000以上(比公司之前开发的介电常数为45的陶瓷原料的44000还要高)，本发明还公开该微波介质陶瓷粉的制备方法，应用该微波介质陶瓷粉的微波介质陶瓷与微波元器件。
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公开(公告)号：CN105356016A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510795101.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种波导滤波器，包括上层陶瓷模组、中层陶瓷块模组和下层陶瓷模组；其中上层陶瓷模组包括至少一个上层陶瓷块，上层陶瓷块上设有至少一个凹槽和至少两个通孔，该凹槽将该上层陶瓷块分隔形成多个谐振孔；中层陶瓷块模组包括多个陶瓷块，其中至少一个陶瓷块上设有通孔；下层陶瓷模组包括至少一个下层陶瓷块，该下层陶瓷块上设有至少一个凹槽和通孔，该凹槽将该下层陶瓷块分隔形成多个谐振孔；上层陶瓷块上的凹槽和通孔与下层陶瓷块上的凹槽和通孔相匹配。其提供了一种新型的产生notch现象的方法，且通过调整陶瓷块的方式可调节notch的位置，在原有技术上减小了产品体积。
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公开(公告)号：CN1064179A
公开(公告)日：1992-09-02
申请号：CN92101027.3
申请日：1992-02-15
Applicant: 电子通讯股份有限公司
IPC: H02M7/48
Abstract: 一个由远距离供电接通直流电压的电子仪器内产生交流电压的电路装置。此仪器中设有电源和脉冲发生器，脉冲发生器的脉冲通过控制部件送到第一晶体管控制极。第一晶体管的电路内设有与该直流电压相接的变压器初级绕组，此变压器次级绕组上至少接有一带有耦合电容的外负载。在变压器次级绕组串联连接第二晶体管电路，该晶体管控制极也与上述控制部件相连。此控制部件是一逻辑电路，通过它总是使二晶体管中仅有一个被选择到与脉冲发生器相接通。从而使耦合电容器交替地充放电。
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公开(公告)号：CN116706478A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310776267.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带状低通滤波器，包括电介质基板，所述电介质基板上设有输入端子、输出端子以及连接输入端子、输出端子的高阻抗线路，所述高阻抗线路与谐振器连接；所述电介质基板从上至下依次为顶部覆铜层、第一材料层、中上覆铜层、第二材料层、中下覆铜层、第三材料层和底部覆铜层；所述第一材料层和第三材料层采用同材质的覆铜板，所述覆铜板的介电常数为2.98±0.05、介质损耗为0.0025、PIM＜‑158dBc；所述第二材料层采用PP填充物，所述PP填充物的耗散常数介于3.41～3.52之间、介电损耗介于0.0013～0.0026之间。具有体积紧凑，损耗小，功率容量大，带外抑制高，谐波性能好的特点。
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公开(公告)号：CN106129548A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610541197.9
申请日：2016-07-11
Applicant: 苏州艾福电子通讯股份有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷波导滤波器，其包括上、下叠置的且表面均覆盖有导电性物质的第一区与第二区。第一区包括依次相接的至少三个谐振器一，第二区包括依次相接的且与至少三个谐振器一相对应的至少三个谐振器二。同一区上的相邻两个谐振器的相接处的相对两侧上均设置有一个凹槽。第一区的一端上的谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在偏离自身谐振器一的中央区域上设置有主耦合部一。第一区上位于中间区域的其中一个谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在自身谐振器一的中央上设置有辅助耦合部一。第二区上设置有与主耦合部一、辅助耦合部一一一对应的且能相互耦合连接的主耦合部二、辅助耦合部二。
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