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公开(公告)号：CN109273574B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201810233940.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光装置封装件和显示装置。所述发光装置封装件包括：三个发光二极管芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述三个发光二极管芯片中的每一个包括发光结构，所述发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；贯通电极部分，其与所述三个发光二极管芯片相邻设置；模制部分，其封装所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分的各侧表面；透明电极层，其设置在所述模制部分的第一表面、所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分上；以及三个独立电极，其通过所述模制部分的第二表面暴露出来并分别设置在所述三个发光二极管芯片上。
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公开(公告)号：CN110391265A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910211266.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。
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公开(公告)号：CN106505065B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201610738437.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了发光器件封装件和制造该发光器件封装件的方法。发光器件封装件包括：发光堆叠件，其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层，并且具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面；第一电极结构，其布置在第一表面的一部分上，并且连接至第一导电类型半导体层；密封部分，其邻近于发光堆叠件布置；绝缘层，其布置在发光堆叠件与密封部分之间；以及第一金属垫，其布置在第二表面上，并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。
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公开(公告)号：CN109273574A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810233940.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0753 , H01C7/12 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L28/26 , H01L29/866 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/52 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L33/48 , G09F9/33 , G09G3/32
Abstract: 提供了一种发光装置封装件和显示装置。所述发光装置封装件包括：三个发光二极管芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述三个发光二极管芯片中的每一个包括发光结构，所述发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；贯通电极部分，其与所述三个发光二极管芯片相邻设置；模制部分，其封装所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分的各侧表面；透明电极层，其设置在所述模制部分的第一表面、所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分上；以及三个独立电极，其通过所述模制部分的第二表面暴露出来并分别设置在所述三个发光二极管芯片上。
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公开(公告)号：CN106505065A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610738437.4
申请日：2016-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了发光器件封装件和制造该发光器件封装件的方法。发光器件封装件包括：发光堆叠件，其包括按次序堆叠的第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层，并且具有由第一导电类型半导体层提供的第一表面和由第二导电类型半导体层提供的与第一表面相对的第二表面；第一电极结构，其布置在第一表面的一部分上，并且连接至第一导电类型半导体层；密封部分，其邻近于发光堆叠件布置；绝缘层，其布置在发光堆叠件与密封部分之间；以及第一金属垫，其布置在第二表面上，并且穿过位于发光堆叠件的一侧的绝缘层以连接至第一电极结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391265B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910211266.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 提供了一种像素型半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括彼此分隔开并且以矩阵形式布置的多个发光器件结构。垫区域至少部分地围绕多个发光器件结构。垫区域设置在多个发光器件结构的外部。分隔结构设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且还设置在多个发光器件结构中的相邻的发光器件结构之间。分隔结构在多个发光器件结构内限定多个像素空间。荧光层设置在多个发光器件结构的第一表面上，并且填充多个像素空间中的每个。
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公开(公告)号：CN109244064B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810722265.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
Abstract: 一种发光装置封装件包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
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公开(公告)号：CN110739381A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910645520.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50 , H01L33/48 , H01L27/15 , F21S41/141 , F21V9/32 , F21W102/13 , F21W107/10 , F21Y115/10
Abstract: 提供了一种发光装置、一种用于交通工具的大灯和一种交通工具。发光装置包括发射阵列和分隔壁，发射阵列包括多个发光元件。发射阵列包括彼此邻近的第一区和第二区。分隔壁被构造为将第一区和第二区彼此隔离，使得分隔壁至少部分地限定发射阵列中的第一区。第一区与第一发射因数关联，第二区与第二发射因数关联，第二发射因数与第一发射因数不同。
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公开(公告)号：CN109244064A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810722265.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光装置封装件包括：多个发光芯片，所述多个发光芯片被配置为发射各自波长的光，每个芯片包括位于所述芯片的底部处的电极，以形成倒装芯片结构；多条布线，所述多条布线分别直接连接到所述芯片的电极；多个电极焊盘，所述多个电极焊盘设置在所述芯片下方并分别直接连接到所述布线；以及模制构件，所述模制构件以单层结构一体形成以覆盖所述芯片的上表面和侧表面，并且包括具有预定透射率的半透明材料，其中，所述布线设置在所述模制构件的下表面下方。
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公开(公告)号：CN106206890A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365984.2
申请日：2016-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L33/10 , H01L33/385
Abstract: 本公开提供了发光器件封装件及其制造方法。在一个实施例中，发光器件封装件包括：发光器件，其包括衬底和发光结构，所述发光结构包括堆叠在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；反射导电层，其设置在所述发光结构上；以及第一电极和第二电极，其叠置在所述反射导电层上，并在第一区域中彼此分离。所述第一电极和所述第二电极与所述反射导电层电绝缘，并且穿过所述反射导电层以分别电连接至所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层。
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