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公开(公告)号：CN118131381A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410551966.8
申请日：2024-05-07
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本申请涉及一种基于Fabry‑Perot谐振腔的高光谱滤光片阵列及其制作方法，所述方法包括：通过薄膜沉积方式在N个硬质透明衬底上沉积透射峰值波长为λ1、λ2，…、λN的Fabry‑Perot谐振腔的多层膜系形成N个分立滤光片，λ为波长，N为波长的数量；根据滤光片阵列上的像素块大小对各个分立滤光片进行裁切得到微单元阵列；根据滤光片阵列上的数据点排列信息分别从分立滤光片中提取微单元，将所提取的微单元转移至透明基底上并按照透射峰值波长进行排列；将各个微单元拼装到透明基底上形成单片集成式的高光谱滤光片阵列；该技术方案，便于工业上大规模生产，降低高光谱滤光片阵列的制造难度和成本。
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公开(公告)号：CN118131382A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410555009.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本申请涉及一种单片集成式滤光片器件及其制造设备系统，其中，所述单片集成式滤光片器件包括：透明基底，以及设于透明基底上的微镜片阵列；透明基底设计为单片集成滤光片结构；微镜片阵列包括多个排列在所述透明基底上的微镜片，每个微镜片对应于滤光片上的数据点的像素块，包括硬质透明衬底以及沉积在硬质透明衬底上的多层膜系，多层膜系构成Fabry‑Perot谐振腔；微镜片阵列中的微镜片按照透射峰值波长顺序排列；微镜片阵列的硬质透明衬底一侧固定拼装在透明基底上，形成单片集成式滤光片阵列；该技术方案，有利于单片集成式滤光片器件的大规模生产，降低了制造难度和成本，可以精准控制干涉层的厚度，提升高光谱探测的精准度。
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公开(公告)号：CN118629687A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410277929.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种X射线波带片过电镀金属层后道离子束回刻方法，包括如下步骤：S1)氮化硅隔膜窗口制备：S2)光刻：S3)电镀：S4)离子束抛光：本发明的离子束抛光方法具有高精度和均匀性、无接触和热影响、多种材料的选择性、清洁无残留。本发明中应用于X射线波带片过电镀后道回刻的离子束抛光方法，探索出了一种针对菲涅尔波带片这种带有free‑standing隔膜窗口的特制衬底，解决过电镀后道回刻过程中可能出现的由现有技术——CMP方案解决过电镀从而造成的表面缺陷、选择性和尺寸一致性、衬底损害、金属残留物、抛光速率的控制等方面问题。
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公开(公告)号：CN118746910A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411052151.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种多电子束并行光刻装备电子束聚焦结构及其制造方法，专用MEMS微孔阵列单元为核心部件，其能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；通过高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上；通过调整正面各金属/绝缘层之间的电压差，实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能，最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度，并能通过控制膜层数量灵活调整焦深，有利于电子光学系统的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119601530A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411052150.7
申请日：2024-08-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: H01L21/768 , C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/04 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，属于微纳制造技术领域，金属层的沉积过程中，采用掠角离子束溅射（IBS）物理气相沉积方式（PVD），可实现钼（Mo）、钌（Ru）等金属薄膜在数十纳米特征尺寸（CD）及大高宽比（AR）沟槽结构内的高质量共形填充，即具备优良的填孔能力，能够实现100%的侧壁覆盖率，并避免悬凸（Overhang）和空洞（Void）等不良模式的出现。本发明将离子束溅射技术引入集成电路制造工艺中，为集成电路栅极金属材料、中道及后道互连垫衬层/阻挡层/种子层/导电金属材料、以及3D‑DRAM电容电极材料的沉积和填充提供新的工艺解决方案。
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公开(公告)号：CN118567195A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410710354.9
申请日：2024-06-03
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法，属于微纳制造技术领域，通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程，消除衬底对于光刻分辨率，然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影，之后将显影后的光刻胶图案转移释放至目标衬底。所述提升集成精度的方法在于光刻胶薄膜显影后的图案中同时包含套刻标记，在释放过程中将其与目标衬底上的标记进行对准，可显著提升异质集成精度。本发明将光刻技术的分辨率推进极限，甚至能够进一步拓展电子束与光学混合匹配光刻技术的应用场景，为跨尺度微纳结构、3D异质/异构系统、以及多功能光电子器件的制备和集成提供新的解决方案。
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公开(公告)号：CN119002190A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411272089.7
申请日：2024-09-11
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种多电子束光刻装备图像发生系统及其制造方法。其中电子束光刻装备图像发生系统为核心部件，其能够将入射在孔中电子束进行偏转，将聚焦后的电子束流偏转到不同位置，达到在一个写场内不同点曝光的目的；通过控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至图像发生系统顶端金属电极上；顶端电极与侧壁电极连通，通过调整加在顶端电极的电压调节侧壁电极电压以控制电场强度，实现对入射电子束的偏转和投影等功能，最终能将束斑投影至写场中的任一位置。
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公开(公告)号：CN118579718A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410665884.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
Abstract: 本发明公开了一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统及制造方法，包括高压ASIC控制芯片、专用MEMS微孔阵列单元及传输线三个部分。其中专用MEMS微孔阵列单元作为核心部件，能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上；通过调整正/背面各金属/绝缘层之间的电压差，实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能，最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度，并能通过控制膜层数量灵活调整焦深，有利于电子光学系统的小型化。
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公开(公告)号：CN118726931A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411023781.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
IPC: C23C14/50
Abstract: 本申请涉及一种夹具盘、试验工件架、真空镀膜机及镀膜工艺试验方法；所述夹具盘包括：底盘，棘轮，上盖，产品安装盘以及曲柄；产品安装盘上以圆形分布方式设有多个放置测试产品的产品安装位；棘轮内置在底盘中，产品安装盘连接在底盘上；上盖设置于产品安装盘上方，且与棘轮连接；上盖上开设有至少一个镂空部位；其中上盖的非镂空区域用于遮挡非镀膜的产品，镂空部位用于露出需要镀膜的产品；曲柄连接在底盘上，曲柄驱动棘轮进行转动并带动所述上盖旋转，对需要镀膜的产品进行切换；该技术方案，可以在真空镀膜机进行镀膜工艺试验中，减少真空腔体的开门次数，提高镀膜工艺试验对比的准确性。
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