公开(公告)号：CN108359959A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810194858.4

申请日：2018-03-09

Applicant: 昆山国显光电有限公司

Inventor： 檀长兵

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4411

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备，包括压缩冷却系统、第一进气管道、反应腔室以及排气管道，所述第一进气管道连通所述压缩冷却系统与所述反应腔室，以将所述压缩冷却系统所产生压缩冷却气体传输至所述反应腔室；所述排气管道连通所述反应腔室，以排出所述反应腔室内部的气体。本发明能够有效降低反应腔冷却时间，进而提高设备稼动率。

公开(公告)号：CN108034931A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711105746.9

申请日：2014-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂夫·阿博阿杰 ,  保罗·布里尔哈特 ,  苏拉吉特·库马尔 ,  常安忠 ,  萨瑟施·库珀奥 ,  穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 ,  戴维·K·卡尔森

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481

Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。

公开(公告)号：CN107250444A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580076554.2

申请日：2015-12-23

Applicant: 斯泰克有限责任公司 ,  马克·W·达塞尔

Inventor： 马克·W·达塞尔 ,  乌韦·克冉特

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  C23C16/442 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/205 ,  C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/442 ,  C23C16/46 ,  H01L29/04 ,  C30B28/14 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06

Abstract: 机械流化系统和过程允许高效、有成本效益地制造具有极低水平的诸如金属和氧气的污染物的硅包覆颗粒。这些硅包覆颗粒在保持在低氧气水平或极低氧气水平和低污染物水平或极低污染物水平的环境中制造、运输并且成形为晶体，以使氧化硅的形成最小化，并且使包覆颗粒上的污染物沉积最小化。这种高纯度的包覆硅颗粒可不需要分类，并且可在晶体制造方法中整体或部分地使用。通过减少或消除氧化硅层和包覆颗粒上的污染物来改进晶体制造方法和所制造的所得高质量硅晶锭。

公开(公告)号：CN106435526A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610881872.2

申请日：2016-10-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陶伯万 ,  赵瑞鹏 ,  刘青 ,  张宇希 ,  李言荣

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于MOCVD制备YBCO带材的气体反应腔。包括反应铜管、连接于反应铜管两端的进排气仓和冷却管。反应铜管两端接到进排气仓；导热带绕于反应铜管和冷却管；进排气仓均设有一个孔隙，与反应腔中间的反应铜管在一条直线上，使用时基带衬底从孔隙中穿过。使用时整个反应过程只集中在反应铜管中，气体从进入反应室到被抽走，扩散空间小，所以极大的提高了金属有机源的利用率，降低了成本；同时可以实现在衬底的两面同时生长薄膜，并且保证制备的薄膜的面外均匀性和一致性。

公开(公告)号：CN104995717A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008331.8

申请日：2014-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂夫·阿博阿杰 ,  保罗·布里尔哈特 ,  苏拉吉特·库马尔 ,  常安忠 ,  萨瑟施·库珀奥 ,  穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 ,  戴维·K·卡尔森

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481

Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体入口与所述气体出口被设置在所述环形主体的相对端处，所述上环被配置以设于所述环形主体的顶表面上，所述下环被配置以设于所述环形主体的底表面上，其中所述上环、所述下环与所述环形主体一旦组装即大体呈同心或共轴的。

公开(公告)号：CN103098172A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180031981.0

申请日：2011-06-27

Applicant: GTAT有限公司

Inventor： 杰弗里·C·古姆 ,  查德·费罗

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/46 ,  F28D21/0001 ,  Y02P20/124 ,  Y02P20/129

Abstract: 本发明可以在半导体加工操作过程中通过使用其上具有辐射屏蔽层的钟罩提供或促进能量回收操作，所述辐射屏蔽层由配置在所述钟罩的内表面上的含有镍的中间层和配置在所述中间层上的可以包括金层的反射层构成。所述反射层具有小于5%的发射率，更优选地，所述反射层具有小于约1%的发射率。来自反应室的热量可以用于减少一个或多个其他单元操作的热负荷。

公开(公告)号：CN102422392A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020750.5

申请日：2010-03-16

Applicant: 奥塔装置公司

Inventor： 何甘 ,  雷格·东克 ,  凯思德·索拉布吉 ,  罗杰·哈曼吉 ,  安德瑞斯·海吉杜斯

IPC: H01L21/205 ,  H01K7/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)的装置和方法。在一个实施方案中，提供用于CVD反应器系统的加热灯组件，加热灯组件包括灯壳体，灯壳体被布置在支撑基部的上表面上并且包括从第一灯保持器延伸至第二灯保持器的多个灯。灯可以具有分裂灯丝灯和/或非分裂灯丝灯，并且在某些实施例中，分裂灯丝灯和非分裂灯丝灯可以被交替地布置在第一灯保持器和第二灯保持器之间。反射器可以被在第一灯保持器和第二灯保持器之间布置在支撑基部的上表面上。在另一个实施方案中，方法包括将晶片承载器的下表面暴露于从加热灯组件放射的能量，并且将晶片承载器加热至预先确定的温度。

公开(公告)号：CN1774525B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN02823903.2

申请日：2002-10-25

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： 陈岭 ,  古文忠 ,  吴典晔 ,  仲华 ,  艾伦·奥耶 ,  诺尔曼·中岛 ,  张镁

IPC: C23C16/455

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76871

Abstract: 一种用于实施循环层淀积法，如原子层淀积的装置和方法。在一种情况下，装置包括一个衬底支承件和一个室盖，上述衬底支承件具有一个接收衬底的表面，而上述室盖包括一个锥形通道和一个底部表面，上述锥形通道从室盖的中央部分延伸，而上述底部表面从通道延伸到室盖的周边部分，底部表面加工成一定的形状和尺寸，以便基本上盖住接收衬底的表面。装置还包括一个或多个阀和一个或多个气源，上述一个或多个阀连接到逐渐扩张的通道上，而上述一个或多个气源连接到每个阀上。

公开(公告)号：CN101429649A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810182318.0

申请日：2004-09-17

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 寿崎健一 ,  王杰

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/463 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4411 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/139 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：在反应炉1内，在衬底10上进行成膜的工序；将成膜后的衬底10从反应炉1中卸载后，在反应炉1内没有衬底10的状态下，将反应炉1内部的工序骤冷。与自然空气冷却比较，使反应炉1内部附着的堆积膜的应力增大，积极地产生热应力，使堆积膜发生强于自然空气冷却的强制龟裂。因发生龟裂而飞散的微粒通过大气压状态下的炉内净化被强制且有效地排放到反应炉外。

公开(公告)号：CN101252079A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810003563.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411

Abstract: 本发明提供一种能够减少部件的个数的基板处理装置。基板处理系统(10)，具有对晶片(W)实施化学反应处理的第二处理模块(28)，第二处理模块(28)具有收容晶片(W)的处理容器(33)，和通过与处理容器(33)的上部接合而构成晶片(W)的处理室(腔室)的上盖(35)，在上盖(35)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(40)，该气体导入孔(40)，一端(40a)以与GDP36连接的方式形成，另一端(40b)以与气体导入孔(42)的另一端(42b)连接的方式形成，在处理容器(33)的内部，形成导入氟化氢气体的气体导入孔(42)，该气体导入孔(42)，一端(42a)以与从氟化氢气体的供给源导入氟化氢气体的气体导入管(43)连接的方式形成，另一端(42b)以与气体导入孔(40)的另一端(40b)连接的方式形成。