公开(公告)号：CN101499399B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN1659689A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03812720.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 小川和人 ,  稻泽刚一郎 ,  林久贵 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1732558B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN100459058C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN03812720.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 小川和人 ,  稻泽刚一郎 ,  林久贵 ,  大岩德久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40%以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40%的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1732558A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107612.0

申请日：2003-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 本田昌伸 ,  松山升一郎 ,  永关一也 ,  林久贵

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/3341

Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。

公开(公告)号：CN103258707A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN103258707B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201310162785.8

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101685772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。

公开(公告)号：CN101685772A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910175626.5

申请日：2009-09-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚 ,  阿部淳

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。