公开(公告)号：CN105097574B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510239111.2

申请日：2015-05-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 浅冈和也 ,  藤塚德夫 ,  尾崎贵志 ,  青建一

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/564 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/302 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30136 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在两个半导体晶片的接合时使接合材料不易在水平方向上扩展的半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述半导体装置的制作方法包括开口部形成工序、导通孔形成工序、配置工序、接合工序。在开口部形成工序中，在遍及作为互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧及外侧的范围内形成非贯穿的开口部。在导通孔形成工序中，在第一部分的内侧形成导通孔。在配置工序中，将第一接合材料配置在导通孔内及第一部分上，将第二接合材料配置在第二部分上。在接合工序中，将第一接合材料与第二接合材料接合。

公开(公告)号：CN105097574A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510239111.2

申请日：2015-05-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 浅冈和也 ,  藤塚德夫 ,  尾崎贵志 ,  青建一

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/564 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/302 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08111 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30136 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在两个半导体晶片的接合时使接合材料不易在水平方向上扩展的半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述半导体装置具备互补型金属氧化膜半导体晶片与另外的半导体晶片，所述半导体装置的制作方法包括开口部形成工序、导通孔形成工序、配置工序、接合工序。在开口部形成工序中，在遍及作为互补型金属氧化膜半导体晶片的一部分的第一部分和作为半导体晶片的一部分的第二部分中的至少一个部分的内侧及外侧的范围内形成非贯穿的开口部。在导通孔形成工序中，在第一部分的内侧形成导通孔。在配置工序中，将第一接合材料配置在导通孔内及第一部分上，将第二接合材料配置在第二部分上。在接合工序中，将第一接合材料与第二接合材料接合。