络合剂电解液体系下电化学阳极氧化制备多孔铜箔的方法

    公开(公告)号:CN115261952B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202210838465.9

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种络合剂电解液体系下电化学阳极氧化制备多孔铜箔的方法。所述方法包括:提供电解液,所述电解液主要包括络合剂电解液和电解液添加剂,所述络合剂电解液包括酒石酸钾钠、EDTA‑2Na、柠檬酸钠等,所述电解液添加剂包括硫酸铵、氯化钠、氨水、硫酸铜、氢氧化钠、硫酸钠等;以铜基金属材料为阳极,使其与阴极、电解液共同构建电化学反应体系,进行电化学阳极氧化,制得多孔铜箔。本发明的方法通过对铜箔进行阳极氧化,并辅以络合剂电解液形成铜的螯合物并吸附在阳极表面,该方法操作流程短,制备成本低,可制备出高比表面积、高电子传输效率和较高强度的多孔铜箔,在二次电池集流体、电催化等领域应用潜力巨大。

    基于难溶盐模板的金属铝表面粗化方法

    公开(公告)号:CN117987836A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410166011.0

    申请日:2024-02-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于难溶盐模板的金属铝表面粗化方法。所述金属铝表面粗化方法包括:提供粗化溶液,其包含氢离子、硫酸根以及铵离子;使粗化溶液与金属铝的表面接触,氢离子对金属铝进行腐蚀反应,且金属铝的表面形成微观不连续分布的硫酸铝铵难溶盐模板的覆盖,发生不均匀刻蚀;去除硫酸铝铵难溶盐模板,完成表面粗化。本发明通过溶液组分设计,使得金属铝腐蚀的同时,生成微溶的硫酸铝铵,以此形成不连续的微观掩模,结合了物理掩模和化学腐蚀形成了粗化程度较高的表面。并且可以对金属铝表面进行无死角的均匀粗化同时粗化,在特性和外观上也与传统喷砂法有所不同;所用手段比较温和,不会使器件表面遭受较为强大的外力作用,避免形变。

    一种聚丙烯基复合铜箔及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117947411A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202410177240.2

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种聚丙烯基复合铜箔及其制备方法与应用。所述制备方法包括:使包含异丁醇、丙烯酸、选定功能物质和水的混合浆料充分搅拌混合,形成凝胶,选定功能物质包括纤维素、瓜尔豆胶、阿拉伯胶中的至少一种;将所述凝胶施加于聚丙烯薄膜表面,并陈化处理,获得表面羧基化的聚丙烯薄膜,之后将其依次浸润于SnCl2水溶液、银氨溶液中,再浸润于沉铜液进行化学镀铜处理,制得聚丙烯基复合铜箔。本发明的方法可实现对聚丙烯膜表面的离线接枝,极大地缩短产品的在线处理时间,将在线工艺转变为离线工艺,使得通过化学接枝的方式对聚丙烯薄膜表面进行处理在工业上成为可能。并且,制备所得聚丙烯基复合铜箔的铜层均匀、且与基底结合牢固。

    一种从盐湖卤水中电解去除硫化氢的方法

    公开(公告)号:CN115432787B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202211175536.8

    申请日:2022-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种从盐湖卤水中电解去除硫化氢的方法。所述方法包括:采用双室隔膜电解法,以包括硫化氢的待处理盐湖卤水为阳极室电解液,使其与阴极室电解液、阴极与阳极共同构建电化学反应体系,之后通电进行电解反应,使待处理盐湖卤水中的硫化氢电氧化成为单质硫,从而使硫化氢从卤水中除去。本发明提供的方法将卤水中的硫化氢电氧化成为单质硫,再经由过滤从卤水中除去。同时,由于阴离子交换膜阻止了卤水中的钙镁等离子向阴极扩散,可阻止钙镁离子在阴极表面的沉积,避免卤水成分发生改变。通过本发明的方法除硫化氢后的卤水,可直接应用于后续成矿工艺,有效解决了含硫化氢卤水在开发过程中存在的环境压力大、元素提取难等问题。

