公开(公告)号：CN101207136B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710199197.6

申请日：2007-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在雄 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  金锡必 ,  赵庆来 ,  李政勋 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。

公开(公告)号：CN102694554B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201110453646.1

申请日：2011-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆来 ,  尹燦湖 ,  孔骏镇 ,  尹弼相

IPC: H03M7/30

CPC classification number: H03M7/30 ,  H03M7/6088

Abstract: 一种操作数据压缩设备的方法包括：在数据由输入缓冲器缓冲时使用分析器分析数据并产生分析的结果，并且根据分析的结果选择性地压缩被缓冲的数据。一种数据压缩设备包括：数据模式分析器，被配置成分析传送到输入缓冲器的数据，并基于数据的分析产生分析码；和，数据压缩管理器，被配置成基于分析码选择性地压缩输入缓冲器中的数据。

公开(公告)号：CN101727981B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200910204682.7

申请日：2009-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/16

Abstract: 非易失性存储器设备包括在擦除非易失性(例如，快闪)存储器单元块的操作期间支持存储器单元的恢复。非易失性存储器系统包括快闪存储器设备以及电耦接到快闪存储器设备的存储器控制器。存储器控制器被配置为，通过将第一指令发布到快闪存储器设备、接着将第二指令发布到快闪存储器设备来控制快闪存储器设备内的存储器单元的恢复操作，将第一指令发布到快闪存储器设备导致存储器块中的擦除的存储器单元变为至少部分地编程的存储器单元，将第二指令发布到快闪存储器设备导致至少部分地编程的存储器单元变为全部地被擦除。

公开(公告)号：CN101329914B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN200810110170.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珠姬 ,  玄在雄 ,  赵庆来 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  权奇元

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5646

Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。

公开(公告)号：CN101211661B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710300427.3

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄在雄 ,  赵庆来 ,  朴奎灿 ,  朴允童 ,  李忠浩 ,  边成宰

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/5642

Abstract: 提供一种多级半导体存储装置及其编程方法，在示例性实施例中，将n比特数据编程到半导体存储装置的方法可包括：从第一锁存器输出已写入存储单元的所述数据的第一比特；将所述数据的第一比特存储到第三锁存器；将所述数据的第二比特存储到第一锁存器；从第一锁存器输出所述数据的第二比特；将所述数据的第二比特存储到第二锁存器；参照存储在第三锁存器中的所述数据的第一比特的数据存储状态，将存储在第二锁存器中的所述数据的第二比特写入存储单元。

公开(公告)号：CN101329914A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810110170.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珠姬 ,  玄在雄 ,  赵庆来 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  权奇元

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5646

Abstract: 本发明提供了一种具有可存储指示被写到多个存储单元的数据位的数目的信息的块状态确认单元的半导体装置、一种基于被写入的数据位的数目读取存储器数据的方法和/或一种存储指示被写入的数据位的数目的信息的存储器编程方法。该半导体装置可包括控制器和一个或多个存储块。每个存储块可包括块状态确认单元和多个存储单元，块状态确认单元存储指示被写到存储单元的数据位的数目的信息，每个存储单元存储数据。控制器可基于块状态确认单元中的信息中指示的数据位的数目来从存储块读取该数据位。

公开(公告)号：CN101211913A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301183.0

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  具俊谟 ,  赵庆来 ,  玄在雄 ,  边成宰

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L2029/7858

Abstract: 示例实施例涉及一种包括鳍型沟道区的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括半导体基底、半导体柱和接触塞。半导体基底包括用作有源区的至少一对鳍。半导体柱可以置于鳍的部分之间以连接鳍。接触塞可以设置(或形成)在半导体柱上，并且电连接鳍的顶表面。

公开(公告)号：CN101079444A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200610169306.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  具俊谟 ,  赵庆来

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了一种具有高操作速度并获得高集成度的半导体存储器，以及制造其的经济方法。该器件包括半导体衬底和凹入到半导体衬底内的控制栅电极。存储节点层设置在控制栅电极的侧壁与半导体衬底之间，且隧穿绝缘层设置在存储节点层与半导体衬底之间。阻挡绝缘层设置在存储节点层与控制栅电极之间。第一和第二沟道区隧穿绝缘层下面的半导体衬底的表面周围形成，从而围绕控制栅电极，并被一对相对的分隔绝缘层分开。

公开(公告)号：CN101763895B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200910253066.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F11/1008

Abstract: 一种数据存储设备，其接收写入数据并且包含：控制器，被配置成确定所述写入数据的特征并响应于所确定的特征而提供第一控制信号；随机化器，被配置成响应于所述第一控制信号而选择性地随机化或不随机化所述写入数据，由此生成经随机化的写入数据；以及数据存储单元，被配置成存储所述经随机化的写入数据。

公开(公告)号：CN101740128B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN200910212121.1

申请日：2009-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宗汉

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。