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公开(公告)号：CN103270203B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN103451739B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310394735.2
申请日：2013-09-04
Applicant: 常州时创能源科技有限公司
CPC classification number: H01L31/0236 , C30B19/00 , C30B19/12 , C30B29/06 , C30B29/54 , C30B33/10 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种单晶硅片制绒添加剂，其组分包括：聚乙二醇、苯甲酸钠、柠檬酸、水解聚马来酸酐、乙酸钠和余量的水。本发明还提供一种用于单晶硅片制绒的制绒液，其含有碱溶液和上述制绒添加剂，所述制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.2～5:100，所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液。本发明还提供一种单晶硅片的制绒方法，利用上述制绒液对单晶硅片进行表面制绒。上述单晶硅片制绒添加剂应用于单晶硅片的绒面制作时，不需要使用大量的异丙醇或乙醇，大量降低制绒液的化学需氧量，并且可以获得均匀、细小、密集的绒面金字塔，因此，可以降低制绒成本，减少环境污染，有利于晶体硅太阳电池的工艺稳定，具有较好的实用价值。
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公开(公告)号：CN102325929B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080008632.2
申请日：2010-02-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B29/36 , H01L21/04 , C30B15/00 , C30B19/00
CPC classification number: H01L29/7802 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/04 , C30B19/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/872
Abstract: 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103562149A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280019383.6
申请日：2012-03-04
Applicant: 摩赛科结晶公司
Inventor： 摩西·艾纳夫
CPC classification number: C30B19/00 , C30B7/005 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B23/00 , C30B23/002 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/40
Abstract: 用于从金属-非金属(MN)化合物的表面活性剂晶体生长的方法，其包括以下程序：提供晶种，引入第一金属的原子以与晶种接触因而在晶种表面上形成薄的液态金属润湿层，设定晶种的温度低于在润湿层中溶解MN分子所需的最低温度并高于第一金属的熔点，而每一个MN分子是由第二金属原子和第一非金属的原子形成的，引入形成MN表面活性剂单层的MN分子从而促进在MN表面活性剂单层和晶种表面之间润湿层的形成，以及调节润湿层的厚度从而在晶种上生长MN化合物的外延层。
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公开(公告)号：CN1461359A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN01815940.0
申请日：2001-08-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C30B19/12 , C01B33/02 , H01L21/208 , H01L31/04
CPC classification number: C30B19/00 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/06 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通常，晶体薄膜生长时，为控制生长面温度通常需要改变冷却能力，在水冷却的情况下难以大幅度地变化冷却水的流量。而在气冷的情况下大幅变化冷却气的流量，系统需要更大规模，制造成本高。根据本发明，彻底解决了上述问题，并且可以容易地进行生长晶体薄板的表面的温度控制，从而可以低成本生产晶体薄板。具体地，将由至少两层构成、其中一层由热导率与另一层的热导率不同的材料制成的多层结构基体与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触，并控制基体温度，从而在基体上生长可以形成晶体的物质的晶体，由此得到晶体薄板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105525343A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510956449.X
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开一种具有光子带隙调制光限幅及防伪性能的蛋白石结构或反蛋白石结构碳点光子晶体的制备方法及应用。所述方法为以聚苯乙烯微球为原料采用竖直沉积法组装光子晶体模板，再采用牺牲模板法制备反蛋白石结构的碳点光子晶体；或者是在合成二氧化硅微球的过程中加入碳点溶液，制备出不同粒径的含有碳点的二氧化硅微球，再采用竖直沉积法组装成蛋白石结构的碳点光子晶体。本发明得到的碳点光子晶体根据带隙的不同对激光具有很好的光限幅调制行为。同时利用光刻模板使制备的碳点光晶图案化，结合其在不同激发光下发出不同颜色荧光的特性，可用于防伪图案方面。本发明方法操作简单、成本低廉、适合大规模的制备具有特殊功能性的碳点光晶。
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公开(公告)号：CN103367122B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210085276.5
申请日：2012-03-28
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L21/0237 , C30B19/00 , C30B23/04 , C30B25/04 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层；去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一外延衬底，所述外延衬底具有一图案化的表面；以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
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公开(公告)号：CN101981677B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980110483.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/7786
Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板具有良好的二维电子气特性且由应变产生的内部应力减小。采用的解决手段为，以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的五条直线所围成的范围内。
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公开(公告)号：CN103367122A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210085276.5
申请日：2012-03-28
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01L21/0237 , C30B19/00 , C30B23/04 , C30B25/04 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，所述基底具有一第一外延生长面；在所述第一外延生长面设置一碳纳米管层；在所述设置有碳纳米管层的第一外延生长面生长一第一外延层；去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一外延衬底，所述外延衬底具有一图案化的表面；以及将所述外延衬底图案化的表面作为第二外延生长面，在所述外延衬底的第二外延生长面生长一第二外延层，得到所述外延结构体。
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公开(公告)号：CN103270203A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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