公开(公告)号：CN105612275A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055039.1

申请日：2014-09-30

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: C25F3/14 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/0655 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/115 ,  H05K3/07 ,  H05K2201/10378

Abstract: 在导电层的第一导电部分上方形成掩模，以暴露所述导电层的第二导电部分。执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移除导电材料。相对于所述电解工艺所施加的电场，将所述第二区域与所述掩模对齐。所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域与所述第一导电部分分隔开。所述电解工艺相对于所述第二区域集中，使得与在所述第一区域中相比，在所述第二区域中以相对更高的比率进行移除。

公开(公告)号：CN113169159A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080676.7

申请日：2019-08-28

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。在一实施方式中，微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件。直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。

公开(公告)号：CN107210240B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201680007974.X

申请日：2016-02-01

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： R·坎卡尔 ,  C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

Abstract: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。

公开(公告)号：CN105612275B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201480055039.1

申请日：2014-09-30

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: C25F3/14 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/0655 ,  C25F3/12 ,  C25F3/14 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15701 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H05K1/0212 ,  H05K1/115 ,  H05K3/07 ,  H05K2201/10378

Abstract: 在导电层的第一导电部分上方形成掩模，以暴露所述导电层的第二导电部分。执行电解工艺以从所述第二导电部分的第一区域和第二区域移除导电材料。相对于所述电解工艺所施加的电场，将所述第二区域与所述掩模对齐。所述第二区域将所述第二导电部分的所述第一区域与所述第一导电部分分隔开。所述电解工艺相对于所述第二区域集中，使得与在所述第一区域中相比，在所述第二区域中以相对更高的比率进行移除。

公开(公告)号：CN119208304A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411335489.8

申请日：2019-08-28

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了用于微电子器件的直接接合的界面中的电容性耦合。微电子器件包括在接合界面处直接接合在一起的第一管芯和第二管芯、通过金属‑金属直接接合在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的导电互连件、以及在接合界面处形成的第一管芯和第二管芯之间的电容性互连件。直接接合工艺在两个管芯的介电表面之间产生直接接合，在两个管芯的相应导电互连件之间产生直接接合，以及在接合界面处在两个管芯之间产生电容性耦合。在一实施方式中，每条信号线在接合界面处的电容性耦合包括每条信号线在接合界面处形成电容器的介电材料。电容性耦合产生于相同的直接接合工艺，该相同的直接接合工艺在相同的接合界面处产生直接接合在一起的导电互连件。

公开(公告)号：CN107210240A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680007974.X

申请日：2016-02-01

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： R·坎卡尔 ,  C·E·尤佐 ,  A·R·西塔拉姆

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/528 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13855 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/81905 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/364 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2064

Abstract: 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。