基于Fabry-Perot谐振腔的高光谱滤光片阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN118131381A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410551966.8

    申请日:2024-05-07

    Abstract: 本申请涉及一种基于Fabry‑Perot谐振腔的高光谱滤光片阵列及其制作方法,所述方法包括:通过薄膜沉积方式在N个硬质透明衬底上沉积透射峰值波长为λ1、λ2,…、λN的Fabry‑Perot谐振腔的多层膜系形成N个分立滤光片,λ为波长,N为波长的数量;根据滤光片阵列上的像素块大小对各个分立滤光片进行裁切得到微单元阵列;根据滤光片阵列上的数据点排列信息分别从分立滤光片中提取微单元,将所提取的微单元转移至透明基底上并按照透射峰值波长进行排列;将各个微单元拼装到透明基底上形成单片集成式的高光谱滤光片阵列;该技术方案,便于工业上大规模生产,降低高光谱滤光片阵列的制造难度和成本。

    单片集成式滤光片器件及其制造设备系统

    公开(公告)号:CN118131382A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410555009.2

    申请日:2024-05-07

    Abstract: 本申请涉及一种单片集成式滤光片器件及其制造设备系统,其中,所述单片集成式滤光片器件包括:透明基底,以及设于透明基底上的微镜片阵列;透明基底设计为单片集成滤光片结构;微镜片阵列包括多个排列在所述透明基底上的微镜片,每个微镜片对应于滤光片上的数据点的像素块,包括硬质透明衬底以及沉积在硬质透明衬底上的多层膜系,多层膜系构成Fabry‑Perot谐振腔;微镜片阵列中的微镜片按照透射峰值波长顺序排列;微镜片阵列的硬质透明衬底一侧固定拼装在透明基底上,形成单片集成式滤光片阵列;该技术方案,有利于单片集成式滤光片器件的大规模生产,降低了制造难度和成本,可以精准控制干涉层的厚度,提升高光谱探测的精准度。

    等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法

    公开(公告)号:CN113782408B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202111081909.0

    申请日:2021-09-15

    Abstract: 本申请涉及一种等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法,所述装置包括:应用于等离子体源,所述等离子体源包括:电离腔室、射频线圈以及供气管路;其中,所述电离腔室一侧连接离子发射口;所述控制装置包括:设于在所述离子发射口位置处的阳极,以及连接所述阳极的阳极电源;所述阳极电源向所述阳极提供正极电,驱动所述阳极产生电场,所述等离子体在所述电场的作用下按设定发射角度进行发射;该技术方案,可以控制等离子体的发射角度和覆盖范围,克服了等离子体发射位置固定的缺陷,从而提升了对等离子体发射角度的可控性,等离子体均匀性好,增强了等离子体源的镀膜使用效果。

    基于宽光谱监控的镀膜工艺方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117867461A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311873459.8

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本申请涉及一种基于宽光谱监控的镀膜工艺方法,所述方法包括:安装待镀膜的工件及监控片;初始化并加载镀膜工艺;绘制圆周光谱曲线并定位监控片在产品转盘上的角度位置;镀膜工艺程序的自动执行;在镀膜过程中,实时采集监控片的光谱能量数据,拟合出当前膜层的真实厚度;并以此计算换层判停时间并触发换层判停逻辑;在换层后,对下一个膜层进行镀膜,直至完成镀膜工艺中的所有膜层。该技术方案,可以准确地定位到换层位置,避免了采用常规的以评价函数方法来控制换层的延时缺陷,可以确保成膜过程中对各个膜层厚度监控的精准度,特别是在多层镀膜时,能够显著减少换层误差累积,提升了光学薄膜产品的镀膜质量。

    工业设备的控制系统
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114625094B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202210304228.4

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本申请涉及一种工业设备的控制系统,包括:工控机,与工控机连接的多个相互独立的控制设备;其中,各个控制设备分别连接工业设备的至少一个不同功能类型的设备部件;工控机内置总控制程序,并通过设定通讯协议与各个控制设备进行通讯;各个控制设备内置对连接的设备部件的控制逻辑函数,对外通过接口函数进行调用;总控制程序根据加工工艺调用目标控制设备的接口函数,通过设定通讯协议将加工工艺的控制指令参数下发至对应的目标控制设备;目标控制设备接收下发的控制指令参数,根据控制指令参数并调用控制逻辑函数对相应的设备部件进行控制;该技术方案,可以方便各个功能模块的扩展,使用便利性好,极大提升了工业设备的控制效率。

    射频阴极中和器
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112908817B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202110085599.3

    申请日:2021-01-22

    Abstract: 本申请涉及一种射频阴极中和器,包括:电离腔室,靶材,维持极,发射极,以及磁铁组件;靶材通过第一绝缘部件设置在电离腔室底部,维持极和发射极设于电离腔室顶部,靶材连接射频电源,磁铁组件向电离腔室提供磁场;在工作中,向电离腔室通入工作气体,利用磁铁组件产生的磁场和射频电源输出的射频电磁波对工作气体进行电离产生等离子体;维持极和发射极用于分离等离子体中的正离子和负电子,并将负电子输出;该技术方案,使用了电容性射频驱动的方式驱动中和器,射频负载面对地直流绝缘,对地等效为电容,具有更高匹配效率,设备结构更加简单;而且通过引入磁场和射频电共同作用,使得等离子体更加活泼,也提高了电离效率。

    基于宽光谱监控的镀膜工艺方法

    公开(公告)号:CN116005125A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211744081.7

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本申请涉及一种基于宽光谱监控的镀膜工艺方法,所述方法包括:安装待镀膜的工件及监控片;初始化并加载镀膜工艺;绘制圆周光谱曲线并定位监控片在产品转盘上的角度位置;镀膜工艺程序的自动执行;在镀膜过程中,实时采集监控片的光谱能量数据,拟合出当前膜层的真实厚度;并以此计算换层判停时间并触发换层判停逻辑;在换层后,对下一个膜层进行镀膜,直至完成镀膜工艺中的所有膜层。该技术方案,可以准确地定位到换层位置,避免了采用常规的以评价函数方法来控制换层的延时缺陷,可以确保成膜过程中对各个膜层厚度监控的精准度,特别是在多层镀膜时,能够显著减少换层误差累积,提升了光学薄膜产品的镀膜质量。

    靶材安装结构及真空镀膜机

    公开(公告)号:CN115976477A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211601128.4

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本申请涉及一种靶材安装结构及真空镀膜机,靶材安装结构包括背板结构和固定装置,背板结构通过活动式的连接组件与固定装置进行连接;背板结构包括多块拼接的子背板;每个子背板的正面用于焊接对应形状的靶材;固定装置包括:支撑轴以及第一旋转结构,第一旋转结构设于支撑轴的一端,使得连接组件绕支撑轴进行转动;各个子背板的背面中心位置连接有第二旋转结构,使得子背板绕该中心位置在背板平面上进行转动;各个子背板上的第二旋转结构的连接组件通过连接到第一旋转结构上;其中,各个子背板的第二旋转结构通过所述连接组件在背板平面上进行扩张和收缩移动。该技术方案,提升了调整效率以及更换靶材的效率。

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