公开(公告)号：CN104205324A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380016243.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友义幸 ,  石塚博弥 ,  长濑敏之 ,  黑光祥郎 ,  江户正和 ,  三宅秀幸

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H05K7/209 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/286 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘层的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al-Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。

公开(公告)号：CN104205324B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201380016243.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 长友义幸 ,  石塚博弥 ,  长濑敏之 ,  黑光祥郎 ,  江户正和 ,  三宅秀幸

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H05K7/209 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/286 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/128 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/86 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/473 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘基板的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al‑Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。