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公开(公告)号:CN115261952B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202210838465.9
申请日:2022-07-14
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
IPC: C25D11/34
Abstract: 本发明公开了一种络合剂电解液体系下电化学阳极氧化制备多孔铜箔的方法。所述方法包括:提供电解液,所述电解液主要包括络合剂电解液和电解液添加剂,所述络合剂电解液包括酒石酸钾钠、EDTA‑2Na、柠檬酸钠等,所述电解液添加剂包括硫酸铵、氯化钠、氨水、硫酸铜、氢氧化钠、硫酸钠等;以铜基金属材料为阳极,使其与阴极、电解液共同构建电化学反应体系,进行电化学阳极氧化,制得多孔铜箔。本发明的方法通过对铜箔进行阳极氧化,并辅以络合剂电解液形成铜的螯合物并吸附在阳极表面,该方法操作流程短,制备成本低,可制备出高比表面积、高电子传输效率和较高强度的多孔铜箔,在二次电池集流体、电催化等领域应用潜力巨大。
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公开(公告)号:CN117987836A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202410166011.0
申请日:2024-02-05
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于难溶盐模板的金属铝表面粗化方法。所述金属铝表面粗化方法包括:提供粗化溶液,其包含氢离子、硫酸根以及铵离子;使粗化溶液与金属铝的表面接触,氢离子对金属铝进行腐蚀反应,且金属铝的表面形成微观不连续分布的硫酸铝铵难溶盐模板的覆盖,发生不均匀刻蚀;去除硫酸铝铵难溶盐模板,完成表面粗化。本发明通过溶液组分设计,使得金属铝腐蚀的同时,生成微溶的硫酸铝铵,以此形成不连续的微观掩模,结合了物理掩模和化学腐蚀形成了粗化程度较高的表面。并且可以对金属铝表面进行无死角的均匀粗化同时粗化,在特性和外观上也与传统喷砂法有所不同;所用手段比较温和,不会使器件表面遭受较为强大的外力作用,避免形变。
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公开(公告)号:CN117966228A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410176628.0
申请日:2024-02-07
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所 , 江苏高鹏新材料股份有限公司
Inventor: 张万珍 , 李冕 , 张波 , 王成慧 , 李武 , 王成栋 , 钱玉龙 , 徐慧云 , 赵玉祥 , 季霞芳 , 马悦 , 索玲 , 黄金望 , 王欣玉 , 李雪婷 , 舒永琪 , 梁建
Abstract: 本发明提供一种铝基复合铜箔及其制备方法。所述制备方法包括:将铝基材置于浸镀液中进行浸镀,以在铝基材表面形成CuZn异质层,得到铝基复合异质材料,其中所述浸镀液包括氧化锌、铜盐、镍盐、乙二胺四乙酸二钠和酒石酸钾钠的碱性溶液;以所述铝基复合异质材料为阴极、含有铜离子的酸性溶液为电解液进行电镀,以在所述铝基复合异质材料的表面形成铜层,得到铝基复合铜箔。采用本发明的浸镀‑电镀联合工艺制备的铝基复合铜箔展现为层层堆垛的复合多层结构,层与层之间良好结合,具有优异的导电性、力学性能和表面性能。
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公开(公告)号:CN117947411A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410177240.2
申请日:2024-02-06
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
Abstract: 本发明公开了一种聚丙烯基复合铜箔及其制备方法与应用。所述制备方法包括:使包含异丁醇、丙烯酸、选定功能物质和水的混合浆料充分搅拌混合,形成凝胶,选定功能物质包括纤维素、瓜尔豆胶、阿拉伯胶中的至少一种;将所述凝胶施加于聚丙烯薄膜表面,并陈化处理,获得表面羧基化的聚丙烯薄膜,之后将其依次浸润于SnCl2水溶液、银氨溶液中,再浸润于沉铜液进行化学镀铜处理,制得聚丙烯基复合铜箔。本发明的方法可实现对聚丙烯膜表面的离线接枝,极大地缩短产品的在线处理时间,将在线工艺转变为离线工艺,使得通过化学接枝的方式对聚丙烯薄膜表面进行处理在工业上成为可能。并且,制备所得聚丙烯基复合铜箔的铜层均匀、且与基底结合牢固。
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公开(公告)号:CN115432787B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202211175536.8
申请日:2022-09-26
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
IPC: C02F1/469 , C02F101/10
Abstract: 本发明公开了一种从盐湖卤水中电解去除硫化氢的方法。所述方法包括:采用双室隔膜电解法,以包括硫化氢的待处理盐湖卤水为阳极室电解液,使其与阴极室电解液、阴极与阳极共同构建电化学反应体系,之后通电进行电解反应,使待处理盐湖卤水中的硫化氢电氧化成为单质硫,从而使硫化氢从卤水中除去。本发明提供的方法将卤水中的硫化氢电氧化成为单质硫,再经由过滤从卤水中除去。同时,由于阴离子交换膜阻止了卤水中的钙镁等离子向阴极扩散,可阻止钙镁离子在阴极表面的沉积,避免卤水成分发生改变。通过本发明的方法除硫化氢后的卤水,可直接应用于后续成矿工艺,有效解决了含硫化氢卤水在开发过程中存在的环境压力大、元素提取难等问题。
