公开(公告)号：CN110462794B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880020478.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  折居武彦 ,  斋藤幸正 ,  小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  泉浩一 ,  吉野裕 ,  荘所正 ,  兼平圭太

IPC: H01L21/304

Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。

公开(公告)号：CN110462794A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020478.7

申请日：2018-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  折居武彦 ,  斋藤幸正 ,  小池国彦 ,  妹尾武彦 ,  泉浩一 ,  吉野裕 ,  荘所正 ,  兼平圭太

IPC: H01L21/304

Abstract: 向基板(S)照射气体团簇来对基板(S)进行规定的处理的气体团簇处理装置(100)具备：处理容器(1)；气体供给部(13)，其供给用于生成气体团簇的气体；质量流量控制器(14)，其控制从气体供给部(13)供给的气体的流量；团簇喷嘴(11)，其以规定的供给压力供给用于生成气体团簇的气体，将该气体喷出至被保持真空的处理容器内来通过绝热膨胀使该气体团簇化；以及压力控制部(15)，其设置于质量流量控制器(14)与团簇喷嘴(11)的之间的配管(12)，并且具有对用于生成气体团簇的气体的供给压力进行控制的背压控制器(17)。

公开(公告)号：CN110060924B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201910202521.8

申请日：2014-11-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子都 ,  田内启士 ,  折居武彦 ,  菅野至 ,  相原明德 ,  田中晓

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。

公开(公告)号：CN100383927C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN02151819.X

申请日：2002-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹生谷贵行 ,  折居武彦 ,  森宏幸 ,  矢野洋 ,  中森光则

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 按本发明的方法能除去附着在半导体衬底上的光刻胶膜和聚合物层。给衬底加第一处理液，它通常包括氧化剂，如过氧化氢溶液，以改变光刻胶膜和聚合物层的状态。之后，给衬底加第二处理液，它通常包括二甲基亚砜和胺溶剂，因此，从衬底上溶解除去光刻胶膜和聚合物层。也能除去聚合物层中包含的溅射的Cu颗粒。

公开(公告)号：CN1828841A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610057724.5

申请日：2006-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村荣一 ,  折居武彦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种除去基板附着物的基板表面处理方法，其具有：用药液清洗上述基板的药液清洗步骤；在规定压力下，将所述附着物暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的附着物暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的所述附着物加热至规定温度的附着物加热步骤。

公开(公告)号：CN1582489A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02822052.8

申请日：2002-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  天井勝

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，在基片的表面形成氧化膜时，能够以均匀的膜厚形成比以往薄的氧化膜。作为向基片(W)供给处理液而进行处理的基片处理装置(12)，具有对所说处理液的温度进行调整的温度调整装置(133)、以及对接近于所说晶片(W)的背面配置的下盘(77)的温度进行调节的下盘温度调节机构(115)。

公开(公告)号：CN115461842A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030195.2

申请日：2021-04-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 折居武彦 ,  高桥信博

IPC: H01L21/302

Abstract: 在向基板供给蚀刻气体来对表面进行蚀刻的蚀刻方法中，实施以下工序：保护工序，向设置有含有氧的硅膜的所述基板供给胺气，来在所述含有氧的硅膜的表面形成用于防止被所述蚀刻气体蚀刻的保护膜以进行保护；以及第一蚀刻工序，向所述基板供给所述胺气以及作为所述蚀刻气体之一的第一蚀刻气体，来对所述含有氧的硅膜进行蚀刻，其中，所述第一蚀刻气体是含氟气体。

公开(公告)号：CN108231555B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201711287216.0

申请日：2017-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 黄祖虹 ,  林军 ,  折居武彦

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和基板处理系统。该蚀刻方法能够防止从基板制造的器件受到损伤。对在表层形成有氧化硅膜(32)的晶圆(W)实施去除该氧化硅膜(32)的第1突破处理，在第1突破处理之后实施对多晶硅层(31)进行蚀刻的第1主蚀刻处理，在第1主蚀刻处理之后实施将暴露的氧化硅膜(32)去除的第2突破处理，在第2突破处理之后实施对剩余的多晶硅层(31)进行蚀刻的第2主蚀刻处理。

公开(公告)号：CN105023863B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN110071040A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910054586.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅田泰生 ,  折居武彦 ,  高桥信博

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够以高选择比对Ge浓度互不相同的SiGe系材料中的一者相对于另一者进行蚀刻的蚀刻方法。向具有Ge浓度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被处理体供给蚀刻气体，利用第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的直到由所述蚀刻气体进行的蚀刻开始为止的培育时间之差，而对第1SiGe系材料和第2SiGe系材料中的一者相对于另一者选择性地进行蚀刻。