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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101784938A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104125.1
申请日：2008-08-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/085 , G02B26/0833 , G02B26/105 , G03G15/0409 , H04N9/3129 , Y10T29/42
Abstract: 一种摆动体装置(100)，包括利用支承部(102)可绕扭转轴线(110)振动地支承在固定部(103)上的摆动板(101)且以共振频率绕扭转轴线(110)驱动摆动板(101)，该摆动板具有形成用于调整摆动板的质量的槽部的区域，且共振频率被构造成可通过在该区域内形成槽部来调整。
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公开(公告)号：CN1099148A
公开(公告)日：1995-02-22
申请号：CN94105394.6
申请日：1994-04-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/141 , G02F2001/133388 , G02F2001/133761
Abstract: 一种由一对相对设置的基片构成的液晶装置，所述基片对具有相对的内表面和在内表面上相对的电极，相对的电极之间设置有手征蝶状结构的液晶。该液晶装置具有有效光调制区和在有效光调制区外部的周边区。在该装置中，周边区中液晶分子的预倾角大于有效光调制区中液晶分子的预倾角。其结果是有效地抑制了因为液晶分子沿装置的外延运动而导致的局部压力不均匀或盒厚度变化。
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公开(公告)号：CN101821660A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111065.6
申请日：2008-11-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B26/0833 , Y10T29/49826
Abstract: 一种用于制造振荡器装置的方法，所述振荡器装置具有第一和第二振荡器，所述第一和第二振荡器以第一和第二驱动共振频率gf1和gf2驱动，所述方法包括用于加工两个振荡器的第一步骤，其中，当两个振荡器要加工成具有第一和第二共振频率的振荡器，所述第一和第二共振频率以某一分散范围不同于两个驱动共振频率时，两个振荡器被加工成使得与两个驱动共振频率不同的第一和第二共振频率分别等于第一和第二共振频率f1和f2，其分别包括在可调节的共振频率范围内，和用于调节第一和第二共振频率f1和f2的第二步骤，使得它们分别等于第一和第二驱动共振频率gf1和gf2。
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公开(公告)号：CN101462692A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810188516.8
申请日：2008-12-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B81C1/00 , B81B3/00 , G02B26/08 , G01P15/097 , G01P3/44 , C23F1/02 , H01L21/308
CPC classification number: B81C1/00404
Abstract: 提供一种基于各向异性蚀刻制造结构的方法，包括：用于在单晶硅基片上形成基础蚀刻掩模和校正蚀刻掩模的掩模形成步骤，所述基础蚀刻掩模对应于目标形状，所述校正蚀刻掩模具有连接到所述基础蚀刻掩模的接合部；以及用于通过基于各向异性蚀刻方法蚀刻所述硅基片而形成所述目标形状的目标形状形成步骤；其中，在所述掩模形成步骤中，至少在所述校正蚀刻掩模的接合部的一部分中形成低强度部分，在所述低强度部分中机械强度局部降低。还提供一种具有蚀刻掩模的硅基片。
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公开(公告)号：CN1033667C
公开(公告)日：1996-12-25
申请号：CN94105394.6
申请日：1994-04-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/141 , G02F2001/133388 , G02F2001/133761
Abstract: 一种由一对相对设置的基片构成的液晶装置，所述基片对具有相对的内表面和在内表面上相对的电极，相对的电极之间设置有手征蝶状结构的液晶。该液晶装置具有有效光调制区和在有效光调制区外部的周边区。在该装置中，周边区中液晶分子的预倾角大于有效光调制区中液晶分子的预倾角。其结果是有效地抑制了因为液晶分子沿装置的外延运动而导致的局部压力不均匀或盒厚度变化。
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