公开(公告)号：CN116844955A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310713043.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：第一刻蚀阶段：利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以在目标膜层上形成第一开口槽；第一刻蚀气体含有对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护第一开口槽的侧壁的第二元素；第二刻蚀阶段：利用第二刻蚀气体对经过第一刻蚀阶段的剩余厚度的目标膜层进行刻蚀，以增大第一开口槽的侧壁的垂直度；第二刻蚀气体含有第一元素和第二元素；第二刻蚀气体中第一元素的含量小于第一刻蚀气体中第一元素的含量；和/或，第二刻蚀气体中的第二元素的含量大于第一刻蚀气体中的第二元素的含量。本发明能够提升刻蚀速度及刻蚀均匀性，优化了侧壁形貌，能够精准传递关键尺寸。

公开(公告)号：CN117650047B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410116211.5

申请日：2024-01-26

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  蒋中伟 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开一种形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，所公开的方法包括：对半导体叠层结构执行第一刻蚀工艺，以形成多个相互间隔的鳍形结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的至少一个第一半导体层和至少一个第二半导体层，在执行第一刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第一间距；对鳍形结构执行第二刻蚀工艺，以选择性地刻蚀第一半导体层与第二半导体层中的一者的至少部分，在执行第二刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。上述方案能解决半导体工艺设备在进行不同类型刻蚀工艺过程中由于需要换腔而导致刻蚀产能较低的问题。

公开(公告)号：CN117238765A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311233533.X

申请日：2023-09-21

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  徐力田 ,  王京 ,  蒋中伟

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本发明提供了一种膜层刻蚀方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：第一刻蚀步，利用第一刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以形成预设深度的沟槽；其中，预设深度小于目标深度，第一刻蚀气体包含对目标膜层起刻蚀作用的第一元素和能够与目标膜层生成聚合物以保护沟槽侧壁的第二元素；第二刻蚀步，利用第二刻蚀气体对目标膜层进行刻蚀，以使沟槽达到所述目标深度；其中，第二刻蚀气体包含第一元素和第二元素，第二刻蚀气体中第一元素的含量大于第一刻蚀气体中第一元素的含量，第二刻蚀气体中第二元素的含量小于第一刻蚀气体中第二元素的含量。本发明既能保证刻蚀后的目标膜层竖直的侧壁形貌，又能保证刻蚀速率，减轻了倾斜粘连的隐患。

公开(公告)号：CN117038444A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311024464.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN116741630A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202311022428.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。

公开(公告)号：CN115312384A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210962646.2

申请日：2022-08-11

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种环栅结构刻蚀方法、半导体器件的制备方法，方法包括：提供待刻蚀对象，待刻蚀对象包括形成于基底上的叠层结构，叠层结构包括交叠设置的应变层与牺牲层；对待刻蚀对象的侧壁执行循环刻蚀步，循环刻蚀步中依次循环执行设定循环次数的氧化保护步和第一刻蚀步；其中，氧化保护步用于在应变层和牺牲层的侧壁上形成氧化保护层；对待刻蚀对象的侧壁执行第二刻蚀步，直到牺牲层被刻蚀到设定的横向深度；第二刻蚀步的等离子体密度大于第一刻蚀步的等离子体密度。本发明能够实现在刻蚀环栅结构中牺牲层被高选择性地去除，而应变层得到有效的保护。

公开(公告)号：CN117038444B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311024464.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN117810074A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211165474.2

申请日：2022-09-23

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，停止第一刻蚀工艺步；第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和侧壁保护气体；执行第二刻蚀工艺步，利用第二刻蚀气体继续刻蚀硬掩膜层和衬底，以使刻蚀沟槽达到设定深度；第二刻蚀气体包括主刻蚀气体和阻挡层刻蚀气体。本发明可以在保证浅沟槽隔离结构刻蚀深度的前提下，得到角度连续的“U”形侧壁。

公开(公告)号：CN116741630B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311022428.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 杨光 ,  李佳阳 ,  马一鸣 ,  周赐 ,  李国荣

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。

公开(公告)号：CN116631864A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310397307.9

申请日：2023-04-12

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 马一鸣 ,  杨光 ,  王京 ,  王启飞 ,  周永杰

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/305 ,  H01J37/302

Abstract: 本发明提供一种高深宽比开口刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该高深宽比开口刻蚀方法包括：利用n个刻蚀步顺序对待刻蚀膜层进行刻蚀以形成目标刻蚀开口，n个刻蚀步所达到的刻蚀深度与待刻蚀膜层中的n个以深宽比划分的深度位置一一对应，其中，n≥2；n个刻蚀步分别采用不同的工艺气体，各个刻蚀步所采用的工艺气体均包括刻蚀气体和保护性气体，保护性气体用于在刻蚀过程中对开口的侧壁进行保护；其中，刻蚀步所达到的刻蚀深度越深，其采用的工艺气体中保护性气体的含量越高。该高深宽比开口刻蚀方法能够以较高刻蚀速率刻蚀得到目标刻蚀开口的基础上，确保对开口侧壁形貌的精确传递。