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公开(公告)号:CN102656684B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN200980162622.1
申请日:2009-11-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4803 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29101 , H01L2224/32057 , H01L2224/83101 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/15151 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本申请的目的在于提供能够通过钎焊接合接合构件和被接合构件使得接合层的内部不残留空隙的半导体装置及其制造方法。因此,本发明的一个实施方式的特征在于,在包括被接合构件和通过钎焊与所述被接合构件接合的接合构件的半导体装置中,在所述被接合构件上设置有通孔,所述通孔在所述被接合构件与所述接合构件的接合面上开口,与所述通孔连通的通路被设置在所述接合构件的所述接合构件与所述被接合构件的接合面和所述被接合构件的所述被接合构件与所述接合构件的接合面中的至少一者上。
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公开(公告)号:CN102804368A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200980159841.4
申请日:2009-06-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/433 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能够适当地缓和因绝缘基板和冷却器之间的线膨胀率差异产生的应力并且能够适当地冷却半导体元件的热的半导体装置。半导体装置(1)包括绝缘基板(60)、配置在所述绝缘基板(60)上的半导体元件(71)、冷却器(10)、以及配置在所述绝缘基板(60)与所述冷却器(10)之间的多孔金属板(50)。所述多孔金属板(50)的孔(51)是至少朝向多孔金属板(50)的朝向所述冷却器侧的面(50c)开口的孔,并且具有随着从冷却器侧向绝缘基板侧所述孔的截面逐渐缩小的形状。
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公开(公告)号:CN102804368B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN200980159841.4
申请日:2009-06-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/13 , H01L23/3677 , H01L23/3735 , H01L23/433 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能够适当地缓和因绝缘基板和冷却器之间的线膨胀率差异产生的应力并且能够适当地冷却半导体元件的热的半导体装置。半导体装置(1)包括绝缘基板(60)、配置在所述绝缘基板(60)上的半导体元件(71)、冷却器(10)、以及配置在所述绝缘基板(60)与所述冷却器(10)之间的多孔金属板(50)。所述多孔金属板(50)的通孔(51)是至少朝向多孔金属板(50)的朝向所述冷却器侧的面(50c)开口的孔,并且具有随着从冷却器侧向绝缘基板侧所述孔的截面逐渐缩小的形状。
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公开(公告)号:CN102656684A
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200980162622.1
申请日:2009-11-27
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L23/473 , H01L21/4803 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/29101 , H01L2224/32057 , H01L2224/83101 , H01L2224/83385 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/15151 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本申请的目的在于提供能够通过钎焊接合接合构件和被接合构件使得接合层的内部不残留空隙的半导体装置及其制造方法。因此,本发明的一个实施方式的特征在于,在包括被接合构件和通过钎焊与所述被接合构件接合的接合构件的半导体装置中,在所述被接合构件上设置有通孔,所述通孔在所述被接合构件与所述接合构件的接合面上开口,与所述通孔连通的通路被设置在所述接合构件的所述接合构件与所述被接合构件的接合面和所述被接合构件的所述被接合构件与所述接合构件的接合面中的至少一者上。
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