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公开(公告)号：CN101523561A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037298.1
申请日：2007-10-04
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J9/02 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/24942 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。
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公开(公告)号：CN102187442A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141197.8
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电木株式会社
Inventor： 佐佐木晓嗣
IPC: H01L21/52 , C09J7/00 , C09J133/04 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/75 , C08L33/10 , C08L33/12 , C08L63/00 , C09J7/10 , H01L21/6835 , H01L23/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L31/02005 , H01L31/02008 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29386 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/8385 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/1579 , H01L2924/15798 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y02E10/50 , C08L2666/22 , H01L2924/00014 , C08L25/08 , C08L51/00 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/05341 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，介由粘接膜的固化物粘接半导体元件和支撑部件，其中，依次进行下述(a)～(d)的工序：(a)准备带有粘接膜的半导体元件的工序，(b)将带有粘接膜的半导体元件热压接于支撑部件，得到由带有粘接膜的半导体元件和支撑部件形成的半导体部件的热压接工序，(c)使用加压流体将由带有粘接膜的半导体元件和支撑部件形成的半导体部件加热、加压，进行粘接膜的固化的加压固化工序，(d)将半导体元件和支撑部件电连接的工序。
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公开(公告)号：CN101523561B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200780037298.1
申请日：2007-10-04
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J9/02 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/24942 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明的半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A1(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A2(cN/25mm)低。本发明的半导体装置，其特征在于，是使用上述记载的半导体用膜制造而成。
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