-
公开(公告)号：CN100533798C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580000793.6
申请日：2005-02-23
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C01G25/00 , C30B29/32 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2/14233 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/318 , Y10T29/42 , Y10T428/265
Abstract: 本发明披露了具有较少不一致部分并保持令人满意压电特性的压电薄膜、制造所述薄膜的方法、使用该压电薄膜的压电元件以及使用该压电元件的喷墨系统记录头。在通过溶胶凝胶工艺形成在衬底上并由通式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(其中0≤x＜1，0.05≤y≤1)表示的一种钙钛矿晶体的压电薄膜中，薄膜的膜厚度为大于或等于1000nm并小于或等于4000nm，并且在压电薄膜任意部分中y的最大值和最小值之间的差值为小于或等于0.05。
-
公开(公告)号：CN100413113C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03157463.7
申请日：2003-09-22
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/047 , B41J2/045
CPC classification number: H01L41/318 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1645 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876
Abstract: 一种压电体元件，该压电体元件是具有夹在下部电极和上部电极之间的压电体膜的压电体元件，所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜由钙钛矿型氧化物构成，所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜之间不存在接合界面，且所述下部电极和/或所述上部电极与所述压电体膜之间存在所述下部电极和/或所述上部电极的结晶与所述压电体膜的结晶混合的区域。
-
公开(公告)号：CN100376395C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410068616.9
申请日：2004-09-03
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/14298 , B41J2/161 , B41J2/1617 , B41J2/1629 , B41J2/1645 , H01L41/0477 , H01L41/0478 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/318
Abstract: 提供一种压电体元件、喷墨记录头和压电体元件的制造方法。该压电体元件，由振动板、下部电极、压电体膜和上部电极依次层叠而成，其特征在于：上述下部电极、上述上部电极和上述压电体膜由钙钛矿型氧化物构成，上述振动板由金属氧化物构成，在上述振动板和上述下部电极之间、上述下部电极和上述压电体膜之间、及上述压电体膜和上述上部电极之间实质上不存在接合界面。
-
公开(公告)号：CN1590102A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068616.9
申请日：2004-09-03
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/14298 , B41J2/161 , B41J2/1617 , B41J2/1629 , B41J2/1645 , H01L41/0477 , H01L41/0478 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/318
Abstract: 提供一种压电体元件、喷墨记录头和压电体元件的制造方法。该压电体元件，由振动板、下部电极、压电体膜和上部电极依次层叠而成，其特征在于：上述下部电极、上述上部电极和上述压电体膜由钙钛矿型氧化物构成，上述振动板由金属氧化物构成，在上述振动板和上述下部电极之间、上述下部电极和上述压电体膜之间、及上述压电体膜和上述上部电极之间实质上不存在接合界面。
-
公开(公告)号：CN101515629B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910004600.4
申请日：2005-02-23
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/24 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C01G25/00 , C30B29/32 , H02N2/00
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2/14233 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/318 , Y10T29/42 , Y10T428/265
Abstract: 本发明披露了具有较少不一致部分并保持令人满意压电特性的压电薄膜、使用该压电薄膜的压电元件以及使用该压电元件的喷墨系统记录头。在通过溶胶凝胶工艺形成在衬底上并由通式Pb(1-x)Lax(ZryTi1-y)O3(其中0≤x＜1，0.05≤y≤1)表示的一种钙钛矿晶体的压电薄膜中，薄膜的膜厚度为大于或等于1000nm并小于或等于4000nm，并且在压电薄膜任意部分中y的最大值和最小值之间的差值为小于或等于0.05。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1495928B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03157462.9
申请日：2003-09-22
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/164 , B41J2002/14258 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 一种压电体膜的制造方法，该方法包括以下步骤：将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤；干燥所述涂布膜的干燥步骤；预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤；焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤；和冷却所述压电体膜的冷却步骤；上述各步骤在含有水分的气体存在下进行，在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下，含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60％RH或60％RH以下；在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下，所述相对湿度为10～70％RH；在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200～450℃，所述相对湿度为70～100％RH；所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500～800℃，所述相对湿度为70～100％RH。
-
公开(公告)号：CN1495927A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03157405.X
申请日：2003-09-19
IPC: H01L41/193 , H01L41/22 , B41J2/045
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , C23C18/08 , C23C18/1204 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 含有由金属化合物得到的分散质的用于形成压电体膜的组合物，其中含有选自1，8－二氮杂双环[5.4.0]－7－十一碳烯、1，5－二氮杂双环[4.3.0]壬－5－烯、1，4－二氮杂双环[2.2.2]辛烷中的至少1种。
-
公开(公告)号：CN102234193B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC: C04B35/26
CPC classification number: C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
-
公开(公告)号：CN102234193A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110064029.2
申请日：2011-03-15
IPC: C04B35/26 , C04B35/626 , H02N2/00 , H01L41/187 , B41J2/045
CPC classification number: C01G49/02 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01G49/0018 , C01P2002/34 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/82 , C01P2006/60 , C04B35/26 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , H01L41/1878 , H01L41/43
Abstract: 本发明涉及一种铋铁氧化物粉末、铋铁氧化物粉末的制造方法、介电陶瓷、压电元件、排液头和超声波马达。本发明提供具有低漏电流值的无铅介电陶瓷和作为其原料的铋铁氧化物粉末。该铋铁氧化物粉末至少包括：(A)包括铋铁氧化物、具有钙钛矿型晶体结构的颗粒；(B)包括铋铁氧化物、具有分类为空间群Pbam的晶体结构的颗粒；和(C)包括铋铁氧化物或铋氧化物、具有分类为空间群I23的晶体结构的颗粒。该介电陶瓷由铋铁氧化物制成，其中具有分类为空间群Pbam的晶体结构的铋铁氧化物晶体分布在具有钙钛矿型晶体结构的铋铁氧化物晶体的晶粒的晶界处。
-
公开(公告)号：CN1495928A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03157462.9
申请日：2003-09-22
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/164 , B41J2002/14258 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 一种压电体膜的制造方法，该方法包括以下步骤：将用于形成压电体的涂布液涂布在基板上形成涂布膜的涂布步骤；干燥所述涂布膜的干燥步骤；预焙烧所述涂布膜形成氧化物膜的预焙烧步骤；焙烧所述氧化物膜形成压电体膜的主焙烧步骤；和冷却所述压电体膜的冷却步骤；上述各步骤在含有水分的气体存在下进行，在所述涂布步骤中所述基板的温度为50℃或50℃以下，含有水分的气体在25℃下的相对湿度为60％RH或60％RH以下；在所述干燥步骤中所述基板的温度为200℃或200℃以下，所述相对湿度为10～70％RH；在所述预焙烧步骤中所述基板的温度为200～450℃，所述相对湿度为70～100％RH；所述主焙烧步骤中所述基板的温度为500～800℃，所述相对湿度为70～100％RH。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.039 seconds)
