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公开(公告)号：CN117038444A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116741630A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN107393856B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201610324318.4
申请日：2016-05-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法。该下电极装置包括静电卡盘、直流电源、顶针和电流测量装置，所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件；所述直流电源与所述静电卡盘电连接，用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量；所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层，所述内芯与地连接。等离子体加工装置可减少晶片表面缺陷，有效地避免粘片现象。
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公开(公告)号：CN110310913A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810229591.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供了一种机械手校准装置及方法，其通过使校准件与基座对中，且在校准件的中心设置有贯穿其厚度的第一定位孔，在校准机械手时，第一定位孔的轴线和基座的轴线重合，利用定位件依次穿过机械手的第二定位孔和校准件的第一定位孔，即可实现待校准机械手与基座的校准，这与现有技术中通过手动操作机械手与目测结合的方式相比，不仅可以有效提高校准精度，而且还可以避免多次重复调节，从而提高了校准效率。
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公开(公告)号：CN107393856A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610324318.4
申请日：2016-05-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 本发明提供一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法。该下电极装置包括静电卡盘、直流电源、顶针和电流测量装置，所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件；所述直流电源与所述静电卡盘电连接，用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量；所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层，所述内芯与地连接。等离子体加工装置可减少晶片表面缺陷，有效地避免粘片现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310913B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810229591.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供了一种机械手校准装置及方法，其通过使校准件与基座对中，且在校准件的中心设置有贯穿其厚度的第一定位孔，在校准机械手时，第一定位孔的轴线和基座的轴线重合，利用定位件依次穿过机械手的第二定位孔和校准件的第一定位孔，即可实现待校准机械手与基座的校准，这与现有技术中通过手动操作机械手与目测结合的方式相比，不仅可以有效提高校准精度，而且还可以避免多次重复调节，从而提高了校准效率。
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公开(公告)号：CN107316795A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610264269.X
申请日：2016-04-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李国荣
Abstract: 本发明提供一种聚焦环和等离子体处理装置。该聚焦环围设在处理腔室中用于承载基片的基台外侧，包括第一环形台阶面和第二环形台阶面，第一环形台阶面和第二环形台阶面均位于聚焦环的面向基片的一侧，第二环形台阶面位于第一环形台阶面的内侧，并低于第一环形台阶面，第二环形台阶面上设置有凹凸结构。该聚焦环能够减少处理过程中沉积在基片背面边缘与第二环形台阶面之间的聚合物对基片背面的吸附，降低基片与聚合物粘连的发生几率，从而增加基片传输的稳定性，避免出现基片破碎；同时还能避免聚合物粘附在基片的背面，从而避免基片在传输过程中对传输系统造成污染，同时也避免基片在处理工艺过程中对处理工艺造成污染。
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公开(公告)号：CN117038444B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
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公开(公告)号：CN116741630B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN107316795B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610264269.X
申请日：2016-04-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李国荣
Abstract: 本发明提供一种聚焦环和等离子体处理装置。该聚焦环围设在处理腔室中用于承载基片的基台外侧，包括第一环形台阶面和第二环形台阶面，第一环形台阶面和第二环形台阶面均位于聚焦环的面向基片的一侧，第二环形台阶面位于第一环形台阶面的内侧，并低于第一环形台阶面，第二环形台阶面上设置有凹凸结构。该聚焦环能够减少处理过程中沉积在基片背面边缘与第二环形台阶面之间的聚合物对基片背面的吸附，降低基片与聚合物粘连的发生几率，从而增加基片传输的稳定性，避免出现基片破碎；同时还能避免聚合物粘附在基片的背面，从而避免基片在传输过程中对传输系统造成污染，同时也避免基片在处理工艺过程中对处理工艺造成污染。
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