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公开(公告)号：CN102842613B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210348006.9
申请日：2012-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
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公开(公告)号：CN103123934A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310048977.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。
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公开(公告)号：CN103117304A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310054863.2
申请日：2013-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。本发明可增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN102427084A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110401468.8
申请日：2011-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
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公开(公告)号：CN102931230B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210467084.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。本发明可以显著提高沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力，遏制缓冲层的漏电，同时降低势垒层的晶格应变，减少缺陷密度，提高器件工作的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN103882409B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410092524.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种源输送混合比可调气路装置。该源输送混合比可调气路装置包括：载气主管路，其入口连接至载气源；M个气动阀门，其出口分别连接至薄膜沉积腔室中的M个生长位置；以及N路的源载气混合管路，对于该N路源载气混合管路中的每一路而言，其入口连接至载气主管路和一种有机源气体及针对该有机源气体的掺杂源气体的入口，其M个出口分别连接至M个气动阀门中相应气动阀门的入口。本发明将不同的反应源材料通过各自的生长管线分别送入反应室，避免了前后两次反应源材料的污染。
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公开(公告)号：CN103882409A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410092524.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种源输送混合比可调气路装置。该源输送混合比可调气路装置包括：载气主管路，其入口连接至载气源；M个气动阀门，其出口分别连接至薄膜沉积腔室中的M个生长位置；以及N路的源载气混合管路，对于该N路源载气混合管路中的每一路而言，其入口连接至载气主管路和一种有机源气体及针对该有机源气体的掺杂源气体的入口，其M个出口分别连接至M个气动阀门中相应气动阀门的入口。本发明将不同的反应源材料通过各自的生长管线分别送入反应室，避免了前后两次反应源材料的污染。
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公开(公告)号：CN103123934B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310048977.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面。本发明可以增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率，同时器件的栅电流得到降低。
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公开(公告)号：CN102427084B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110401468.8
申请日：2011-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
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