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公开(公告)号：CN117233910A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311289058.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B7/00
Abstract: 本公开提供了一种横向形变调控系统，可以应用于微纳技术领域。该系统包括：探测器采集待调控的光学元件的指定区域的横向形变数据，控制系统根据横向形变数据，利用调控算法向控制器发送驱动电压控制指令，控制器执行驱动电压控制指令，调控调控单元的驱动电压，调控单元包括依次设置的安装板、至少一个驱动模块和吸盘，吸盘包括两个相对的吸面，一个吸面上设置至少一个驱动模块，另一个吸面上贴附待调控的光学元件，驱动模块在驱动电压的作用下自身产生纵向形变，并使贴附在吸盘上的待调控的光学元件发生横向形变。改变横向调节横向形变的传统思维，从吸盘另一吸面也即背面入手，通过纵向形变调控横向形变，自动化的实现掩模横向形变调控。
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公开(公告)号：CN115527847B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211219961.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种表面改性的衬底保持器及其制备方法，该制备方法包括：S1，在粗抛光后的基板上沉积改性层，改性层为易于刻蚀的材料；S2，对改性层进行精抛光，精抛光达到的平面度大于粗抛光达到的平面度；S3，在精抛光后的改性层上形成耐磨层；S4，在耐磨层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，得到第一图形结构；S5，在显影后的光刻胶层上生长金属掩模层，再剥离去除光刻胶层，在金属掩模层中得到第二图形结构；S6，采用反应离子刻蚀将第二图形结构转移至改性层中，去除金属掩模层，得到表面改性的衬底保持器。本公开的方法能够简单高效地加工出高精度的衬底保持器，满足高制程加工的需求。
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公开(公告)号：CN115877670A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211715722.6
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种图案形成装置的热控方法，包括：S1，开启补偿照明，将图案形成装置加热至热平衡温度区间后，关闭补偿照明；补偿照明的照明区域面积为SC1×C2；S2，开启第一检测照明，检测步骤完成后关闭第一检测照明；第一检测照明的照明区域面积为SD1×D2；S3，开启曝光照明，曝光步骤完成后关闭曝光照明；曝光照明的照明区域面积为SE1×E2；其中，SC1×C2≥SD1×D2≥SE1×E2；S1、S2和S3在相互切换过程中，图案形成装置温度维持在热平衡温度区间；在热平衡温度区间内，补偿照明区域边缘Z向形变量ΔΔZC1×C2大于等于图案形成装置中心Z向的形变量ΔZ的50％。本公开通过引入补偿照明，实现图案形成装置长时间维持热平衡，使得图案形成装置的图形能维持稳定的变形。
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公开(公告)号：CN116045857A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211533112.4
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种检测装置、检测方法、加工设备及加工方法，检测装置包括：激光干涉仪，用于发射激光光束与待处理元件表面形成干涉条纹，带动干涉条纹移相，采集干涉条纹的相位信息，根据干涉条纹的相位信息获得连续面形数据；白光干涉检测头，用于对待处理元件表面进行垂直扫描，获取离散微结构的形貌数据。加工设备包括：如上述的检测装置，用于测量待处理元件表面的连续面形数据和离散微结构的形貌数据，将连续面形数据和离散微结构的形貌数据匹配生成待处理元件表面的全貌数据；加工装置，用于根据全貌数据生成加工参数，根据加工参数对待处理元件表面进行单点非耦合加工。该装置、设备及方法能够实现离散微结构表面的高精度检测及加工。
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公开(公告)号：CN115440650A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211147087.6
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/687 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种柱销式衬底保持器及其制备方法，该制备方法包括：S1，在低面形起伏的基底(1)上依次形成金属掩蔽层(2)、有机保护层(3)和感光层(4)；S2，对感光层(4)进行曝光、显影，得到柱销式结构；S3，依次刻蚀有机保护层(3)、金属掩蔽层(2)，将柱销式结构转移至有机保护层(3)、金属掩蔽层(2)中；S4，使用腐蚀液对基底(1)进行腐蚀，将柱销式结构继续转移至基底(1)中，基底(1)中柱销式结构的上表面保持了基底(1)初始的低面形起伏；S5，去除感光层(4)、有机保护层(3)和金属掩蔽层(2)，得到柱销式衬底保持器。本公开的方法基于微纳加工技术可以制备出大面积、高平整度的柱销式衬底保持器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111272089B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010138013.0
