公开(公告)号：CN115985934A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211326589.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 陆超 ,  王海锐 ,  贺晓金 ,  孟繁新 ,  袁强 ,  姚秋原 ,  余文兴 ,  张浩宇 ,  程爽 ,  王博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供的一种碳化硅非均匀混合P+结构的肖特基结势垒二极管及其制作方法，包括依次叠层设置的金属化阴极、N+衬底、外延区；多个P+ring区和多个P+区设置在外延区的上层，多个P+区的上端通过金属化阳极覆盖，多个P+ring区的顶部及P+区相邻于P+ring区的部分顶部被氧化硅层覆盖，氧化硅层的上端面覆盖有聚酰亚胺层。本发明通过在器件的P+区采用非均匀混合P+离子注入区结构改善了电流量在器件内的分布，提高器件的抗浪涌能力，在不减小正向导通电阻的前提，减小反向漏电流；在器件正向导通时，使更多的电流通过散热能力较强的器件四周区域，更少的电流通过散热能力较差的中间区域，从而避免热量在散热能力较差的的区域集中而损伤器件。

公开(公告)号：CN113314616A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110639385.6

申请日：2021-06-08

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 袁强 ,  贺晓金 ,  陆超 ,  周嵘 ,  杜先兵 ,  姚秋原 ,  王博

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种双向导通EDS二极管芯片及其制造方法，该芯片包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触。该方法包括：制作N型衬底，正面热氧化；光刻、扩散形成P区；正面形成新的绝缘材料层；光刻、蒸铝形成金属层；光刻金属层，形成金属接点；背面减薄。本发明构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。

公开(公告)号：CN115911135A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211326636.6

申请日：2022-10-27

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 姚秋原 ,  袁强 ,  刘世林 ,  贺晓金 ,  陆超 ,  王博 ,  张思文 ,  杨春梅 ,  夏静

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L29/20 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供的一种雪崩二极管结构及其制备方法，包括依次堆叠的阳极、衬底、漂移区、N型区；所述N型区的中部制作有P+区，N型区的两端及P+区的边缘通过氧化硅覆盖，P+区的中部被阴极覆盖，氧化硅的的顶端及阴极的两端被氮化硅覆盖。本发明通过在漂移区内形成了Si‑GaAs异质结，由于GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动的比硅中更快，并且GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性，从而有效提升了输出功率和频率；在低频大功率模式下，因雪崩击穿造成的净电荷起伏可以使输出脉冲具有更高的振幅，从而输出功率也可以达到更高。

公开(公告)号：CN114843244A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210545906.6

申请日：2022-05-19

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 贺晓金 ,  袁强 ,  陆超 ,  姚秋原 ,  张浩宇 ,  王海锐 ,  余文兴 ,  王博

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供的一种硅平面温度补偿二极管的结构及制备方法，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。

公开(公告)号：CN114695520A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210468657.5

申请日：2022-04-29

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 孟繁新 ,  姚秋原 ,  袁强 ,  贺晓金 ,  陆超 ,  王博 ,  岳兰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/285 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供的一种高速场效应晶体管及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有栅极单元与栅极单元两侧分别连接的源极单元、漏极单元，所述栅极单元包括本征GaAs层，本征GaAs层两端上依次覆盖有本征AlGaAs层和N+AlGaAs层,N+AlGaAs层的上端设置有栅极金属层，本征GaAs层的中部设置有P区,P区的下端与衬底接触，P区的上端依次覆盖有氧化层和多晶硅，多晶硅和氧化层的两侧与本征AlGaAs层接触。本发明在栅极、源极、漏极之间形成由AlGaAs和GaAs构成的异质结结构，该结构能够形成薄层N型导电沟道，从而消除了杂质散射的影响；且GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动的比硅中更快，此外GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性，从而有效提升了输出功率和频率。

公开(公告)号：CN117613102A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311743803.1

申请日：2023-12-18

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 贺晓金 ,  袁强 ,  姚秋原 ,  王智 ,  张浩宇 ,  王海锐 ,  江加丽 ,  何静

