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公开(公告)号：CN117596876A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310545948.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置和一种电子系统。该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括交替地堆叠的层间绝缘层和导电图案；堆叠件上的源极导电图案；以及竖直结构，其被设为穿过堆叠件并且连接至源极导电图案。竖直结构中的每一个包括：竖直沟道图案；包围竖直沟道图案的外侧表面的数据存储图案；竖直沟道图案中的竖直绝缘柱；以及竖直导电柱，其设置在竖直绝缘柱与源极导电图案之间，以将竖直沟道图案连接至源极导电图案。
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公开(公告)号：CN111354735A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910752389.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
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公开(公告)号：CN116896868A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310002776.6
申请日：2023-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统，所述三维半导体存储器装置包括基底、设置在基底上的外围电路结构和设置在外围电路结构上的单元阵列结构。单元阵列结构包括：堆叠件，包括交替的层间绝缘层和导电图案，导电图案包括栅电极和作为导电图案的最上面的图案的第一源极导电图案；第二源极导电图案，设置在堆叠件上并与第一源极导电图案的顶表面接触，第二源极导电图案包括与第一源极导电图案的材料不同的材料；以及垂直沟道结构，设置为穿透堆叠件并插入到第二源极导电图案的下部中。垂直沟道结构包括连接到第二源极导电图案的垂直半导体图案。
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公开(公告)号：CN114582879A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111305802.X
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。
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公开(公告)号：CN114446988A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111260065.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575
Abstract: 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和第二基底结构，第一基底结构包括第一基底、电路器件、第一互连线、位于第一互连线的上表面上的接合金属层以及位于第一互连线的上表面上且位于接合金属层的横向表面上的第一接合绝缘层，第二基底结构位于第一基底结构上并且包括第二基底、栅电极、沟道结构、第二互连线、接合过孔和第二接合绝缘层，接合过孔连接到第二互连线和接合金属层、并且具有倾斜为使得接合过孔的宽度随着接近第一基底结构而增大的横向表面，第二接合绝缘层与接合过孔的至少下部接触。接合金属层包括虚设接合金属层，虚设接合金属层不连接到接合过孔并且与第二接合绝缘层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118785709A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410120775.6
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、第一分割图案、第二分割图案和存储沟道结构。每个栅电极结构包括在衬底上沿与所述衬底的上表面基本上垂直的第一方向彼此间隔开的多个栅电极。每个栅电极沿与衬底的上表面基本上平行的第二方向延伸。栅电极结构在与上表面基本上平行并且与第二方向交叉的第三方向上彼此间隔开。第一分割图案在衬底上在栅电极结构之间沿所述第二方向延伸。第二分割图案在衬底上沿所述第三方向延伸，并且位于栅电极结构在第二方向上的端部的侧壁上。存储沟道结构沿第一方向延伸穿过每个栅电极结构。
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公开(公告)号：CN117479539A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310526060.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/27
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置以及包括其的电子系统。该存储器装置包括：基板；外围电路结构，其位于基板上；以及单元阵列结构，其位于外围电路结构上并且包括单元阵列区域和单元阵列接触区域。单元阵列结构包括：包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极的层叠结构、顺序地层叠在层叠结构上的第一源极导电图案、第二源极导电图案和第三源极导电图案。第一源极导电图案至第三源极导电图案包括彼此不同的材料。包括穿过层叠结构延伸到第一源极导电图案的下部中的垂直沟道结构。第一源极导电图案至第三源极导电图案从单元阵列区域延伸到单元阵列接触区域。垂直沟道结构包括与第一源极导电图案接触的垂直半导体图案。
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公开(公告)号：CN117062439A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310469563.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统。所述半导体存储器件包括外围电路结构和在所述外围电路结构上的单元结构。所述单元结构包括：单元基板，其包括面向所述外围电路结构的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面并且具有第一导电类型；栅电极，其位于所述单元基板的所述第一表面上；沟道结构，其与所述栅电极相交并且连接到所述单元基板；第一杂质区域，其与所述第二表面相邻地位于所述单元基板中并且具有第二导电类型；以及第二杂质区域，其位于所述单元基板中并且与所述第一杂质区域间隔开，所述第二杂质区域具有所述第一导电类型并且杂质浓度比所述单元基板的杂质浓度高。
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公开(公告)号：CN115811885A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211113052.0
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造三维半导体存储器装置的方法包括在第一基板的第一表面上形成外围电路结构，在第二基板的第一表面上形成单元阵列结构，以及将单元阵列结构附接到外围电路结构，使得第一基板的第一表面和第二基板的第一表面彼此面对。单元阵列结构可以通过在第二基板上形成背侧通路和初步接触焊盘并形成半导体层来形成。孔可以形成为穿透半导体层并暴露初步接触焊盘，并且可以通过去除初步接触焊盘的上部而形成，从而形成与半导体层分离的接触焊盘。该方法可以进一步包括在半导体层上形成堆叠、在堆叠上形成绝缘层、以及形成穿透绝缘层并连接到接触焊盘的接触插塞。
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公开(公告)号：CN117059136A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310509128.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器装置和非易失性存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：多条金属线，沿第一方向延伸，并且沿与第一方向交叉的第二方向堆叠；多个单元结构，穿过所述多条金属线，并且沿第二方向延伸；多个延伸区域；板共源极线接触件，与共源极线连接，沿第二方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有所述多个单元结构的至少两个中；以及输入/输出金属接触件，与外部连接垫连接，沿第二方向延伸，并且形成在所述多个延伸区域中的没有形成有板共源极线接触件的至少两个中。
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