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明公开了一种原位间隙检测装置与检测方法。该装置包括：用于支撑整体结构的外围框架；用于精密定位、调平、间隙控制和承载样片的工件台模块；用于装载母板、检测调平精度的承载模块；用于测量原位间隙的原位间隙检测模块；用于数据采集、处理与反馈控制的控制系统。该发明基于白光干涉间隙测量方法，通过外围三点监测母板与样片之间的间隙，并反馈控制工件台模块进行精密调平与间隙控制。同时结合白光干涉间隙测量方法与显微成像方法，对母板与样片中间工作区域进行横向分辨力高、检测精度高的原位间隙检测。
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公开(公告)号：CN111272153A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010138021.5
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01C15/00
Abstract: 本发明公开了一种被动调平结构的检平装置和方法，属于被动调平结构的技术领域。该装置包括用于产生相对位移的驱动模块、用于实现被动调平的调平模块、用作检测光源的光源模块、用于调平状态监测的检平模块以及用于信号采集与反馈控制的控制系统。该装置和方法通过准直激光入射到被动调平的反射板上，通过位置敏感探测器探测反射回来的光束，进而判断调平状态，有效的解决了被动调平结构的检平问题，具有实时、非接触和高精度检测等特点。
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公开(公告)号：CN115981109A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211672168.8
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种间隙检测系统，用于检测模板和基板之间的全局间隙数据，包括：支撑框架；模板架，包括检焦模块，用于实时监测模板与基板之间的间隙数据；工件台模块，包括承片台，用于调整基板的位置和姿态；正立面形检测模块，用于对基板进行检测，得到第一面形数据；折转面形检测模块，可在检测位置、避让位置之间进行位置切换，用于对模板进行检测，得到第二面形数据；控制系统，用于获取模板、基板的位置数据以及正立面形检测模块、折转面形检测模块的标定数据，在获取模板与基板间的倾斜角度后，用于结合位置数据、标定数据、第一面形数据和第二面形数据计算得到模板与基板之间的全局间隙数据。
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公开(公告)号：CN115959479A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310089780.0
申请日：2023-02-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B65G47/91
Abstract: 本公开提供一种吸盘气道的设计方法、吸盘和设计装置，设计方法包括：在吸盘的吸附面上离散设置M个孔；从M个孔中随机选择N个孔加载真空，将压强载荷几何映射到样品上，其他孔合并为吸附面，计算组样品最大形变量与最小形变量间的形变量差值；分别计算N＝1～M时，样品的形变量差值；对形变量差值从小到大排序，统计前P％形变量差值中孔被选用的频次，选用频次最高的前Q个孔之间的吸附面加工为吸盘气道。该设计方法可以高效率、自动化的挑选出对样品吸附面形影响小的孔，降低吸盘吸附样品后，吸附力对样品面形的影响；并且该设计方法适用于不同形状、尺寸、材质和重量的样品，通用性强。
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公开(公告)号：CN115527847A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211219961.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了一种表面改性的衬底保持器及其制备方法，该制备方法包括：S1，在粗抛光后的基板上沉积改性层，改性层为易于刻蚀的材料；S2，对改性层进行精抛光，精抛光达到的平面度大于粗抛光达到的平面度；S3，在精抛光后的改性层上形成耐磨层；S4，在耐磨层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影，得到第一图形结构；S5，在显影后的光刻胶层上生长金属掩模层，再剥离去除光刻胶层，在金属掩模层中得到第二图形结构；S6，采用反应离子刻蚀将第二图形结构转移至改性层中，去除金属掩模层，得到表面改性的衬底保持器。本公开的方法能够简单高效地加工出高精度的衬底保持器，满足高制程加工的需求。
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