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公开(公告)号:CN115058764B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202210838464.4
申请日:2022-07-14
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有复合结构的多孔铜箔及其制备方法与应用。所述制备方法包括:提供待处理铜箔作为工作电极,使其与对电极、电解液共同构建电化学反应体系,所述电解液为至少包含黄原胶、甘油、硫酸水溶液的水溶胶体系;采用方波电位法,对铜箔表面进行电沉积和电蚀刻,经电化学氧化及还原处理,使得铜箔内部被蚀刻形成孔状结构,同时在铜箔表面电沉积生长铜颗粒,制得具有复合结构的多孔铜箔。本发明的制备方法通过在水溶胶体系中对铜箔表面进行方波电位处理,在水溶胶影响下进行电化学氧化及还原,通过在水溶胶影响下的电沉积和电蚀刻两种作用同时进行,制备得到的铜箔产品内部同时具有两种截然不同的结构的多孔铜箔产品,应用前景广泛。
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公开(公告)号:CN113463156B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202110836069.8
申请日:2021-07-23
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
Abstract: 本发明公开了一种氢氧化镁膜层及其制备方法与系统。所述制备方法包括:至少使作为阴极的导电金属基底、阳极与电解液共同构建电化学反应体系,其中,所述电解液包括包含镁离子;使所述电化学反应体系通电进行电解,并且在电解过程中,向所述电解液中同时连续补充添加剂、碱液和硝酸根离子,所述添加剂包括黄原胶以及葡萄糖或其衍生物的组合;促使氢氧化镁膜层向紧密片状排列结构生长,从而在所述阴极表面沉积形成厚度均匀、与导电金属基底结合牢固的氢氧化镁膜层。本发明所制备的氢氧化镁膜层产物厚度均匀,形貌结构富有规律性,与基底结合牢固,解决了以往电沉积法制备的氢氧化镁薄膜容易破裂、剥落、形貌和结构均匀性差等问题。
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公开(公告)号:CN113860368A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111344669.9
申请日:2021-11-15
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所
Abstract: 本申请公开了一种铜铬黑、其低温制备方法及应用。本申请通过使六价铬化合物、二价铜化合物与硫属还原剂等在温和条件下进行反应,制备得到三价铬和二价铜的复合氢氧化物,之后将该复合氢氧化物高温焙烧制备得到铜铬黑产品。本申请制备得到的铜铬黑产品的晶型、微观形貌和尺寸稳定可控,分散性高,在涂料、颜料、填料等领域的应用前景广阔,且工艺简单、节能环保,适于规模化生产。
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公开(公告)号:CN110983422B
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN201911388399.4
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所 , 禹象铜箔(浙江)有限公司
IPC: C25F3/02
Abstract: 本发明公开了一种方波电化学蚀刻制备多孔铜箔的方法。所述方法包括:至少以作为工作电极的无孔铜箔与对电极以及蚀刻液构建电化学反应体系,所述蚀刻液采用包含强酸和弱酸的酸性水溶液,其中弱酸成分能够对金属铜的晶面进行保护,而所述强酸能够蚀刻金属铜;采用方波电蚀刻法,通过对所述工作电极施加方波电位,实现对所述无孔铜箔的方波电化学蚀刻,从而获得多孔铜箔。本发明利用弱酸可吸附在金属铜某些晶面上并形成保护的特点,同时混以起主要蚀刻作用的强酸,在铜箔表面达到选择性蚀刻的目的,采用方波电蚀刻法可通过控制工艺参数得到孔径较小的多孔铜箔,其孔径分布均匀,外观形貌良好;并且,该方法简单易操作,所获产品质量稳定性较高。
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公开(公告)号:CN110965085B
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN201911388337.3
申请日:2019-12-30
Applicant: 中国科学院青海盐湖研究所 , 禹象铜箔(浙江)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨复合铜箔及其制备方法。所述制备方法包括:使阳极、阴极辊、电解液共同构建电化学反应体系,所述电解液为包含铜离子和石墨颗粒的混合液,石墨颗粒的粒径为500nm~500μm;向电解液体系通电进行电解反应,Cu2+在阴极辊表面电沉积生成金属铜,同时将溶液中存在的石墨颗粒包裹在其中,形成内部结构和表面均含有石墨的石墨复合铜箔。本发明的石墨复合铜箔既拥有多孔铜箔的优点,也可解决多孔铜箔中石墨颗粒与铜箔孔径无法完全吻合的问题,铜箔内部结构因为被石墨填充而得到支撑,相比内部存在大量空隙对的多孔铜箔导电和力学性能更好,铜箔表面分布有大量石墨颗粒,同样可显著提升铜箔的比表面积、导电性能。
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