IPC: H01L29/866 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供的一种平面合金二极管结构及其制备方法，包括N型衬底区；位于所述N型衬底区边缘周围的P型扩散结；位所述N型衬底区的有源区设有P型合金结；所述N型衬底区的表面边缘设有钝化层；所述P型合金结的表面设有阳极金属层；所述N型衬底层背面设有阴极金属层。过将齐纳二极管工作在反向偏置，P型合金区和N型衬底区掺杂浓度比较高，当器件反向偏压逐渐增大时，器件发生了隧道击穿效应，器件边缘的P型扩散区掺杂浓度比较低并且结深较深，可以降低器件边缘电场集中效应，器件击穿点一般位于P型合金结与N型衬底交界位置，可以有效降低器件反向漏电流。

公开(公告)号：CN113270503A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110491421.9

申请日：2021-05-06

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 袁强 ,  古进 ,  王博 ,  贺晓金 ,  陆超 ,  姚秋原

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种二极管元胞结构，包括N+衬底，N+衬底的背面设有背金属层，N+衬底的正面依次设有N‑外延区、栅氧层、多晶硅、金属化层；所述N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区，金属化层的背面设有凸起部，凸起部嵌入P型基区，凸起部周围设有N+区，N+区和P型基区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明的二极管元胞结构的二极管芯片，相比于PN结结构，具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点；相比于肖特基二极管，具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点；另外，本发明导通压降小，能耗低，产热量小，耐用性强。

公开(公告)号：CN118841321A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410936110.2

申请日：2024-07-12

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 王博 ,  王智 ,  陆超 ,  袁强 ,  姚秋原 ,  杨雪彧 ,  时功权 ,  谈林乖 ,  莫宏康 ,  程爽 ,  姚宏 ,  黄明鑫 ,  何贤朋 ,  毕思芸 ,  张浩宇

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供的一种铂FRD的制造方法，通过在N型硅衬底的背面溅射或蒸发铂金属层，然后进行两次热处理工艺，实现了铂金属的精确掺杂，铂金属的均匀分布，铂金属的高效激活，铂金属的节约使用；制作的二极管正向压降低、快速反向恢复时间短，高温稳定性好，可靠性高，适用于高频、高功率的电子电路中；该快恢复二极管的恢复时间为几百纳秒至几十纳秒，完全满足快恢复二极管的定义。

公开(公告)号：CN114975431A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210681828.2

申请日：2022-06-16

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 袁强 ,  周嵘 ,  孟繁新 ,  贺晓金 ,  姚秋原 ,  余文兴 ,  张浩宇

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/45 ,  H01L23/373 ,  H01L21/8249

Abstract: 本发明提供的一种二极管元胞及其制造方法，包括若干元胞；若干元胞的N+衬底、背面金属层、正面金属层连接为一体，N+衬底的背面和正面分别与背面金属层和势垒接触，势垒的正面中部加工有MOS沟道，若干元胞的MOS沟道相互连接，所述正面金属层将势垒的正面覆盖且其连两端分别与势垒的基极和栅极接触。本发明采用多元胞并联结构，大大提高了导通电阻；采用多层金属布局，避免了超薄栅氧在键合过程中受到的键合应力损伤，提升了产品良率和可靠性，金属层同时起了散热器的功能，改善了产品的散热效果；通过多个元胞内的少子势垒降低了二极管在高频率开关过程中的导通损耗。

公开(公告)号：CN113314617A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110476668.3

申请日：2021-04-29

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 贺晓金 ,  王光磊 ,  袁强 ,  陆超 ,  姚秋原 ,  孟繁新 ,  王博

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供的一种软快恢复二极管；包括N区和P区，P区扩散在N区上端面中部的凹槽内，所述N区包括依次在N+区上生长的N缓冲区和外延区，所述P区包括P base区和P+区，P base区嵌入外延区的上端面中部，所述P+区扩散在P base区的两端，所述外延区的上端面外端制作有钝化层，外延区的中心制作有阳极金属层,N+区的底部制作有金属层。本发明通过超低掺杂浓度的N型漂移区和低掺杂浓度的P base区可以有效地可以有效的降低反向恢复电荷和反向恢复时间；N型漂移区下表面的N型缓冲层可以缓冲空间电荷区扩展，减缓了载流子反向抽取速度，使恢复特性得到软化；并且高掺杂的深结P+区可以有效抑制电场集中，降低器件反向漏电。