公开(公告)号：CN117711936A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311731208.6

申请日：2023-12-15

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 袁强 ,  古进 ,  贺晓金 ,  王智 ,  舒刚 ,  姚秋原 ,  张浩宇 ,  迟鸿燕 ,  王博 ,  陆超 ,  高俊英

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种冶金键合二极管及其制造方法，通过优化工艺流程和凸点结构，使金属凸点生长在钝化层中央，并且电镀后不需要再刻蚀金属种子层。比起现有技术，种子层刻蚀后再用光刻胶作为掩蔽层，从晶圆背面施加电镀电流，二极管处于导通状态，金属凸点将生长在正面种子层中间，正面种子层充当了金属凸点和钝化层之间的缓冲层，避免了封装过程中应力导致的钝化层损伤；并且，电镀工艺后，只需去胶即可，不需要再进行种子层金属刻蚀，减少了金属凸点侧刻问题，在后续高温烧焊后高温退火中，正面种子层可以防止金属向硅中扩散。

公开(公告)号：CN110676182A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910912298.6

申请日：2019-09-25

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  迟鸿燕 ,  王智 ,  丁小宏 ,  吴王进 ,  黄玉恒 ,  杨春梅 ,  蒋兴彪

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。

公开(公告)号：CN104659111A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510072182.8

申请日：2015-02-11

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  陈小璠 ,  许晓鹏 ,  杨辉 ,  覃了 ,  迟鸿燕

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/01

Abstract: 本发明公开了一种微型玻璃钝化封装整流二极管，包括管芯、电极、引线和玻璃封装外壳。所述管芯为单晶硅制成的PN结，其P面和N面分别依次与电极和引线连接。所述管芯与电极通过金属薄膜层熔焊键合在一起，所述电极和引线通过铜焊片熔融焊接在一起。将玻璃钝化封装的整流二极管的外部直径做到1个毫米以下，实现了整流二极管的微型化；同时，玻璃钝化封装与塑料封装相比，二极管的高温反向漏电流更小、工作温度范围更宽、可靠性更高。

公开(公告)号：CN109192658A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810909448.3

申请日：2018-08-10

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 杨俊 ,  古进 ,  石文坤 ,  迟鸿燕 ,  吴王进

IPC: H01L21/228 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供的一种降低合金型电压调整二极管正向压降的扩散方法，采用N型单晶硅片为衬底材料，使用深结扩散工艺制造欧姆接触，其步骤为：硅片清洗→一次携带源扩散→一次涂源扩散→二次携带源扩散→二次涂源扩散→三次携带源扩散→第四次携带源扩散。采用携带源扩散和涂源扩散交替扩散的方式，大大提升了芯片的表面浓度，降低了合金型电压调整二极管的正向压降，该工艺对于深结台面型半导体器件的制造具有较高的使用推广价值。

公开(公告)号：CN106024624A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610584257.5

申请日：2016-07-23

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  杨俊 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻 ,  龚昌明 ,  杨波

IPC: H01L21/329

CPC classification number: H01L29/6609

Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。

公开(公告)号：CN112186043B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202011060720.9

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 刘德军 ,  石文坤 ,  马建华 ,  迟鸿燕 ,  杨波 ,  杨正义

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。

公开(公告)号：CN112186043A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011060720.9

申请日：2020-09-30

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 刘德军 ,  石文坤 ,  马建华 ,  迟鸿燕 ,  杨波 ,  杨正义

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。

公开(公告)号：CN104795335A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510193603.2

申请日：2015-04-22

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  杨艳 ,  杨辉 ,  迟鸿燕 ,  杨彦闻

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤：a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片，b、将所述管芯分极处理后，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片，c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端，d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀两次，每次3分钟，然后用大量去离子水冲洗干净，e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型。本发明采用钨电极引线制造高压硅堆，提高了产品的抗浪涌电流能力，同时采用钨电极引线制造的高压硅堆可靠性明显提高。

公开(公告)号：CN110970298A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911403212.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 刘德军 ,  闫义奇 ,  丁晓宏 ,  张开云 ,  迟鸿燕 ,  杨春梅

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：本发明通过加工具有弹性的引线，将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配，加工完成后再将电极引线剪开，使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。

公开(公告)号：CN105977309B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610584260.7

申请日：2016-07-23

Applicant: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

Inventor： 古进 ,  杨俊 ,  肖汉斌 ,  迟鸿燕 ,  吴王进 ,  蔡美晨

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。