    一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN118007224A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410176622.3

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种硼酸体系中超低轮廓铜箔的制备方法及应用。所述制备方法包括:提供硼酸体系,其包括苯并三氮唑、有机铵盐和硼酸;使作为工作电极的待处理铜箔、对电极、电解液共同构建形成电化学反应体系,所述电解液包括磷酸‑乙醇水溶液和硼酸体系;使所述电化学反应体系通电,对待处理铜箔表面进行电化学抛光,制得超低轮廓铜箔。本发明提供的超低轮廓铜箔的制备方法利用硼酸体系制备适用于6G通讯用PCB板的超低轮廓铜箔,同时硼酸及聚硼酸盐的存在使电化学抛光过程中点蚀大幅度减少,进一步提高铜箔表面平坦度,制备得到的铜箔产品同时具有超薄且超低表面粗糙度的特性,使得该材料在更多领域具有应用的可能性。

    一种多孔铜箔的高效制备方法及应用

    公开(公告)号:CN117987907A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410168507.1

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种多孔铜箔的高效制备方法及应用。所述高效制备方法包括:提供络合剂电解液体系,所述络合剂电解液体系包括络合剂和添加剂,所述络合剂包括酒石酸钾钠和EDTA盐,所述添加剂包括两性嵌段聚合物;以铜箔作为工作电极,使所述工作电极、对电极与络合剂电解液体系构建电化学体系,通电进行电解,对铜箔进行电化学氧化刻蚀处理,使铜箔表面生成微米级孔洞,制得多孔铜箔。本发明的高效制备方法在络合剂电解液体系的基础上,使用添加剂两性嵌段聚合物,可以在短时间内形成数量多、孔径均匀、刻蚀完全、高比表面积的多孔铜箔,同时,铜箔边缘未被溶解,边缘清晰,完整性较好,有望在二次电池领域广泛应用。

    具有平滑表面的氢氧化镁薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN117987892A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410168028.X

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种具有平滑表面的氢氧化镁薄膜及其制备方法。所述制备方法包括:使作为工作电极的待导电金属基底、对电极、电解液共同构建形成电化学反应体系,所述电解液包括镁盐、黄原胶、葡萄糖、甘油和乳酸;使所述电化学反应体系通电,采用电沉积法在待导电金属基底上制备形成具有平滑表面的氢氧化镁薄膜。本发明通过在电解液中加入乳酸,既能利用有机酸的弱电离特性稳定电解液的pH值,避免以黄原胶为代表的结构诱导剂在低pH情况下的支链分解,失去结构诱导作用,同时也能利用乳酸在氢氧化镁表面的吸附抑制效果,达到抑制氢氧化镁膜层表面瘤状突起生成的效果,制备得到的氢氧化镁薄膜表面的瘤状物消失,表面十分平滑。

    络合剂电解液体系下电化学阳极氧化制备多孔铜箔的方法

    公开(公告)号:CN115261952A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210838465.9

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种络合剂电解液体系下电化学阳极氧化制备多孔铜箔的方法。所述方法包括:提供电解液,所述电解液主要包括络合剂电解液和电解液添加剂,所述络合剂电解液包括酒石酸钾钠、EDTA‑2Na、柠檬酸钠等,所述电解液添加剂包括硫酸铵、氯化钠、氨水、硫酸铜、氢氧化钠、硫酸钠等;以铜基金属材料为阳极,使其与阴极、电解液共同构建电化学反应体系,进行电化学阳极氧化,制得多孔铜箔。本发明的方法通过对铜箔进行阳极氧化,并辅以络合剂电解液形成铜的螯合物并吸附在阳极表面,该方法操作流程短,制备成本低,可制备出高比表面积、高电子传输效率和较高强度的多孔铜箔,在二次电池集流体、电催化等领域应用潜力巨大。

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