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公开(公告)号：CN119059563A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411199814.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料技术领域，尤其涉及一种二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法。该制备方法是以具有二维层状结构的材料为衬底，采用化学气相沉积法制备所述二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片。本发明通过采用具有二维层状结构的材料为衬底，能够利用化学气相沉积法制备出比表面积大、厚度更薄的二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片，该制备方法操作简单、重复性高、可控性强，克服了现有技术采用化学气相沉积法(CVD)很难合成出具有天然缺陷的二维纳米片的技术难题。
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公开(公告)号：CN106145116A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510172469.8
申请日：2015-04-13
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C01B33/027
Abstract: 本发明公开一种一维硅纳米线制备方法，该方法包括如下步骤：1)将SiO粉末放入耐热容器中，然后将所述耐热容器放置于密闭加热装置的加热区；2)将洁净的钼网放置于另一耐高温的容器中，然后将其放置在所述密闭加热装置的非加热区；3)降低所述密闭加热装置内压力；4)向所述密闭加热装置充入保护气体；5)将所述加热装置温度升至1200-1300℃进行反应；6)反应结束后，使所述加热装置自然降温。本方法硅纳米线结晶性高，操作简单，重复性高，可控性强。
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公开(公告)号：CN114864377A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110154408.4
申请日：2021-02-04
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C23C16/01 , C23C16/30 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开一种易转移的PbX单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：在反应容器中放置可溶于水的单晶片衬底，充入惰性气体，升温至500‑680℃，PbCl2粉末和X粉各自升华后的气体混合反应，反应结束后，自然冷却至室温，单晶片衬底表面异质外延生长有PbX单晶薄膜；将单晶片衬底溶解，得到PbX单晶薄膜；其中，X为S、Te、Se。本发明采用化学气相沉积法，得到的单晶薄膜的结晶度高、晶体取向单一、内部缺陷少，与衬底的剥离过程对单晶薄膜没有损伤，单晶薄膜可以保持原有的晶体取向和完整的形貌。同时，该制备方法简单、耗时短、可控性强、成本低，在光电子学领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106653957B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610955028.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 一种表面等离激元电致激发和电学调制集成器件，包括背电极、半导体衬底、半导体有源结构、第一介质层、金属电极和波导结构、定向耦合结构、第二介质层、石墨烯结构以及石墨烯的金属电极和波导结构。通过电注入半导体量子阱材料，以近场耦合作用的方式激发金属和半导体介质界面的表面等离激元，并使之定向耦合输出后在金属‑介质波导上传播，实现表面等离激元的电致激发。利用石墨烯载流子浓度随所施加栅电压变化而使得费米能级、介电常数随之变化的特性，在金属电极、第二介质层和石墨烯构成的类场效应管结构中，通过石墨烯所加电压实现对电致激发表面等离激元传播的宽带、高速调制。
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公开(公告)号：CN105839189B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510024107.4
申请日：2015-01-16
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105420815B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610009580.X
申请日：2016-01-07
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8‑20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20‑300Torr，并保持气体流速在20‑200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600‑800℃，反应时间为5‑30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性较强，获得的SnS具有尺寸大、均匀性好、结晶度高等优点，在场效应晶体管、光电探测器、光催化制氢、锂离子电池等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105420815A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610009580.X
申请日：2016-01-07
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待炉内压强降至0.1Pa时，充入不活泼气体使管式炉腔内压强回到20-300Torr，并保持气体流速在20-200sccm间；将水平管式炉加热中心升温至600-800℃，反应时间为5-30分钟，待管式炉腔内温度自然降温到室温后，取出衬底，衬底表面即生长有硫化亚锡二维单晶纳米片。该法操作简单、成本较低、可控性较强，获得的SnS具有尺寸大、均匀性好、结晶度高等优点，在场效应晶体管、光电探测器、光催化制氢、锂离子电池等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105220229A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510751551.6
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即为ZnO单晶纳米管阵列。该方法经济便捷，可控性强，重复性高。制备出的ZnO纳米管管壁薄、结晶性高、排列整齐，在太阳能电池、光催化、生物和气体传感器等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN103614777A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310629635.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大面积单层和多层二硒化钼单晶片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)衬底的清洗；2)将衬底、三氧化钼粉末和硒粉放入反应炉中；3)给反应炉内抽真空，充入不活泼气体；4)反应炉内升温、反应、自然降温；取出衬底，衬底上得到大面积反应产物。该法操作简单、重复性高、可控性强，制备出的MoSe2具有面积大、均匀性好、质量高等优点，在太阳能电池、场效应晶体管、光催化制氢等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116445887A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310730128.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/458 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于纳米半导体技术领域，具体涉及一种利用螺旋外延生长制备金属性二维过渡金属硫族化合物的方法，采用两步化学气相沉积法可控的螺旋外延生长金属性二维过渡金属硫族化合物，第一步以硫族粉末和金属氧化物为前驱体，氧化硅为衬底，通过倾斜衬底制备螺旋生长的半导体性二维过渡金属硫族化合物；第二步以螺旋生长的半导体性二维过渡金属硫族化合物为衬底，以硫族粉末、金属氧化物和金属粉末为源材料，在螺旋结构上外延生长金属性二维过渡金属硫族化合物。该方法操作简单、重复性高、可控性强，制备出的金属性二维过渡金属硫族化合物具有均匀性好、质量高等优点，在光电探测器、光催化制氢、锂离子电池领域具有重要研究价值和广泛应用前景。
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