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公开(公告)号：CN102433544A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102433544B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210007583.1
申请日：2012-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南京航空航天大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的制备方法，以多苯环芳香族碳氢化合物作为碳源，采用碳源分解法或碳源旋涂法在铜箔表面生长出石墨烯。制得的石墨烯表面光滑平整、面积大、层数可控。相比传统的高温CVD法制备石墨烯薄层的方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110444630B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810434714.1
申请日：2018-05-04
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种室温下快速减薄与制绒晶硅的方法。减薄与制绒时均采用金属铜作为腐蚀催化剂，通过调节腐蚀溶液中ρ值(ρ＝[HF]/([HF]+[H2O2])，在室温下实现快速减薄制作超薄晶硅材料后再在其表面快速制作减反射绒面，可用于高效超薄单晶硅太阳电池的制作。本发明的优点在于：在室温下晶硅减薄与制绒速率非常快，通过ρ值的调节能够改变减反射绒面的形貌，从减反射复合倒金字塔结构、小倒金字塔结构到大倒金字塔结构，是一种具有应用价值的快速减薄与制绒晶硅材料的技术。
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公开(公告)号：CN109929203B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201910148248.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种波长转换发光薄膜的制备方法。本发明提供的发光薄膜的制备方法具有工艺简便、成本低、发光强度可控以及与衬底结合力强的特点。本发明公开的制备方法包括以下步骤：(1)采用油酸和乙醇混合物溶解氯化稀土盐和氟化钠后，用溶剂热法合成波长转换发光纳米粉体；(2)将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)颗粒溶解在苯甲醚有机溶液中制备出PMMA溶液；(3)将波长转换发光纳米粉体分散在PMMA溶液中，用磁力搅拌加超声波振荡得到均质的波长转换发光纳米粉体的分散液；(4)采用旋涂法将所制备的分散液旋涂在清洁的衬底上，再在热盘上烘干得到PMMA包裹发光纳米粉体的上转换或下转换发光薄膜。
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公开(公告)号：CN111710756A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010620151.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216
Abstract: 本申请公开了新型PERC电池制作方法，包括获得正面具有N型掺杂层的硅衬底；在硅衬底的正面形成氧化硅层；在氧化硅层背离硅衬底的表面形成非晶硅层；对非晶硅层进行扩散和晶化处理得到重掺杂的多晶硅层：将硅衬底置于扩散设备中，首先通入扩散源对非晶硅层进行掺杂，然后通入保护性气体对掺杂进行推进，再次通入扩散源对非晶硅层进行掺杂；在多晶硅层背离氧化硅层的表面形成图形为正面金属化图案的掩膜，并对多晶硅层和氧化硅层进行回刻处理；在硅衬底的背面形成第一钝化膜，并在硅衬底的正面形成第二钝化膜；对第一钝化膜进行开槽处理，并分别制作正面电极和背面电极，得到新型PERC电池，提升电池效率。本申请还提供具有上述优点的电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110791807A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911075910.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 南京航空航天大学 , 维科诚(苏州)光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于太阳能晶硅片的硅锭，所述硅锭包括硅锭本体以及开设在所述硅锭本体侧面上的穿槽和/或开设在所述硅锭本体内部的穿孔，所述穿槽和穿孔呈直线延伸，所述穿槽和穿孔对应太阳能电池片的栅线开设。本发明的硅锭，采用预先在硅锭上开设出穿槽或穿孔，之后将该硅锭直接切割成带有贯通槽的晶硅片，无需在形成电池片之后再增加设备进行贯通槽的制作，也无需对每块电池片进行开槽，不仅简化了流程，也降低了能耗、成本。穿槽和穿孔的开设通过先采用激光对预设的切割路径进行加热，之后采用水对切割路径进行冷却，通过冷热交替实现硅锭沿着切割路径的断开从而形成穿槽或穿孔，由此得到的断面整齐、无裂纹，降低了电池片的隐裂风险。
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公开(公告)号：CN110571162A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910868740.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 南京航空航天大学 , 维科诚(苏州)光伏科技有限公司
Abstract: 模拟太阳能电池片光照热衰减的装置，包括：底盘、连接在底盘上并向上延伸固定支架、用于放置太阳能电池片的下加热器、设置在所述固定支架上的光照加热装置、用于控制所述光照加热装置和下加热器发热量的温度控制系统，光照加热装置包括红外加热灯管，通过红外加热灯管在太阳能电池片上方模拟太阳光，并在太阳能电池片下方设置下加热器使得太阳能电池片受热均匀，通过设置温度控制系统控制太阳能电池片的温度，解决了太阳能电池片上下表面同时加热，精准控制加热温度，并在太阳能电池片上方提供光照的技术问题；使用上述装置检测衰减量的方法，包括初始值检测、模拟光照热衰减、冷却并最终检测、计算衰减量，方法简单易用，准确性高、可复现性强。
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公开(公告)号：CN109273540A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811441161.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445
Abstract: 本发明公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；第一阻挡层为厚度10～200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层；金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；第二阻挡层为厚度5～50nm的MoN膜层或TiN膜层；内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极，电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时，更进一步提高了薄膜电池的性能，且工艺简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN105256274B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510550954.4
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/06 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法。本发明首先使用共溅射方法在加热衬底上沉积三层贫铜富锌/理想配比/贫铜富锌的铜锌锡硫预置层薄膜，然后将预置层薄膜在硫气氛中以特定的退火处理工艺得到铜锌锡硫吸收层。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、制备工艺简单、薄膜成分及厚度可控，相较于传统溅射预置层后硫化制备铜锌锡硫薄膜的方法，其元素分布，晶粒尺寸的均匀性有很大提高，在太阳电池材料与器件技术领域方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN106340446A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610898678.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO3/H2O混合溶液中进行制绒处理(3)将制绒好的硅片置于H2O2/HF/AgNO3/Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备纳米结构；(4)采用纳米重构溶液对纳米结构进行扩大处理，进行各向异性腐蚀从而去除多晶硅表面切割痕。本发明是基于MACE(金属辅助化学腐蚀法)制备黑硅减反结构的基础上，利用腐蚀过程中的各向异性去除金刚线切割多晶硅片表面切割痕，同时也大大降低的硅片表面的反射率，对未来低成本、高转换效率的金刚线切割多晶硅太阳电池的制备具有重要的应用潜能。
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