公开(公告)号：CN102844464A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180016312.6

申请日：2011-03-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 姜玉雁 ,  稻垣昌英 ,  中岛健次 ,  牧野聪一郎 ,  堀之内成明 ,  伊藤孝浩

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45597

Abstract: 为了减小在表面处理设备中当表面处理材料流体沿着衬底的表面流动以排出时由于使用过的流体与出口通道的内壁碰撞而引起的紊流。表面处理设备（10）是其中盘状试料保持台（14）设置在构成圆筒状圆周壁的外壳（12）内的设备。设置在外壳（12）的上部中的圆筒状部分（22）构成材料流体供应通道，并且设置在外壳（12）中试料保持台（14）的横向侧上并随着气远离圆筒状部分（22）而扩展成形的通道构成流体排出通道（24）。流体排出通道（24）采用抛物线曲线等，其中，试料保持台（14）的最外圆周的上端的位置定义为焦点位置，并且与焦点位置对称的出口的上端的位置定义为基准位置。

公开(公告)号：CN102232240B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980148378.3

申请日：2009-08-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  中岛健次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。成膜设备用于在晶片的表面上形成膜，并具有：腔室，在所述腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。

公开(公告)号：CN102232240A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200980148378.3

申请日：2009-08-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  中岛健次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 提供能够抑制由副产品气体引起的成膜速度的下降的成膜设备以及成膜方法。成膜设备用于在晶片的表面上形成膜，并具有：腔室，在所述腔室的内部设置晶片；气体导入装置，所述导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。

公开(公告)号：CN102844464B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180016312.6

申请日：2011-03-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 姜玉雁 ,  稻垣昌英 ,  中岛健次 ,  牧野聪一郎 ,  堀之内成明 ,  伊藤孝浩

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45597

Abstract: 为了减小在表面处理设备中当表面处理材料流体沿着衬底的表面流动以排出时由于使用过的流体与出口通道的内壁碰撞而引起的紊流。表面处理设备（10）是其中盘状试料保持台（14）设置在构成圆筒状圆周壁的外壳（12）内的设备。设置在外壳（12）的上部中的圆筒状部分（22）构成材料流体供应通道，并且设置在外壳（12）中试料保持台（14）的横向侧上并随着气远离圆筒状部分（22）而扩展成形的通道构成流体排出通道（24）。流体排出通道（24）采用抛物线曲线等，其中，试料保持台（14）的最外圆周的上端的位置定义为焦点位置，并且与焦点位置对称的出口的上端的位置定义为基准位置。

公开(公告)号：CN103026463A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201080066784.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  小泽隆弘 ,  中岛健次 ,  全基荣

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02532

Abstract: 半导体膜的气相生长方法包括向加热至1200～1400℃的基板的表面从与该表面垂直的方向供应包含氯硅烷气体和载气的混合原料气体的工序。氯硅烷气体的供应量相对基板每1cm2的表面而言为200μmol/分钟以上。载气包含氢气、和从氩气、氙气、氪气以及氖气中选择的至少一种以上的气体。