-
公开(公告)号：CN114421931B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210108022.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明提供了一种伪随机分频信号产生电路及方法，所述伪随机分频信号产生电路包括伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块。本发明将伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块结合起来，实现了对固定时钟脉冲的随机化分频，在降低时钟频率的同时，使得噪声功率谱密度均匀的分布在整个频域内，从而使得所有频率范围内具有相同能量密度的噪声，达到抗噪声干扰的目的，其产生的伪随机时钟脉冲信号可很好的用于要求失调较低的电路或者运算放大器，在自稳零运放中使用这种时钟进行失调电压校准时，在降低失调电压的同时，可以使时钟对运放输入端的影响呈现类似噪声的频谱特点，可有效避免使用周期性时钟造成的固定频点杂散，提高了抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN114421931A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210108022.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K3/84
Abstract: 本发明提供了一种伪随机分频信号产生电路及方法，所述伪随机分频信号产生电路包括伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块。本发明将伪随机序列发生模块、分频模块及输出模块结合起来，实现了对固定时钟脉冲的随机化分频，在降低时钟频率的同时，使得噪声功率谱密度均匀的分布在整个频域内，从而使得所有频率范围内具有相同能量密度的噪声，达到抗噪声干扰的目的，其产生的伪随机时钟脉冲信号可很好的用于要求失调较低的电路或者运算放大器，在自稳零运放中使用这种时钟进行失调电压校准时，在降低失调电压的同时，可以使时钟对运放输入端的影响呈现类似噪声的频谱特点，可有效避免使用周期性时钟造成的固定频点杂散，提高了抗干扰能力。
-
公开(公告)号：CN112349785A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011232183.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。
-
公开(公告)号：CN115295627A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211028299.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Inventor： 谭开洲 , 肖添 , 李孝权 , 徐学良 , 王颖 , 江永清 , 王育新 , 李光波 , 王鹏飞 , 裴颖 , 吴健 , 李儒章 , 王志宽 , 邱盛 , 张培健 , 张正元 , 刘玉奎
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349785B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011232183.1
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/40
Abstract: 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。
-
公开(公告)号：CN115117155A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110919735.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种电阻场板非对称栅场效应器件及其制备方法，该电阻场板非对称栅场效应器件的最小可重复单元中设置有两个不对称的深槽型电阻场板结构，第一个电阻场板结构的顶端设有MOSFET结构且其与MOSFET结构的源极电极连接，第二个电阻场板结构的顶端引出控制电极，当MOSFET结构的源极电极与控制电极同电位连接时，由于两个电阻场板结构的结构不对称、存在差异，二者产生的电场耦合效果更好，更适应提升MOSFET耐压漂移区杂质浓度，降低了漂移区导通电阻而同时保持耐压，优化了导通电阻与耐压之间的基本矛盾，同时，电场耦合效果更好，对相邻的其他最小可重复单元的排斥挤压也降低，从而便于最小可重复单元的结构压缩，有利于结构小型化设计和高密度化设计。
-
公开(公告)号：CN112349786B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011233504.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
-
公开(公告)号：CN115295627B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202211028299.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Inventor： 谭开洲 , 肖添 , 李孝权 , 徐学良 , 王颖 , 江永清 , 王育新 , 李光波 , 王鹏飞 , 裴颖 , 吴健 , 李儒章 , 王志宽 , 邱盛 , 张培健 , 张正元 , 刘玉奎
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。
-
公开(公告)号：CN112349786A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011233504.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.031 seconds)
