公开(公告)号：CN108463888B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201680078695.2

申请日：2016-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  古川彰彦 ,  川上刚史

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：p型基极层(7a、7b)，设置于n型漂移层(10)的表面侧；n型发射极层(6)，设置于p型基极层(7a)的表面侧；第1控制电极(1)，具有以从n型发射极层(6)的表层到达n型漂移层(10)的方式埋设的沟槽栅电极(15)；第2控制电极(2)，具有以从p型基极层(7b)到达n型漂移层(10)的方式埋设的沟槽栅电极(15)；p型集电极层(12)，设置于n型漂移层(10)的背面侧；以及二极管(21)，对第1控制电极(1)连接阳极侧，对第2控制电极(2)连接阴极侧。能够提高利用栅极电阻的dV/dt的控制性。

公开(公告)号：CN104756258B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380052950.2

申请日：2013-05-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  陈则 ,  西井昭人 ,  增冈史仁 ,  中村胜光 ,  古川彰彦 ,  村上裕二

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 以围绕活性区域(12)的方式形成电场缓和层(13)。电场缓和层(13)具备多个P型杂质层(21～25)。各P型杂质层(21～25)具备：P型注入层(21a～25a)；以及P型扩散层(21b～25b)，以围绕P型注入层(21a～25a)的方式形成，P型杂质的浓度比P型注入层(21a～25a)低。第一P型注入层(21a)与活性区域(12)相接或者一部分重叠地形成。各P型扩散层(21b～25b)形成为具有第一P型扩散层(21b)和第二P型扩散层(22b)相接或者重叠的程度的宽度。P型注入层(21a～25a)彼此的间隔(s2～s5)随着从活性区域(12)朝向半导体基板(11)的外周缘部变大。

公开(公告)号：CN103460392A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015311.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜田宪治 ,  川上刚史

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种得到稳定的耐压的高耐压半导体装置及其制造方法。在第1导电类型的SiC外延层（12）的厚度方向一方侧的表面附近部中的、比第2导电类型的SiC区域（13）在SiC基板（11）的外周端侧的部分中，形成第2导电类型的JTE区域（15）。至少，在JTE区域（15）彼此接合的部分的厚度方向一方侧的表面附近部，形成第1导电类型的杂质的浓度高于SiC外延层（12）的第1导电类型的SiC区域（16）。

公开(公告)号：CN102797578A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110285289.2

申请日：2011-09-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 片山明义 ,  川上刚史

IPC: F02D41/34 ,  F02D41/06

CPC classification number: Y02T10/44

Abstract: 本发明提供能促进燃料管路内的空气排出而提高内燃机的启动性、并能防止因燃料提供过量而使内燃机损坏的内燃机用燃料喷射控制装置。包括：储藏提供给内燃机的燃料的燃料箱；从燃料箱中汲取燃料的燃料泵；调整由燃料泵所提供的燃料的压力的燃料压力调整单元；一端侧与燃料压力调整单元相连接、以使调整了压力的燃料流通的燃料管路；与燃料管路的另一端侧相连接、以对内燃机喷射并提供燃料的燃料喷射阀；检测内燃机的启动时刻的启动时刻检测单元；检测内燃机的不燃烧状态的不燃烧检测单元；以及在内燃机处于启动时刻、并处于不燃烧状态时、修正燃料喷射阀的阀门打开时间的修正单元，修正单元根据内燃机的转速，来修正燃料喷射阀的阀门打开时间。

公开(公告)号：CN109075198A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680083795.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上敦文 ,  冈诚次 ,  川上刚史 ,  古川彰彦 ,  时冈秀忠 ,  津田睦 ,  藤冈靖

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高散热性及紧密接合性的电力用半导体装置。根据本发明的电力用半导体装置(1)具备形成在半导体基板(2)上的供主电流流动的发射极(3)；形成在发射极(3)上的非烧结体的导电层(5)；以及形成在导电层(5)上的作为烧结体的烧结金属层(7)，烧结金属层(7)具有在俯视时将发射极(3)的整体覆盖的大小，并且导热性比导电层(5)高。

公开(公告)号：CN104221151B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280067175.3

申请日：2012-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  浜田宪治 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦 ,  村上裕二

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/063 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的半导体装置具备：在第1导电类型的半导体层(1)的上层部形成的活性区域；从活性区域的端缘部向外侧以包围活性区域的方式配设的多个电场缓和层，多个电场缓和层的第1电场缓和层和第2电场缓和层交替地邻接而分别配设多个，由邻接的第1电场缓和层和第2电场缓和层形成一组，第1电场缓和层以第1面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从活性区域远离而变窄，第2电场缓和层以比第1面密度低的第2面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从活性区域远离而变宽。

公开(公告)号：CN103460392B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280015311.4

申请日：2012-03-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浜田宪治 ,  川上刚史

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种得到稳定的耐压的高耐压半导体装置及其制造方法。在第1导电类型的SiC外延层（12）的厚度方向一方侧的表面附近部中的、比第2导电类型的SiC区域（13）在SiC基板（11）的外周端侧的部分中，形成第2导电类型的JTE区域（15）。至少，在JTE区域（15）彼此接合的部分的厚度方向一方侧的表面附近部，形成第1导电类型的杂质的浓度高于SiC外延层（12）的第1导电类型的SiC区域（16）。

公开(公告)号：CN104854701A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201280077538.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 陈则 ,  川上刚史 ,  中村胜光

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

Abstract: 终端区域具有环状区域(LNFLR)。在环状区域(LNFLR)，周期性地并排设置有环状的多个P型环层(12a～12f)。环状区域(LNFLR)被分为分别包含多个P型环层(12a～12f)的多个单元。各单元的宽度是固定的。将环状区域内的P型杂质总数设为N、目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、多个单元的数量设为num，并满足下述关系。N≧(M×BV)γ，M＝104～105，γ＝0.55～1.95，SandL×num×Ecri≧2×α×BV，Ecri＝2.0～3.0×105[V/cm]，α＝100～101。多个单元的P型环层(12a～12f)的宽度朝向终端区域的外侧线性地变小。

公开(公告)号：CN104756258A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380052950.2

申请日：2013-05-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  陈则 ,  西井昭人 ,  增冈史仁 ,  中村胜光 ,  古川彰彦 ,  村上裕二

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 从活性区域(12)的外周缘部朝向半导体基板(11)的外周缘部，以围绕活性区域(12)的方式形成电场缓和层(13)。电场缓和层(13)具备多个P型杂质层(21～25)。各P型杂质层(21～25)具备：P型注入层(21a～25a)；以及P型扩散层(21b～25b)，以围绕P型注入层(21a～25a)的方式形成，P型杂质的浓度比P型注入层(21a～25a)低。第一P型注入层(21a)与活性区域(12)相接或者一部分重叠地形成。各P型扩散层(21b～25b)形成为具有第一P型扩散层(21b)和第二P型扩散层(22b)相接或者重叠的程度的宽度。P型注入层(21a～25a)彼此的间隔(s2～s5)随着从活性区域(12)朝向半导体基板(11)的外周缘部变大。

公开(公告)号：CN116547788B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202080107673.0

申请日：2020-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 清井明 ,  川畑直之 ,  川上刚史

IPC: H10D8/01 ,  H10D8/50 ,  H10D8/60 ,  H10D8/00 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D62/60

Abstract: 目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。