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公开(公告)号：CN104178815A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410405907.6
申请日：2014-08-18
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种在单晶ZnO衬底上外延生长大面积单晶ZnS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硫化锌粉末、单晶ZnO衬底放入双温区管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入保护气体；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品。该方法操作简单、可控性强、重复性高，制备的ZnO/ZnS异质结薄膜具有优良的异质外延结构，在光电探测器、太阳能电池、光催化等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105926034B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201610450846.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN105839189A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510024107.4
申请日：2015-01-16
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。
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公开(公告)号：CN102618849B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210068382.2
申请日：2012-03-15
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C23C16/448 , C23C16/40 , C04B35/628 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好，且SnO2包覆均匀。制备出的ZnO/SnO2一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN102104079A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010599082.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法，属于异质结构纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出一维ZnO/ZnS核壳结构的纳米阵列；通过醋酸除去ZnO核，得到单晶ZnS纳米管阵列。本发明制备出的一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列，形貌规整，排列整齐，ZnO完全被ZnS包覆，其中ZnO和ZnS是外延关系，且ZnS是单晶外延。ZnO和ZnS的这种复合结构，由于存在电荷的转移效应，在光催化、太阳能电池以及光电开关等纳米光电领域中具有广泛的应用前景和研究价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105926034A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610450846.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
CPC classification number: C30B23/007 , C30B29/48 , C30B29/50
Abstract: 本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN105839189B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510024107.4
申请日：2015-01-16
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原子层厚度ZnO单晶纳米片的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉、衬底放入管式炉中；(2)打开机械泵，对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)设定升温程序，反应后自然降温；(4)取出样品，衬底上生长了原子层厚度的ZnO纳米片。该方法制备步骤简单、耗时少、重复性高。
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公开(公告)号：CN105220229A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510751551.6
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即为ZnO单晶纳米管阵列。该方法经济便捷，可控性强，重复性高。制备出的ZnO纳米管管壁薄、结晶性高、排列整齐，在太阳能电池、光催化、生物和气体传感器等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN103614777A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310629635.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种大面积单层和多层二硒化钼单晶片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)衬底的清洗；2)将衬底、三氧化钼粉末和硒粉放入反应炉中；3)给反应炉内抽真空，充入不活泼气体；4)反应炉内升温、反应、自然降温；取出衬底，衬底上得到大面积反应产物。该法操作简单、重复性高、可控性强，制备出的MoSe2具有面积大、均匀性好、质量高等优点，在太阳能电池、场效应晶体管、光催化制氢等领域中具有重要的研究价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102104079B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010599082.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法，属于异质结构纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出一维ZnO/ZnS核壳结构的纳米阵列；通过醋酸除去ZnO核，得到单晶ZnS纳米管阵列。本发明制备出的一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列，形貌规整，排列整齐，ZnO完全被ZnS包覆，其中ZnO和ZnS是外延关系，且ZnS是单晶外延。ZnO和ZnS的这种复合结构，由于存在电荷的转移效应，在光催化、太阳能电池以及光电开关等纳米光电领域中具有广泛的应用前景和研究价值。
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