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公开(公告)号：CN113960438A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111000558.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种PN结反向特性曲线合格判别测试系统及其测试方法，包括：计算机、本地数据库、显示操作装置、程控电压电流源、测试模块装置、测试夹具装置、待测件、测试控制系统、参数测试装置、数据采集系统、测试线缆等；计算机安装有控制系统程序模块、算法程序模块、设置与判别程序模块、数据采集程序模块；测试控制系统主要由测试控制系统程序模块、仪器控制、测试设置、数据读取、数据拟合、曲线显示、数据处理与存储等功能模块组成。解决了现有PN结反向特性曲线测试仅靠人工观察定性判别、重复性和一致性差、批量化差、易造成热击穿现象的问题。广泛应用于半导体器件PN结的反向特性曲线合格判别测试，特别是电压调整二极管领域。
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公开(公告)号：CN118610101A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410958979.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/15
Abstract: 一种半桥驱动器陶瓷贴片式封装方法及其封装结构，属于微电子器件封装技术领域。所述方法包括：（1）整体封装结构仅使用金属材料和陶瓷材料；（2）多层陶瓷衬底与外壳边框一体化烧结于一体；（3）陶瓷外壳采用表面金属镀金；（4）内腔粘接区采用台阶式结构；（5）芯片粘接区采用陶瓷凹坑设计；（6）采用多层陶瓷结构。所述结构包括陶瓷底座、陶瓷盖板。陶瓷底座由外壳封口环、陶瓷底座本体、热沉区/芯片组装区、背面金属电极组成。解决了现有全硅或全GaN半桥驱动器封装技术及封装结构难以满足高散热性、低输入输出阻抗、高绝缘性、高可靠性要求的问题。广泛用于半导体功率器件、混合集成电路等产品封装技术领域。
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公开(公告)号：CN110676182A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910912298.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
Abstract: 本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
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公开(公告)号：CN118759335A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410956128.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种推挽式MOS管可靠性试验方法及其试验电路，半导体分立器件领域。所述试验方法包括：（1）按多路推挽式MOS管单元并联进行设计，以实现批量推挽式MOS管可靠性试验；（2）采用提高MOS管漏源VDS压降的方法，让MOS管工作在不完全导通状态下进行老炼；（3）输入方波信号按设定的功率放大，以驱动每个单元推挽式MOS管；（4）方波信号经恒流通道恒流。试验电路包括信号模块、驱动模块、器件模块、模拟负载模块、显示模块及电源模块，器件模块内含多路待测推挽式MOS管，采用并联方式连接。解决了现有MOSFET器件稳态直流功率老炼方法不适用于推挽式MOS管可靠性试验的问题。广泛应用于推挽式半导体器件可靠性试验中。
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公开(公告)号：CN113960438B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111000558.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种PN结反向特性曲线合格判别测试系统及其测试方法，包括：计算机、本地数据库、显示操作装置、程控电压电流源、测试模块装置、测试夹具装置、待测件、测试控制系统、参数测试装置、数据采集系统、测试线缆等；计算机安装有控制系统程序模块、算法程序模块、设置与判别程序模块、数据采集程序模块；测试控制系统主要由测试控制系统程序模块、仪器控制、测试设置、数据读取、数据拟合、曲线显示、数据处理与存储等功能模块组成。解决了现有PN结反向特性曲线测试仅靠人工观察定性判别、重复性和一致性差、批量化差、易造成热击穿现象的问题。广泛应用于半导体器件PN结的反向特性曲线合格判别测试，特别是电压调整二极管领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115662988A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211374285.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L25/16 , H01L23/373 , H01L21/52 , H01L23/08 , H01L23/10
Abstract: 本发明提供的一种高功率集成微电路模块的封装外壳及其封装方法；包括陶瓷外壳，陶瓷外壳内包括控制芯片区和辅控芯片区，控制芯片区和辅控芯片区之间设置有台阶，辅控芯片区中设置有多个金属层和内电极，金属层和内电极与陶瓷外壳底部的外电极连接，每个金属层之间通过凸起或凹陷隔开，所述陶瓷外壳上还固接有封口环,封口环上通过盖板密封。本发明将大功率芯片、控制子系统芯片及外围辅控芯片及无源器件直接安装在同一基座之上，实现一个基本完整、独立的系统功能；将功率芯片烧结在以钨铜为材料的大热沉之上，热沉材料贯穿于陶瓷壳体之间，实现内外电连接，大大降低了零件的寄生阻抗，同时最大程度提升产品散热效率，增加产品功率密度。
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公开(公告)号：CN112490196B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011582812.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/043 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的陶瓷外壳，包括陶瓷3，陶瓷3是一个矩形板，陶瓷3的下表面安装有偶数组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，每个上电极6通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，上电极6的两侧布置两排铜钼铜4，每个铜钼铜4通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接短电极2。本发明采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度。
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公开(公告)号：CN117686897A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311772562.3
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种开关器件试验电路，包括N个器件，N个器件状态的两端分别与监测模块和输出状态监测模块连接，所述器件状态监测模块包括控制单元和供电单元；所述N个器件分别通过电源单元供电，N个器件的信号输出端与控制单元连接，N个器件的信号输入端与分别与信号发生单元连接。能够集中对驱动开关产品的性能进行有效的长期高频次可靠性试验，开关频次以千万次计数，快速对产品进行筛选；电路简单，可以实现多台设备级联，具备很好的实现性、维护性和推广性。
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公开(公告)号：CN112490196A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011582812.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: H01L23/043 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种用于封装的陶瓷外壳，包括陶瓷3，陶瓷3是一个矩形板，陶瓷3的下表面安装有偶数组电极，每组电极包括一个长电极8和一个短电极2，相邻两组电极中心对称；陶瓷3的上表面的中线位置安装一排上电极6，每个上电极6通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接长电极8，上电极6的两侧布置两排铜钼铜4，每个铜钼铜4通过导体穿过陶瓷3上的通孔连接短电极2。本发明采用对称设计，可以在较小的零件尺寸内实现了多个芯片的集成，压丝区设计在中间陶瓷隔离区，中间陶瓷隔离区具备横向电隔离和纵向导电通路的双重作用，提高零件集成度。
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公开(公告)号：CN119438866A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411642839.5
申请日：2024-11-18
Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种高压MOS阵列模块可靠性试验方法及其试验电路，属于混合集成电路测试技术领域。所述高压MOS阵列模块包括两个或两个以上高压MOS阵列单元模块及相应的负载模块，每路的高压MOS器件控制电路和阻尼保护电路一一对应，每路带阻尼保护电路的高压MOS器件控制电路各自独立。试验方法包括：高压MOS器件控制电路的栅‑源极高温反偏试验方法、阻尼保护电路高温反偏试验方法、阻尼保护电路脉冲通电试验方法、高压MOS阵列模块高温功率老化试验方法。解决了现有MOS管可靠性试验系统不适用于多通道高压MOS阵列可靠性试验的问题，实现高压驱动类模块产品功率老化方面的不足。广泛应用于高压信号控制的开关驱动模块技术领域。
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