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公开(公告)号：CN113437198B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN111744870A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010587560.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: B08B3/08 , B08B13/00 , C11D1/04 , C11D3/60 , C11D3/04 , C11D3/08 , C11D3/10 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/37 , C11D7/02 , C11D7/10 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法，包括：一、将金锡焊接后的半导体器件浸泡在清洗液中；二、将半导体器件浸泡在装有纯水的水槽内，除去半导体器件上的清洗液；三、将半导体器件浸泡在酒精溶液中，除去半导体器件上的纯水；四、对半导体器件进行加热，除去半导体器件上的酒精。本发明的清洗方法通过步骤(一)、(二)、(三)和(四)的相互配合，有效除去金锡焊接后的助焊剂及其他污染物质，提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113776026A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110964612.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开一种发光装置，包括框体、光源组件以及气凝胶层，所述框体具有一侧开口的安装腔，所述光源组件设于所述安装腔，所述光源组件用于发出光线，所述气凝胶层设于所述安装腔且位于所述光源组件的发光侧，其中，所述光线入射所述气凝胶层以使所述气凝胶层呈现预设颜色。本发明提供的发光装置，通过在所述光源组件的发光侧设置所述气凝胶层，所述光源组件发出的光线经过所述气凝胶层中的孔洞会发生瑞利散射，从而使所述气凝胶层呈现蓝色，通过模拟蓝天形成的过程呈现出蓝天效果，所述气凝胶层内部孔洞分布均匀，提高所述气凝胶层上呈现蓝色的均匀性，模拟蓝天的效果好；且所述气凝胶层性质稳定，利于发光装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113517375A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110324699.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 佛山中国科学院产业技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
Abstract: 本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN113437198A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110792197.7
申请日：2021-07-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。
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公开(公告)号：CN213401192U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022147638.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型涉及一种深紫外LED封装结构，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板，减少一次介质损失，芯片与盖板之间间隙较小甚至没有，不需考虑真空封装或空气封装问题，减少影响可靠性因素,提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN215929478U
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202121973967.X
申请日：2021-08-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本实用新型公开一种发光装置，包括框体、光源组件以及气凝胶层，所述框体具有一侧开口的安装腔，所述光源组件设于所述安装腔，所述光源组件用于发出光线，所述气凝胶层设于所述安装腔且位于所述光源组件的发光侧，其中，所述光线入射所述气凝胶层以使所述气凝胶层呈现预设颜色。本实用新型提供的发光装置，通过在所述光源组件的发光侧设置所述气凝胶层，所述光源组件发出的光线经过所述气凝胶层中的孔洞会发生瑞利散射，从而使所述气凝胶层呈现蓝色，通过模拟蓝天形成的过程呈现出蓝天效果，所述气凝胶层内部孔洞分布均匀，提高所述气凝胶层上呈现蓝色的均匀性，模拟蓝天的效果好；且所述气凝胶层性质稳定，利于发光装置的使用寿命。
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