公开(公告)号：CN105101673A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510257298.9

申请日：2015-05-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小野真理子 ,  后藤章 ,  米山玲 ,  大月高实

IPC: H05K3/38

CPC classification number: H05K3/44 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L23/14 ,  H01L23/24 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49534 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/17724 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0326 ,  H05K1/056 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  H05K3/381 ,  H05K3/383 ,  H05K2201/066 ,  H05K2203/06 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制绝缘耐压的下降，且容易制造的金属基座基板、功率模块、以及金属基座基板的制造方法。本发明所涉及的金属基座基板具有：由铜构成的铜板(1)；金属层(2)，其形成在铜板(1)上，由与铜不同的金属构成；树脂绝缘片(4)，其通过将作为绝缘体的树脂片接合在金属层(2)上而形成；以及电路图案(5)，其形成在树脂绝缘片(4)上。

公开(公告)号：CN107611111B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201710565919.9

申请日：2017-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村上晴彦 ,  米山玲 ,  大月高实 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。

公开(公告)号：CN103035605B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210366786.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大月高实 ,  小原太一 ,  后藤章

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4821 ,  B22D19/00 ,  B22D21/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/162 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于低成本化的半导体装置及其制造方法。本申请发明的半导体装置的特征在于，具备：绝缘基板；布线图形，形成在该绝缘基板上；半导体芯片，固定在该布线图形上；中继端子，以一端固定于该绝缘基板且另一端向该绝缘基板的上方延伸的方式由与该布线图形相同的材料形成，并且与该半导体芯片电连接；控制电路，与该中继端子电连接，发送该半导体芯片的控制信号。

公开(公告)号：CN101859769A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010134596.6

申请日：2010-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  大月高实

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中，在衬底(50)内形成有N型杂质区域(1)。P型表面降场层(18)在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面形成。P型阱(2)与P型表面降场层(18)相比具有高杂质浓度，并且在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面中与P型表面降场层(18)接触而形成。第一高压侧板(8)与N型杂质区域(1)电连接，并且第一低压侧板(7)与P型杂质区域(2)电连接。下部场板(20)在与衬底(50)之间能够形成下部电容耦合。上部场板(17)在与下部场板(20)相比从衬底(50)离开的位置形成，并且在与下部场板(20)之间能够形成比下部电容耦合的电容大的上部电容耦合。

公开(公告)号：CN107611111A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710565919.9

申请日：2017-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村上晴彦 ,  米山玲 ,  大月高实 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/3512 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。

公开(公告)号：CN104703406A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410747912.5

申请日：2014-12-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小原太一 ,  米山玲 ,  大月高实 ,  舌间英树

IPC: H05K3/38

CPC classification number: H05K1/183 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/11 ,  H05K1/111 ,  H05K1/186 ,  H05K1/188 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09072 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10 ,  H05K2201/10174 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10651 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10689 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H05K3/38

Abstract: 目的在于提供一种能够抑制MELF型电子部件的位置偏移，并且降低施加至MELF型电子部件的热应力的技术。电子部件安装装置(1)具有：绝缘基板(13)，其形成有金属图案(13b)；以及MELF型电子部件(14)。MELF型电子部件(14)与第1容纳部(13c)嵌合，该第1容纳部(13c)由金属图案(13b)和从金属图案(13b)的缺损部露出的绝缘基板(13)构成。电子部件安装装置(1)还具有导电性部件(15)，其形成于MELF型电子部件(14)和金属图案(13b)之间，在MELF型电子部件(14)和绝缘基板(13)之间不形成导电性部件(15)。

公开(公告)号：CN103035605A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210366786.X

申请日：2012-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大月高实 ,  小原太一 ,  后藤章

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4821 ,  B22D19/00 ,  B22D21/04 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/162 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种适合于低成本化的半导体装置及其制造方法。本申请发明的半导体装置的特征在于，具备：绝缘基板；布线图形，形成在该绝缘基板上；半导体芯片，固定在该布线图形上；中继端子，以一端固定于该绝缘基板且另一端向该绝缘基板的上方延伸的方式由与该布线图形相同的材料形成，并且与该半导体芯片电连接；控制电路，与该中继端子电连接，发送该半导体芯片的控制信号。

公开(公告)号：CN101859769B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010134596.6

申请日：2010-03-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  大月高实

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中，在衬底(50)内形成有N型杂质区域(1)。P型表面降场层(18)在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面形成。P型阱(2)与P型表面降场层(18)相比具有高杂质浓度，并且在N型杂质区域(1)内的衬底(50)上表面中与P型表面降场层(18)接触而形成。第一高压侧板(8)与N型杂质区域(1)电连接，并且第一低压侧板(7)与P型杂质区域(2)电连接。下部场板(20)在与衬底(50)之间能够形成下部电容耦合。上部场板(17)在与下部场板(20)相比从衬底(50)离开的位置形成，并且在与下部场板(20)之间能够形成比下部电容耦合的电容大的上部电容耦合。

公开(公告)号：CN113257801B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110162589.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤亮 ,  大月高实 ,  清水康贵 ,  富冈真吾

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/34 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。

公开(公告)号：CN113257801A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110162589.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤亮 ,  大月高实 ,  清水康贵 ,  富冈真吾

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/34 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。