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公开(公告)号：CN106941067B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610873947.2
申请日：2016-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明根据高频电源的负载侧的阻抗的变动适当且高速地调整高频电力的频率。在一实施方式的方法中，由等离子体处理装置的高频电源开始与第一期间中的功率相比，与该第一期间交替反复的第二期间中的功率设定得小的调制高频电力的输出。接着，取得过去的第一期间内的第一副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值和过去的第一期间内的第二副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值。接着，第一副期间的调制高频电力的频率和第二副期间的调制高频电力的频率根据移动平均值被设定。
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公开(公告)号：CN105355532A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510962055.5
申请日：2012-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32366 , H01J37/32642 , H01J37/32706 , H01J37/32724 , H01J2237/327 , H01J37/32 , H01J37/32082
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。
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公开(公告)号：CN104025266A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280064757.6
申请日：2012-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社大亨
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32155 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H05H2001/4682
Abstract: 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。
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公开(公告)号：CN1956618B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200610141849.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/32137
Abstract: 从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。
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公开(公告)号：CN101499399B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN110379700B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910293114.2
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种生成等离子体的方法，能够快速抑制高频电力的反射。在一个实施方式的方法中，从高频电源经由匹配器向电极供给高频电力，以在腔室中生成等离子体。在供给高频电力的期间，根据反映腔室内的等离子体的产生的一个以上的参数来判定在腔室内是否生成了等离子体。在判定为没有生成等离子体的情况下，调整由高频电源输出的高频电力的频率，以将高频电源的负载侧电的抗设定为零或者使该负载侧的电抗接近零。
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公开(公告)号：CN107993915B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201711012891.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负载侧的阻抗的第二平均值，根据从第一高频电源输出的第一高频功率和从第二高频电源输出的第二高频功率，使用两个平均化方法中的任意方法来求得。基于这些第一平均值和第二平均值来进行第一匹配器和第二匹配器的阻抗匹配。由此，能够比较简单地实现等离子体处理装置的第一匹配器和第二匹配器的匹配动作。
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公开(公告)号：CN101853770B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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公开(公告)号：CN101853770A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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公开(公告)号：CN1956618A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610141849.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H05H1/24 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/00
CPC classification number: H01J37/32935 , H01L21/32137
Abstract: 从图1(a)所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有HBr的气体，例如HBr+Cl2的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图1(b)所示，在露出硅氧化膜层(102)之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有HBr的气体，例如单一的HBr气体，在比第一压力高的第二压力下，进行过蚀刻工序，如图1(c)所示，完全露出硅氧化膜层(102)。这样，与现有技术比较，能够提高含硅的导电膜层对硅氧化膜的选择比，能够不蚀刻作为基层的硅氧化膜层，而且不扰乱含硅的导电膜层的蚀刻形状，能够确实地仅蚀刻除去希望的含硅的导电膜层。
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