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公开(公告)号：CN110462794B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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公开(公告)号：CN110462794A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020478.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。
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公开(公告)号：CN108292598B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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公开(公告)号：CN108369905B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201680071744.X
申请日：2016-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。
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公开(公告)号：CN108292598A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369905A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071744.X
申请日：2016-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。
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公开(公告)号：CN100505167C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN02822002.1
申请日：2002-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，包括：上端部形成有开口部的加热炉主体；该开口部处设置的加热炉主体用罩盖部件；设置在加热炉主体内壁处的加热组件；收装在加热炉主体内部处、单管构成的反应容器；形成在反应容器上部、贯通所述罩盖部件的排气配管连接部；和设置在排气配管连接部周围、控制排气配管连接部温度的第一温度控制组件，排气配管连接部处连接有排出反应容器内的气体的排气配管，排气配管连接部的端部处和排气配管的端部处都形成有凸缘部，排气配管连接部端部处与排气配管端部处的凸缘部被连接，在排气配管连接部的端部处的凸缘部和排气配管端部处的凸缘部中的至少一个上设置有对凸缘部彼此连接部分处的温度实施控制用的第三温度控制组件。
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公开(公告)号：CN1218370C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02806638.3
申请日：2002-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 斋藤幸正
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/52
Abstract: 利用将对处理炉(2)进行排气的排气系统(15)内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计(23)、和作为绝对压力检测大气压的气压计(31)，将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀(25)的开度，由此来调整处理炉(2)内的压力。
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公开(公告)号：CN1608312A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02822002.1
申请日：2002-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供了一种热处理装置，它包括：在上端部形成有开口部的加热炉主体：设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件；收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器：形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部；以及设置在所述排气配管连接部周围位置处的第一温度控制组件。
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公开(公告)号：CN1496583A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02806638.3
申请日：2002-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 斋藤幸正
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67109 , C23C16/4412 , C23C16/52
Abstract: 利用将对处理炉(2)进行排气的排气系统(15)内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计(23)、和作为绝对压力检测大气压的气压计(31)，将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀(25)的开度，由此来调整处理炉(2)内的压力。
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